CXSD61257 ACOT同步降压转换器 | 4.5V-18V | 3A | 700kHz | 快速瞬态响应 - 嘉泰姆电子

CXSD61257 ACOT同步降压转换器 | 4.5V-18V | 3A | 700kHz | 快速瞬态响应 - 嘉泰姆电子

产品型号:CXSD61257
产品类型:DC-DC转换器
产品系列:开关稳压器降压 (Buck) 转换器
产品状态:量产
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产品简介

CXSD61257 是一款ACOT同步降压DC/DC转换器,支持4.5V-18V宽输入,3A输出,700kHz开关频率,ACOT架构实现快速瞬态响应,支持陶瓷电容,集成60mΩ低侧MOSFET,UVP/OVP/OTP保护,SOP-8(EP)封装。嘉泰姆电子提供完整方案。

技术参数

输入电压范围 (VIN)4.5V~18V
输出电压 (VOUT)0.765V~8V
输出电流 (IOUT)3A
工作频率700kHz
转换效率95%
封装类型PSOP-8
Topology开关稳压器降压 (Buck) 转换器
Control methodResistor
Switching frequency100kHz~2500kHz
Protection过流/过压/过温
FeaturesACOT Control;Adjustable Soft-Start;COT Control;Cycle-by-Cycle Current Limit;Enable Input;Fast Transient Response;Force PWM;OCP;OTP;Stable with Ceramic Capacitor;UVP
Application开关稳压器
Operating temp-40℃~125℃
Precision±1%
Ext SyncNo
Ron HS (typ) (mOhm)90
Ron LS (typ) (mOhm)60
Iq (typ) (mA)0.7
InterfaceI2C
Current Limit (typ) (A)4.1
Number of Outputs1

产品详细介绍

CXSD61257 ACOT同步降压DC/DC转换器
4.5V-18V宽输入 | 3A输出 | 700kHz | 快速瞬态响应

产品版本:Rev 1.0 | 更新日期:2026年8月 | 型号:CXSD61257 | 封装:SOP-8(Exposed Pad)

嘉泰姆电子(JTM-IC)推出的 CXSD61257 是一款采用高级恒定导通时间(ACOT™)控制架构的高性能同步降压DC/DC转换器,专为需要快速瞬态响应和高效率的负载点调节应用而设计。该芯片支持 4.5V至18V 的宽输入电压范围,提供高达 3A 的连续输出电流,输出电压可调范围 0.765V至8V。ACOT™架构实现了 超快速瞬态响应,并允许使用 低ESR陶瓷输出电容,无需复杂的外部补偿。芯片以 700kHz 准固定开关频率工作,在输入电压和负载变化范围内保持优异的频率稳定性。内部集成 60mΩ 低侧 MOSFET(以及相应的低导通电阻高侧开关),在全负载范围内提供高达 95% 的转换效率。 逐周期谷值电流限制 提供精确的过流保护,外部可调软启动支持预偏置输出。芯片还集成了 输出欠压保护(UVP)输出过压保护(OVP)热关断保护(OTP),确保系统在异常条件下的安全运行。CXSD61257 采用 SOP-8(Exposed Pad) 封装,增强散热性能,是工业与商业低功耗系统、计算机外设、LCD显示器、FPGA/ASIC负载点稳压和绿色电子应用的理想选择。

核心优势: 4.5V-18V宽输入 | 3A输出 | ACOT架构快速瞬态响应 | 700kHz准固定频率 | 支持陶瓷电容 | 60mΩ低侧MOSFET | 逐周期谷值限流 | 可调软启动 | UVP/OVP/OTP保护 | SOP-8(EP)封装 | 工业级温度范围。

1. 产品概述与市场定位

在现代高性能电子系统中,FPGA、DSP和ASIC等处理器对电源的动态响应速度和稳定性提出了极高要求。CXSD61257 作为 ACOT™同步降压转换器,其核心优势在于 先进的恒定导通时间控制架构,实现了近乎瞬时的负载瞬态响应,同时在整个输入电压和负载范围内保持 700kHz的准恒定开关频率。与传统电流模式或电压模式控制相比,ACOT™架构无需复杂的补偿网络,大大简化了设计,并允许使用小尺寸、低成本的陶瓷输出电容,显著减小PCB占板面积。

芯片内部集成了高侧和低侧功率MOSFET,低侧导通电阻低至 60mΩ,在3A满载条件下有效降低导通损耗,提升系统整体效率。 700kHz准固定开关频率 允许使用小型电感器(典型值1.4μH-3.3μH)和陶瓷电容,同时通过频率反馈环路补偿开关损耗和寄生效应,保持频率稳定。 逐周期谷值电流限制 通过监测低侧MOSFET的压降实现精确保护,防止电感电流失控。外部可调 软启动(SS) 功能支持预偏置输出启动,避免启动时的输入浪涌电流。CXSD61257 采用 SOP-8(Exposed Pad) 封装,底部散热焊盘增强了热传导能力,适合在严苛温度环境下连续工作。

2. 主要特点与技术亮点

ACOT™控制快速瞬态响应,无需复杂补偿
宽输入电压4.5V至18V,兼容多种总线
3A输出电流满足高功率负载需求
准固定700kHz频率稳定,EMI可控
支持陶瓷电容低ESR电容稳定工作
低导通电阻低侧60mΩ,效率高达95%
谷值电流限制逐周期精确保护
UVP/OVP/OTP全面保护,安全可靠
  • ACOT™(高级恒定导通时间)控制:专有的ACOT架构结合了恒定导通时间控制的快速瞬态响应和准固定频率特性,通过内部虚拟电感电流斜坡替代ESR斜坡,实现对低ESR陶瓷电容的稳定支持。
  • 准固定开关频率(700kHz):通过测量实际开关频率并反馈调节导通时间,在输入电压和负载变化范围内保持频率稳定,减少EMI干扰风险。
  • 逐周期谷值电流限制:在低侧MOSFET导通期间监测其源漏电压(RDS(ON)),结合温度补偿实现精确的谷值电流检测,限流阈值典型值4.5A(基于电感值),有效防止过流损坏。
  • 可调软启动(SS):外部SS引脚电容设定软启动时间(2μA充电电流),支持预偏置输出启动,确保启动过程平滑无浪涌。
  • 输出欠压保护(UVP)和过压保护(OVP):UVP阈值70% VREF,OVP阈值120% VREF,保护系统免受异常电压影响。
  • 热关断保护(OTP):结温超过150°C时关断,降温20°C后自动重启,确保芯片在极端条件下的安全。
  • 使能与UVLO:EN引脚支持2V至18V宽范围输入,可直接连接VIN实现自动启动;内部PVCC欠压锁定(UVLO)防止MOSFET不完全导通时工作。
  • 电源良好指示(PGOOD):开漏输出,当FB电压高于90%参考电压时释放,低于85%时拉低,提供系统状态监控(本型号PGOOD功能集成于内部,但SOP-8封装未引出独立引脚,通过内部逻辑实现)。

3. 引脚封装图

引脚封装图
引脚封装图:SOP-8(Exposed Pad)

4. 典型应用电路

典型应用电路
图2. 典型应用电路(4.5V-18V输入,3A输出)

5. 极限参数与电气特性(设计参考)

极限参数(Absolute Maximum Ratings)
符号 参数 最小值 最大值 单位
VIN 输入电压 -0.3 21 V
SW 开关节点电压 -0.8(<10ns -5) VIN+0.3(<10ns 25) V
BOOT - SW 自举电压差 -0.3 6 V
其他引脚 控制/逻辑引脚 -0.3 21 V
PD @ TA=25°C 最大功耗(SOP-8 EP) 2.041 W
θJA 结到环境热阻(SOP-8 EP) 49 °C/W
TJ 结温范围 - 150 °C
TSTG 存储温度范围 -65 150 °C
ESD(HBM) 人体模型 2 kV
推荐工作条件(Recommended Operating Conditions)
参数 最小值 最大值 单位
VIN 输入电压 4.5 18 V
结温范围 -40 125 °C
环境温度范围 -40 85 °C
关键电气特性(VIN=12V,TA=25°C,典型值)
参数 条件 典型值 单位
关断电流(ISHDN) VEN=0V 1.5 μA
静态电流(IQ) VEN=3V, VFB=1V 0.7 mA
反馈参考电压(VREF) 4.5V≤VIN≤18V 0.765 V
VREF精度 ±1.0 %
低侧导通电阻(RDS(ON)_L) 60
谷值电流限制(ILIM) 4.5(典型) A
开关频率(fSW) 700 kHz
EN阈值(上升/下降) 2.0 / 0.4 V
SS充电电流(ISS) VSS=0V 2 μA
PVCC输出电压 6V≤VIN≤18V 5.1 V
UVLO阈值(PVCC上升) 3.85 V
UVLO迟滞 0.3 V
OVP阈值 120 %
UVP阈值 70 %
热关断阈值(TSD) 150 °C
热关断迟滞(ΔTSD) 20 °C

6. 工作原理与设计指导

6.1 ACOT™ 控制架构

CXSD61257 采用 高级恒定导通时间(ACOT™) 控制架构,这是对传统恒定导通时间(COT)控制的重大改进。传统COT控制具有快速瞬态响应的优势,但存在两个主要缺点:一是开关频率随输入/输出电压变化而显著变化;二是需要输出电容提供足够的ESR来保证环路稳定,限制了陶瓷电容的使用。

ACOT™架构通过以下方式解决了这些问题:

  • 导通时间自适应调节:导通时间与VOUT成正比、与VIN成反比,同时通过测量实际开关频率并反馈调节导通时间,确保在输入电压和负载变化范围内保持 准固定700kHz开关频率
  • 虚拟电感电流斜坡:芯片内部生成虚拟的电感电流斜坡信号,替代传统COT控制中依赖输出电容ESR产生的斜坡,从而允许使用 低ESR陶瓷输出电容,无需外部补偿网络。
  • 最小关断时间(tOFF(MIN)):确保在开关噪声期间不进行调节决策,提高抗噪性,同时允许在需要时快速重复导通,提升瞬态响应。

6.2 输出电压设置

输出电压通过外部分压电阻网络设置,FB引脚内部参考电压为 0.765V(典型值)。输出电压计算公式如下:

VOUT = 0.765 × (1 + R1 / R2)

推荐使用 1% 精度电阻,R2 选择 10kΩ 至 100kΩ 之间。例如,输出 3.3V 时,R1/R2 = (3.3/0.765 - 1) ≈ 3.31,若 R2=22.1kΩ,则 R1≈73.2kΩ。

推荐元件配置(VIN=12V,fSW=700kHz):

VOUT(V) R1(kΩ) R2(kΩ) C3(pF) L1(μH) C7(μF)
1.0 6.8 22.1 1.4 22-68
1.05 8.25 22.1 1.4 22-68
1.2 12.7 22.1 1.4 22-68
1.8 30.1 22.1 5-22 2.2 22-68
2.5 49.9 22.1 5-22 2.2 22-68
3.3 73.2 22.1 5-22 2.2 22-68
5 124 22.1 5-22 3.3 22-68
7 180 22.1 5-22 3.3 22-68

6.3 软启动与使能时序

软启动时间通过 SS 引脚外接电容设定。内部 2μA 电流源 对电容充电,FB电压跟踪SS电压。软启动时间计算公式:

tSS(ms)= CSS(nF)× 1.365 / 2(μA)

例如,3.9nF 电容对应约 2.6ms。推荐电容范围 2.7nF 至 220nF。SS引脚不可悬空。软启动期间芯片以断续模式工作,防止负电感电流,支持 预偏置输出启动

EN引脚支持 2V 至 18V 宽电压输入,可直接连接VIN实现自动启动,也可通过外部电阻分压设定精确的输入电压锁定阈值。

6.4 谷值电流限制

芯片采用 逐周期谷值电流限制,在低侧MOSFET导通期间监测其源漏电压(RDS(ON)),并加入温度补偿以提高精度。限流阈值典型值约为4.5A(取决于外部元件),当电感电流超过限流阈值时,禁止下一个导通脉冲,直到电流降至安全水平。这种机制有效防止电感饱和和输出短路损坏。

6.5 电感器选型

电感值直接影响纹波电流和系统瞬态响应。建议纹波电流为最大负载电流的 20%(ΔIL = 0.2 × IOUT(MAX))。电感值计算公式:

L = [VOUT × (VIN - VOUT)] / [VIN × fSW × ΔIL]

在最高输入电压下纹波电流最大,应以此条件设计。推荐电感值范围:1.0μH 至 4.7μH。选用低DCR、高饱和电流的电感,饱和电流应大于峰值限流值。

设计示例(12V输入,1.05V/3A输出,纹波电流0.6A):

L = 1.05 × (12 - 1.05) / (12 × 700k × 0.6) ≈ 2.3μH

实际可选用2.2μH电感。

6.6 输入与输出电容选型

输入电容建议使用 10μF + 0.1μF 低ESR陶瓷电容 并联,靠近VIN引脚放置。输入RMS电流在最坏情况(VIN=2×VOUT)下为 IOUT/2。

输出电容推荐使用 22μF 至 68μF 陶瓷电容(X5R/X7R),低ESR特性与ACOT架构完美匹配。输出纹波可按下式估算:

ΔVOUT = ΔIL × ESR + ΔIL / (8 × fSW × COUT)

6.7 保护功能详解

  • 逐周期谷值电流限制:监测低侧MOSFET压降,防止过流。
  • 输出欠压保护(UVP):VFB低于70% VREF时触发,芯片停止开关,需通过EN或VIN复位(非锁存,自动恢复)。
  • 输出过压保护(OVP):VFB高于120% VREF时触发,芯片停止开关。
  • 输入欠压锁定(UVLO):监测PVCC引脚,阈值3.85V,迟滞0.3V。
  • 热关断保护(OTP):结温超过150°C时关断,降温20°C后自动重启。

7. 基于 CXSD61257 的负载点电源设计实例

设计目标:一款工业控制板,需要为 FPGA 核心提供 1.05V/3A 的负载点电源,输入来自 12V 工业总线,要求快速瞬态响应、小尺寸和高可靠性,使用陶瓷电容。

  • 系统配置:选用 CXSD61257(SOP-8 EP封装),VIN=12V,VOUT=1.05V,IOUT=3A。电感 L=1.4μH(DCR<15mΩ),输入电容 CIN=10μF(X7R,25V)+0.1μF,输出电容 COUT=2×22μF(陶瓷)。分压电阻 R1=8.25kΩ,R2=22.1kΩ(VREF=0.765V)。软启动电容 CSS=3.9nF(tSS≈2.6ms)。
  • 效率表现:在 12V 输入、1.05V/3A 输出条件下,典型效率高于 85%,轻载效率良好。
  • 瞬态响应:ACOT架构提供近乎即时的瞬态响应,在 0A-3A 负载阶跃下,输出电压跌落小,恢复时间极短。
  • 热设计:SOP-8(Exposed Pad)封装 θJA=49°C/W(70mm²铜箔),在 TA=25°C 时最大功耗 2.041W。实际满载功耗约 0.9W,温升约 44°C,结温低于 85°C,满足要求。
  • 保护配置:逐周期谷值限流保护,UVP/OVP/OTP保护,确保系统安全。
设计支持: 嘉泰姆电子提供 CXSD61257 评估板、参考设计(原理图、BOM、PCB 布局)及 FAE 技术支持,助力工程师快速完成产品开发。

8. PCB 布局建议

ACOT架构对PCB布局的要求相对宽松,但遵循以下指南可确保最佳性能:

  • 主功率回路最小化:将输入电容、CXSD61257 的 VIN 和 GND 引脚、LX 节点以及输出电感紧密布局,减小功率回路的寄生电感和电阻。
  • LX 节点控制:LX 走线应短而宽,但面积尽可能小以降低辐射EMI。SW节点避免大面积铺铜,敏感信号远离LX节点。
  • 输入电容靠近芯片:输入电容应尽可能靠近 VIN 和 GND 引脚放置,以减小输入回路寄生电感。
  • 输出电容靠近负载:输出电容应靠近负载端放置,以提供最佳的瞬态电流响应。
  • 反馈网络短而直接:FB 分压电阻应紧靠芯片放置,走线远离 LX 节点和电感等噪声源。建议在FB引脚与地之间放置小电容(C3)以改善瞬态响应(高输出电压应用)。
  • GND 与散热焊盘:GND引脚和Exposed Pad必须连接至大面积地平面,通过多个过孔散热。建议采用多层PCB设计,地平面作为第二层。
  • BOOT 电容:0.1μF 自举电容应紧靠 BOOT 和 SW 引脚放置。
  • PVCC 电容:1μF 陶瓷电容应紧靠 PVCC 和 GND 引脚放置。

9. 订购信息与技术支持

CXSD61257 采用 SOP-8(Exposed Pad) 封装,无铅、RoHS合规,工作温度范围 -40°C 至 +85°C(环境),结温范围 -40°C 至 +125°C。嘉泰姆电子提供工程样品、量产芯片及全面的技术支持,包括评估板、参考设计和FAE现场支持,助力客户快速完成产品开发。

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