产品信息查询
产品 新闻
首页 > 产品中心 > 功率器件 > IGBT驱动IC >CXMS5191SG P沟道增强型功率场效应管MOSFET采用高单元密度的DMOS沟道技术高密度的工艺适用于减小导通电阻用于低压应用移动电话笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路
CXMS5191SG P沟道增强型功率场效应管MOSFET采用高单元密度的DMOS沟道技术高密度的工艺适用于减小导通电阻用于低压应用移动电话笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路
0

CXMS5191 P沟道增强型功率场效应管(MOSFET),采用高单元密度的DMOS
沟道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻.CXMS5191SG适用于低压应
用,例如移动电话,笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。
● -30V/-4A
RDS(ON) =90mΩ@ VGS=-10V,ID=-4A
RDS(ON) =110mΩ@ VGS=-4.5V,ID=-3A
● 超大密度单元、极小的 RDS(ON))

CXMS5191SG P沟道增强型功率场效应管MOSFET采用高单元密度的DMOS沟道技术高密度的工艺适用于减小导通电阻用于低压应用移动电话笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路
产品手册
产品订购

产品订购

产品简介

                          目录Ahz嘉泰姆

   1.产品概述      2.产品特点      3.应用范围     4.技术规格书下载(PDF文档)Ahz嘉泰姆

   5.产品封装      6.电路原理图     7.相关产品Ahz嘉泰姆

一.产品概述Ahz嘉泰姆


  CXMS5191SG P沟道增强型功率场效应管(MOSFET),采用高单元密度的DMOSAhz嘉泰姆

沟道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻.CXMS5191SG适用于低压应Ahz嘉泰姆

用,例如移动电话,笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。Ahz嘉泰姆

二.产品特点Ahz嘉泰姆


●    -30V/-4A Ahz嘉泰姆

  RDS(ON) =90mΩ@ VGS=-10V,ID=-4A Ahz嘉泰姆

  RDS(ON) =110mΩ@ VGS=-4.5V,ID=-3A Ahz嘉泰姆

● 超大密度单元、极小的 RDS(ON)) Ahz嘉泰姆

● 采用SOP8封装Ahz嘉泰姆

三.应用范围Ahz嘉泰姆


●    电源管理 Ahz嘉泰姆

● 负载开关 Ahz嘉泰姆

● 电池保护    Ahz嘉泰姆

四.技术规格书(产品PDF)Ahz嘉泰姆


需要详细的PDF规格书请扫一扫微信联系我们,还可以获得免费样品以及技术支持!Ahz嘉泰姆

 QQ截图20160419174301.jpgAhz嘉泰姆

五.产品封装图Ahz嘉泰姆


 blob.png Ahz嘉泰姆

六.电路原理图Ahz嘉泰姆


参数Ahz嘉泰姆

符号Ahz嘉泰姆

极限值Ahz嘉泰姆

单位Ahz嘉泰姆

漏级电压Ahz嘉泰姆

VDSSAhz嘉泰姆

-30VAhz嘉泰姆

VAhz嘉泰姆

栅级电压Ahz嘉泰姆

VGSSAhz嘉泰姆

±20Ahz嘉泰姆

VAhz嘉泰姆

漏级电流Ahz嘉泰姆

IDAhz嘉泰姆

-4Ahz嘉泰姆

AAhz嘉泰姆

允许最大功耗Ahz嘉泰姆

PDAhz嘉泰姆

2Ahz嘉泰姆

WAhz嘉泰姆

工作温度Ahz嘉泰姆

TOprAhz嘉泰姆

150Ahz嘉泰姆

Ahz嘉泰姆

存贮温度Ahz嘉泰姆

TstgAhz嘉泰姆

-65/150Ahz嘉泰姆

℃   Ahz嘉泰姆

七.相关芯片选择指南Ahz嘉泰姆


系列名称 输入电压 (V) 输出电压 (V) 最大输出电流 (A) 封装 特点
最小 最大 最小 标准 最大
CXMS5191    30V        4 SOP8 P沟道增强型场效应管
CXMS5192    30V        4 SOP8 带散热片P沟道增强型场效应管