CXDC65237 DDR5 SODIMM/UDIMM 超频PMIC
3路降压转换器 + 2路LDO | SWA 6A/7.5A | 支持超频 | A²RCOT | WQFN-28L 3×4（FC）

产品版本：Rev 1.0 | 更新日期：2026年8月 | 型号：CXDC65237 | 封装：WQFN-28L 3×4（FC）

嘉泰姆电子（JTM-IC）推出的 CXDC65237 是一款高度集成的电源管理IC（PMIC），专为DDR5 SODIMM和UDIMM内存模组设计，特别支持超频（Overclocking）操作。该器件集成了3路同步降压转换器（SWA：6A/7.5A峰值，SWB：4A/5A峰值，SWC：1A/2A峰值）和2路LDO（VLDO_1.8V：25mA，VLDO_1.0V：20mA），为DDR5内存提供完整的电源解决方案。

CXDC65237采用先进的A²RCOT（Accurate Adaptive Ramp Constant On-Time）控制架构，提供超快瞬态响应和优异的负载/线性调整率。芯片支持I²C和I3C Basic双模通信接口，可通过总线灵活配置输出电压、时序、保护阈值等参数。内置ADC监测功能可实时监控各通道电压、电流和功率，并集成了完整的保护机制（OVP、UVP、OCP、OTP、HCW），配合PWR_GOOD和GSI_n中断指示，确保系统安全可靠运行。CXDC65237采用WQFN-28L 3×4（FC）封装，是DDR5内存模组电源管理的理想选择。

1. 产品概述与市场定位

DDR5内存模组对电源管理方案提出了更高要求：多路不同电压输出（VDD/VDDQ/VPP）、高精度（0.75%）、大电流能力（VDD高达6A）、快速瞬态响应以及灵活的可编程性。CXDC65237作为一款专为DDR5 SODIMM/UDIMM设计的PMIC，在一个芯片内集成了全部所需电源轨——3路降压转换器和2路LDO，单芯片满足DDR5内存所有供电需求。

与常规DDR5 PMIC相比，CXDC65237的显著优势在于支持超频操作：SWA和SWB的输出电压可调范围扩展至2.2V（远高于标准DDR5的1.1V），同时SWA的持续输出电流提升至6A（峰值7.5A），为内存超频提供充足的功率余量。芯片采用A²RCOT控制架构，在经典COT控制基础上引入了自适应斜坡补偿和频率锁定环路，实现了低ESR陶瓷输出电容的稳定工作、优异的负载调整率和超快瞬态响应。支持DEM（二极管仿真模式）和FCCM（强制连续导通模式）两种轻载工作模式，可在效率和瞬态响应之间灵活权衡。

CXDC65237还集成了32字节MTP非易失存储器，可存储DIMM厂商的配置参数，实现上电自动加载。通过I2C/I3C接口可灵活配置输出电压（步进5mV/50mV）、开关频率（750kHz-1.5MHz）、软启/软停时间、保护阈值等参数，并提供ADC电压/电流/功率监测、错误日志记录、故障注入调试等高级功能，极大简化了系统设计和调试。芯片采用WQFN-28L 3×4（FC）封装，结温范围-40°C至125°C。

2. 主要特点与技术亮点

• SWA/SWB/SWC：输入4.25V-5.5V，输出可编程（SWA/SWB：标准0.8V-2.2V支持超频，步进5mV；SWC：1.5V-2.135V，步进5mV），支持DCM/FCCM模式。
• 高电流能力：SWA持续电流高达6A（峰值7.5A），为超频内存提供充足功率余量。
• VLDO_1.8V / VLDO_1.0V：为SPD/HUB/CK等低功耗器件提供稳定电源，输出电压可调（1.7V-2.0V / 0.9V-1.2V）。
• A²RCOT控制：内部自适应斜坡补偿 + 频率锁定环路，实现低ESR陶瓷电容稳定工作、优异负载调整率和恒定频率。
• I2C/I3C接口：支持1MHz I2C或12.5MHz I3C Basic，提供完整寄存器访问，支持PEC和奇偶校验。
• MTP非易失存储：32字节MTP，用于存储DIMM厂商配置，支持密码保护读写。
• ADC监测：支持VIN_Bulk、SWA/B/C输出电压、VLDO_1.8V/1.0V电压、SWA/B/C电流/功率、芯片温度等监测。
• 保护机制：VIN_Bulk OVP/UVLO、各通道OVP/UVP/OCP、过温保护（OTP）和过温预警（OTW）、高电流消耗警告（HCW）。
• 故障管理：PWR_GOOD输出、GSI_n中断、错误日志寄存器（支持全局清除和掩码）。
• 可编程时序：3级上电/断电时序可配置，各通道软启/软停时间独立可调。

3. 技术参数与电气特性

4. 应用场景

• DDR5 SODIMM：笔记本电脑DDR5内存模组电源管理，支持超频。
• DDR5 UDIMM：台式机DDR5内存模组电源管理，支持超频。
• DDR5 超频内存：为超频DDR5内存提供更高电压和更大电流。
• 高性能计算系统：服务器和工作站DDR5内存电源管理。

5. 功能框图

6. 典型应用电路

图2. CXDC65237 典型应用电路（DDR5 SODIMM/UDIMM，支持超频）

典型应用电路包括：VIN_Bulk输入电容（4.7μF + 22μF×2），SWA/SWB/SWC的输出电感和电容（47μF×2），VLDO_1.8V/1.0V的输出电容（4.7μF），BOOT自举电容（0.1μF），I2C/I3C上拉电阻，VR_EN使能控制，PID地址选择，PWR_GOOD和GSI_n输出等。推荐电感值：SWA/SWB 0.47μH-0.68μH（需满足6A电流需求），SWC 1.0μH-1.5μH。

7. 引脚配置与功能描述

主要引脚包括：VINA/B/C（三路Buck输入）、SWA/B/C（开关节点）、BOOT_SWA/B/C（自举）、VIN（模拟电源）、AGND/PGND（地）、VR_EN（使能）、PID（地址选择）、SDA/SCL（I2C/I3C）、PWR_GOOD（电源正常指示）、GSI_n（中断输出）、SWA_FB_P/SWB_FB_P/SWC_FB_P（反馈）、VLDO_1.8V/1.0V（LDO输出）等。

8. 工作原理与设计指导

8.1 A²RCOT控制架构

CXDC65237采用A²RCOT（Accurate Adaptive Ramp Constant On-Time）控制架构，这是在传统COT（恒定导通时间）控制基础上的重大改进。通过内部产生自适应斜坡信号，A²RCOT实现了：① 使用低ESR陶瓷输出电容时依然保持稳定，无需外部补偿网络；② 反馈电压平均值精确跟踪参考电压，获得优异的负载调整率和线性调整率；③ 频率锁定环路实时监测开关频率并调整导通时间，确保在宽输入/负载范围内保持恒定频率。

在轻载条件下，芯片可配置为DEM（二极管仿真模式）以提升效率，或FCCM（强制连续导通模式）以获得更好的瞬态响应。两种模式的切换可通过I2C/I3C寄存器灵活配置。

8.2 超频操作支持

CXDC65237专为超频内存应用设计，SWA和SWB的输出电压范围扩展至2.2V（标准DDR5为1.1V），同时SWA持续电流高达6A（峰值7.5A）。通过I2C/I3C接口可实时调整输出电压，支持动态电压调节（DVS），为超频内存提供灵活的电压/电流配置能力。

8.3 I2C/I3C接口与可编程性

芯片支持I²C（最高1MHz）和I3C Basic（最高12.5MHz）双模通信。通过总线可编程实现：

• 输出电压：SWA/SWB 0.8V-2.2V（步进5mV，支持超频），SWC 1.5V-2.135V（步进5mV），VLDO_1.8V 1.7V-2.0V，VLDO_1.0V 0.9V-1.2V。
• 开关频率：750kHz、1MHz、1.25MHz、1.5MHz可配置。
• 工作模式：DEM或FCCM（各通道独立）。
• 软启/软停时间：1ms-14ms可配置。
• 保护阈值：OVP/UVP/OCP阈值可调。
• 上电/断电时序：3级时序可配置，各通道独立控制。

8.4 ADC监测

芯片内置8位ADC，可监测：VIN_Bulk电压、SWA/B/C输出电压、VLDO_1.8V/1.0V电压、SWA/B/C输出电流/功率、芯片温度。监测结果通过寄存器读取，可配置更新频率（1ms-8ms）。电流/功率监测精度典型值为±3 LSB（>0.5A时）。

8.5 保护与故障管理

CXDC65237提供全面的保护机制：

• VIN OVP：输入超过6V时触发，可配置是否关断所有通道。
• VIN UVLO：输入低于3.8V时关断，恢复后自动重启。
• 输出OVP：各通道独立监控，超过设定阈值（+5%至+12.5%）触发保护。
• 输出UVP：各通道独立监控，低于设定阈值（-5%至-12.5%）触发保护。
• OCP：逐周期谷值电流限制，防止过流损坏。
• OTP/OTW：过温保护（可配置阈值105°C-145°C）和过温预警（85°C-135°C）。
• HCW：高电流消耗警告，提前预警过流风险。
• PWR_GOOD：开漏输出，指示所有通道状态，支持输出/双向模式。
• GSI_n：通用中断输出，支持掩码和清除，便于系统级故障管理。
• 错误日志：非易失错误日志寄存器，记录故障历史。

8.6 MTP非易失存储

芯片内置32字节MTP非易失存储器，用于存储DIMM厂商的配置参数，包括输出电压、时序、阈值等。MTP支持密码保护读写，确保配置安全。上电后MTP数据自动加载到寄存器，实现无需外部MCU的独立配置。

9. 外部元件选型与布局建议

9.1 电感选择

• SWA（6A）：推荐0.47μH-0.68μH，DCR<10mΩ，饱和电流>8A（需满足6A持续电流需求）。
• SWB（4A）：推荐0.47μH-0.68μH，DCR<15mΩ，饱和电流>6A。
• SWC：推荐1.0μH-1.5μH，DCR<80mΩ，饱和电流>2A。

9.2 输入/输出电容

• VIN_Bulk：4.7μF（10V，0402）。
• VINA/B/C：22μF×2（10V，0603）。
• SWA/B/C输出：47μF×2（6.3V，0603）。
• VLDO_1.8V/1.0V：4.7μF（6.3V，0402）。
• BOOT：0.1μF（10V，0201）。

9.3 PCB布局

• 高电流路径（SWA 6A）走线需足够宽，最小化电阻和电感。
• 输入电容尽量靠近VINA/B/C引脚，改善滤波效果。
• SW节点面积最小化，降低EMI辐射。
• 敏感信号（反馈、I2C）远离SW节点。
• PGND连接至大面积地平面，多过孔散热。
• 差分走线反馈信号，远离噪声源。
• NC引脚（四角）建议接PGND以改善散热。

10. 热性能信息

最大功耗计算（T_A=25°C）：P_D(MAX) = (125°C - 25°C) / (41°C/W) = 2.44W

11. 订购信息与技术支持

CXDC65237采用WQFN-28L 3×4（FC）封装，无铅、RoHS合规。嘉泰姆电子提供工程样品、量产芯片及全面的技术支持，包括评估板、参考设计、I2C配置工具和FAE现场支持。