CXDR75157-QB 高精度汽车复位IC
OV/UV窗口检测 | 功能安全ASIL B | AEC-Q100 | WDFN-6L 1.5×1.5

产品版本：Rev 1.0 | 更新日期：2026年8月 | 型号：CXDR75157-QB | 封装：WDFN-6L 1.5×1.5（COL）

嘉泰姆电子（JTM-IC）推出的 CXDR75157-QB 是一款高精度、低静态电流的汽车复位IC，专为需要高可靠性和功能安全的汽车电子系统设计。该器件支持过压（OV）和欠压（UV）窗口电压检测，具有工厂预设的检测阈值和±0.25%的超高精度，无需外部电阻分压网络，极大地简化了系统设计并节省了PCB面积。

CXDR75157-QB提供0.5V至5V的宽检测电压范围（0.5V-1.1V以50mV步进，1.2V-5V以0.1V步进），并支持±4%、±5%、±7%、±9%的OV/UV保护阈值选项。芯片内置手动复位（MR）和电容器时间（CT）功能，提供灵活的系统复位控制。针对汽车功能安全应用，CXDR75157-QB集成了内置自检（BIST）安全机制，可有效提升系统潜在点故障指标（LPFM）评分。该器件已通过AEC-Q100 Grade 1认证，采用WDFN-6L 1.5×1.5（COL）小封装，是高级驾驶辅助系统（ADAS）、车身控制模块（BCM）和车载信息娱乐系统（IVI）等应用的理想选择。

1. 产品概述与市场定位

随着汽车电子系统向高集成度、高安全性和低功耗方向发展，系统对电源监控复位IC的要求也越来越高。CXDR75157-QB作为一款高精度汽车复位IC，集成了高精度窗口电压比较器、手动复位输入、可编程复位延迟定时器和内置自检（BIST）功能，为微处理器（µP）、DSP、SoC等核心器件提供可靠的电源监控和复位控制。

芯片采用工厂预设的精密电阻分压网络，无需外部电阻即可实现高精度的OV/UV检测，避免了外部电阻分压带来的精度误差和PCB面积开销。超低的3.5µA静态电流使其在汽车电池供电应用中具有显著优势。通过CT引脚可灵活配置复位恢复延迟时间（支持固定延迟和外部电容可编程延迟），满足不同系统上电时序需求。

CXDR75157-QR已通过AEC-Q100 Grade 1认证，工作温度范围-40°C至125°C，并集成BIST功能安全机制，可支持系统达到ASIL B功能安全等级。该芯片采用WDFN-6L 1.5×1.5（COL）超小封装，适用于ADAS、BCM、IVI、数字仪表盘和T-Box等严苛的汽车电子应用。

2. 主要特点与技术亮点

• 高精度窗口电压检测：内部集成精密电阻分压网络和高精度基准源，无需外部电阻即可实现OV/UV检测，典型精度±0.25%，全温范围±0.78%。
• 宽检测电压范围：支持0.5V至1.1V（50mV步进）和1.2V至5V（0.1V步进）的工厂预设检测阈值，覆盖大多数汽车电源轨。
• 灵活的OV/UV保护阈值：提供±4%、±5%、±7%、±9%四种窗口阈值选项，适应不同系统的电压容差要求。
• 超低功耗：典型静态电流仅3.5µA（1.7V-5.5V），适合持续监控的汽车电池应用。
• 可编程复位恢复延迟（CT）：CT引脚支持三种配置模式——悬空（固定短延迟）、接VDD（固定长延迟）和外接电容（用户可编程延迟），提供极大的设计灵活性。
• 手动复位输入（MR）：支持外部逻辑信号强制复位，可用于处理器看门狗或手动按键复位，内部集成100kΩ上拉电阻。
• 内置自检（BIST）：上电或MR释放后自动执行BIST（典型1ms），诊断内部OV/UV比较器功能，确保功能安全，提升LPFM评分。
• 灵活的输出类型：提供开漏（低有效）和推挽（高/低有效）两种输出类型，兼容多种系统复位接口。
• 锁定模式（Latch Mode）：当CT引脚拉低时，复位输出锁定在有效状态，需通过CT引脚施加>1.21V电压解锁，增强故障保持能力。

3. 技术参数与电气特性

4. 应用场景

• 高级驾驶辅助系统（ADAS）：为DSP、微控制器和SoC提供高精度电源监控。
• 车身控制模块（BCM）：为车身电子系统提供可靠的复位控制。
• 车载信息娱乐系统（IVI）：为信息娱乐处理器提供系统复位。
• 数字仪表盘：为仪表盘处理器提供精确的电压监测和复位。
• 远程信息处理盒（T-Box）：为车联网通信模块提供电源监控。

5. 功能框图

6. 典型应用电路

图2. CXDR75157-QB 典型应用电路（微处理器电源监控）

典型应用电路包括：VDD引脚连接系统电源（1.7V-5.5V），GND接地，SENSE引脚连接被监测的电压轨（建议并联10nF-100nF旁路电容），RESET/RESET引脚连接处理器的复位输入（开漏输出需外接上拉电阻），MR引脚连接手动复位按键或逻辑控制信号，CT引脚用于配置复位延迟（悬空、接VDD或外接电容）。

7. 引脚配置与功能描述

主要引脚包括：SENSE（电压检测输入）、VDD（电源输入）、CT（复位延迟编程）、RESET/RESET（复位输出）、GND（地）、MR（手动复位输入）。

8. 工作原理与设计指导

8.1 窗口电压检测（SENSE）

CXDR75157-QB内部集成精密电阻分压网络和高精度电压基准，通过内部窗口比较器实时监测SENSE引脚的电压。当SENSE电压超出预设的OV/UV窗口阈值时，RESET/RESET输出被立即断言（有效）。检测阈值和OV/UV窗口宽度均为工厂预设，无需外部电阻分压，确保了高精度和一致性。

8.2 复位恢复延迟（CT）

当SENSE电压回到窗口内（VTH(UV) < VSENSE < VTH(OV)）后，复位输出不会立即释放，而是经过一个复位恢复延迟时间（tD）。CXDR75157-QB提供三种CT引脚配置模式：

• CT悬空：使用工厂预设的较短延迟时间。
• CT接VDD（通过10kΩ电阻）：使用工厂预设的较长延迟时间。
• CT外接电容到地：延迟时间由外部电容值决定，提供灵活的可编程能力。

延迟时间计算公式：t_D(TYP)(ms) = 1.21(V) × C(nF) / 0.4(µA)

8.3 复位输出（RESET/RESET）

CXDR75157-QB提供开漏（低有效）和推挽（高/低有效）两种输出类型。开漏输出需外接上拉电阻（推荐10kΩ），推挽输出可直接驱动CMOS逻辑电路，无需外部元件。当检测到OV/UV故障、BIST失败或MR引脚被拉低时，复位输出被断言。

8.4 手动复位（MR）

MR引脚为低电平有效的手动复位输入，内部集成100kΩ上拉电阻。当MR被拉低时，复位输出被立即断言；当MR恢复高电平且SENSE电压在窗口内时，复位输出经过tD + tBIST延迟后释放（释放）。MR引脚悬空时，器件正常工作。

8.5 内置自检（BIST）

为支持功能安全（ASIL B），CXDR75157-QB集成了内置自检（BIST）功能。BIST在VDD上电超过UVLO阈值后或MR引脚从低电平释放后自动执行（典型持续时间1ms），用于诊断内部OV/UV比较器功能是否正常。若BIST失败，复位输出将被锁定在有效状态，确保系统安全。

8.6 锁定模式（Latch Mode）

当CT引脚被拉低到地时，CXDR75157-QB进入锁定模式。在此模式下，无论SENSE电压是否在窗口内，复位输出始终保持有效状态。要解除锁定，需在CT引脚上施加>1.21V的电压（通过分压电阻限流），复位输出将立即解除有效状态（无延迟）。

9. 外部元件选型与布局建议

9.1 外部元件

• VDD去耦电容：推荐0.1µF-1µF陶瓷电容（X7R或X7S），靠近VDD引脚放置。
• SENSE旁路电容：推荐10nF-100nF陶瓷电容（X7R或COG），靠近SENSE引脚放置，提高抗干扰能力。
• CT可编程电容：推荐使用X7R或COG陶瓷电容，电容值范围660pF-1µF，注意减小PCB寄生电容。
• RESET上拉电阻：开漏输出需外接上拉电阻（推荐10kΩ）至所需的上拉电压（最高5.5V）。

9.2 PCB布局

• SENSE走线尽量短而直，远离高频开关信号，避免耦合噪声影响检测精度。
• VDD、SENSE和CT引脚的旁路/编程电容尽量靠近对应引脚放置。
• 建议在CXDR75157-QB下方和周围布置完整的地平面，以提供良好的屏蔽和散热。
• 避免将器件放置在高频开关信号走线的正上方，最好通过地平面进行隔离。

10. 热性能信息

最大功耗计算（T_A=25°C）：P_D(MAX) = (125°C - 25°C) / (169.67°C/W) = 0.59W

11. 订购信息与技术支持

CXDR75157-QB采用WDFN-6L 1.5×1.5（COL）封装，无铅、RoHS合规，符合AEC-Q100 Grade 1。嘉泰姆电子提供工程样品、量产芯片及全面的技术支持，包括评估板、参考设计和FAE现场支持。