CXLB74238 15W 无线充电发射器 SoC | 集成BUCK | 64kB e-Flash | 多协议快充 - 嘉泰姆电子

CXLB74238 15W 无线充电发射器 SoC | 集成BUCK | 64kB e-Flash | 多协议快充 - 嘉泰姆电子

产品型号:CXLB74238
产品类型:无线充电IC
产品系列:无线充电IC 发射端
产品状态:量产
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产品简介

嘉泰姆电子(JTM-IC)推出的CXLB74238是一款高度集成的无线充电发射器系统级芯片(SoC),完全兼容 WPC Qi 规范 2.0 的基线功率协议(BPP)和扩展功率协议(EPP),最高支持15W 输出功率,并兼容多种主流私有快充协议。芯片内部集成 ARM Cortex M0 处理器(64kB e-Flash + 4kB SRAM)、高压 BUCK 转换器(3.5V~16V 宽输入)、三对 N-MOSFET 驱动器、4 通道 ASK 模拟前端(AFE)、16 通道 DSP 解调、低侧电流检测电路、10 位 ADC/DAC,可实现高性能异物检测(FOD)和 Q 值检测。支持 QC 2.0/3.0、USB PD、SCP、FCP 等多种快充适配器协议,自动与适配器握手以获得最佳输入电压。采用 6mm×6mm QFN48 封装,CXLB74238 为高端无线充电发射底座提供一站式高集成度解决方案。

技术参数

输出电压 (VOUT)3.5~16V
输出电流 (IOUT)15W
工作频率100kHz
转换效率95%
封装类型QFN48(6×6)
Iq1uA
Type无线充电发射端
Features异物检测/过温保护
Coil type单线圈/多线圈
Protection过压/过流/过热
ApplicationTX
Output power15W
CommunicationI2C/UART
Charge protocolQi/BPP/EPP

产品详细介绍

CXLB74238 高性能无线充电发射器 SoC
15W 输出 | Qi 2.0 BPP/EPP | 集成高压BUCK | 三对MOSFET驱动 | 64kB e-Flash

产品版本:Rev 1.0 | 更新日期:2026年5月 | 型号:CXLB74238

嘉泰姆电子(JTM-IC)推出的CXLB74238是一款高度集成的无线充电发射器系统级芯片(SoC),完全兼容 WPC Qi 规范 2.0 的基线功率协议(BPP)和扩展功率协议(EPP),最高支持15W 输出功率,并兼容多种主流私有快充协议。芯片内部集成 ARM Cortex M0 处理器(64kB e-Flash + 4kB SRAM)、高压 BUCK 转换器(3.5V~16V 宽输入)、三对 N-MOSFET 驱动器、4 通道 ASK 模拟前端(AFE)、16 通道 DSP 解调、低侧电流检测电路、10 位 ADC/DAC,可实现高性能异物检测(FOD)和 Q 值检测。支持 QC 2.0/3.0、USB PD、SCP、FCP 等多种快充适配器协议,自动与适配器握手以获得最佳输入电压。采用 6mm×6mm QFN48 封装,CXLB74238 为高端无线充电发射底座提供一站式高集成度解决方案。

核心优势: 15W EPP 兼容发射 + 集成高压 BUCK(降低高压输入功耗)+ 集成三对 NMOS 驱动 + 64kB e-Flash 大存储 + 16 通道 ASK 解调 + 低侧电流检测 + Q 值检测 + 多协议快充适配器。显著减少外围元件,加速产品上市。

1. 产品概述与市场定位

随着无线充电发射器向高集成度、小体积、高效率方向发展,传统方案需要外部降压电路、独立的栅极驱动器、复杂的 ASK 解调电路和多协议适配器芯片,导致 BOM 冗长、设计复杂。CXLB74238 应势而生:它在一颗芯片内集成了电源管理(高压 BUCK、3.3V/1.5V LDO)、全桥驱动(三对 NMOS 驱动,支持单线圈)、ASK 解调(4 通道 AFE + 16 通道 DSP)、低侧电流检测、10 位 ADC/DAC、高性能 PWM 发生器以及 64kB e-Flash 的 ARM M0 核心。该架构使得客户仅需极少的外围被动元件即可完成 15W EPP 无线充电发射器设计,同时保留充分的固件可编程性用于定制协议和算法。芯片支持低功耗睡眠模式(32kHz 振荡器)和看门狗唤醒,待机功耗极低。CXLB74238 是高端无线充电座、多合一充电板、车载无线充电等应用的理想选择。

2. 主要特点与技术亮点

  • 完备的 Qi 2.0 兼容性:符合 WPC Qi V2.0 BPP 和 EPP 规范,支持 5W/10W/15W 输出。
  • 宽输入电压范围:3.5V ~ 16V,支持直接连接 QC/PD 适配器或 USB VBUS。
  • 集成高压 BUCK 转换器:在高压输入(如 12V/15V)时内部降压供电,显著降低芯片及系统功耗,提高效率。
  • 集成三对 N-MOSFET 驱动器:直接驱动外部全桥 NMOS,无需外置驱动 IC;支持可编程死区时间控制。
  • 大容量存储:64kB e-Flash + 4kB SRAM,支持客户复杂协议栈和定制功能开发。
  • 多协议快充适配器支持:自动识别 QC 2.0/3.0、USB PD、SCP、FCP,请求最佳输入电压。
  • 强大的 ASK 解调能力:4 通道模拟前端(电压/电流模式) + 16 通道 DSP 解调,提供业界领先的抗干扰能力。
  • 高精度异物检测(FOD):低侧电流检测 + 10 位 ADC + 10 位 DAC,结合 Q 值检测,实现高精度功率校准和异物识别。
  • 灵活的 PWM 生成:2 个高性能 PWM 模块,每个模块 6 通道输出,支持可编程死区时间和相移控制,优化 EMI。
  • 硬件 FSK 调制:专用 FSK 硬件,支持可编程调制深度,满足 Qi 2.0 通信需求。
  • 低功耗设计:集成 32kHz 振荡器用于超低功耗睡眠模式,待机电流极低;看门狗支持睡眠监控和唤醒。
  • 丰富的外设接口:I²C、UART、SPI,双 VDD_IO 引脚支持不同 I/O 电平(1.8V/3.3V)。
  • 完备保护:OVP、OCP、UVP(欠压锁定)、OTP,输入欠压检测和锁定功能。
  • 封装:QFN48,6mm×6mm,外露散热焊盘,无卤素,RoHS 合规。

3. 引脚封装说明(占位图)

CXLB74238 采用 QFN48 封装(6mm×6mm,48 引脚),底部外露散热焊盘。主要引脚包括:高压输入 VIN(3.5V~16V)、BUCK 输出、三对 NMOS 栅极驱动输出(PWM_AH/AL, PWM_BH/BL, PWM_CH/CL)、ASK 解调输入(电压/电流采样)、I²C/SPI/UART 接口、GPIO、外部晶振输入等。完整引脚映射请参考数据手册。

图1. CXLB74238 QFN48 引脚封装图(顶视图)

[ 封装外形示意图 ] 详细引脚间距及尺寸请联系嘉泰姆电子获取。

4. 典型应用电路与内部框图占位

典型应用电路与内部框图
图2. CXLB74238 15W 无线充电发射典型应用电路(单线圈)

电路组成:输入快充适配器 → 芯片 VIN → 内部高压 BUCK 产生 VDD_System → 内部 LDO 产生 3.3V/1.5V → 三对 NMOS 驱动外置全桥 → 发射线圈及谐振电容。低侧电流检测电阻(5mΩ)串联在全桥公共端到地之间。ASK 解调通过电压分压(线圈电压)和电流互感器(或电阻)接入芯片。外围元件极少,参考设计可向 FAE 索取。

* 15W 发射参考设计(原理图/PCB/物料清单)可向嘉泰姆 FAE 申请。

图3. CXLB74238 内部功能方框图

内部集成:ARM Cortex M0(64kB e-Flash/4kB SRAM)、高压 BUCK 转换器、3.3V LDO、1.5V LDO、三对 NMOS 驱动器、4 通道 ASK AFE、16 通道 DSP 解调、低侧电流检测、10 位 ADC、10 位 DAC、2 个高性能 PWM 模块(各 6 通道)、FSK 调制器、32kHz 振荡器、60MHz 可编程振荡器、8-24MHz 晶振接口、440-660MHz PLL、I²C/UART/SPI、GPIO、看门狗、温度及保护电路。

5. 极限参数与电气特性(设计参考)

极限参数表 (Absolute Maximum Ratings)
符号 参数 最小值 最大值 单位
VIN_MAX 输入电源电压 -0.3 18 V
VDRV_MAX 栅极驱动器电源电压 -0.3 18 V
VIO_MAX I/O 引脚电压 -0.3 5.5 V
TJ 结温范围 -40 150
TSTG 存储温度 -55 150
ESD_HBM 人体模式静电等级 - ±2000 V
关键电气特性 (典型值,TA=25℃)
参数 条件 典型值 单位
输入电压范围 支持 QC/PD 调压 3.5 ~ 16 V
最大输出功率 EPP 模式 15 W
高压 BUCK 输出电压 可编程 5 / 5.5 / 6 / 6.5 V
系统效率(DC-AC) VIN=12V, POUT=15W ≥88 %
待机功耗(睡眠模式) 32kHz 时钟,无接收器 <30 mW
PWM 分辨率 高性能 PWM 模块 16 bits
PWM 频率范围 可编程 20k ~ 500k Hz
死区时间可编程范围 步进 4ns 0 ~ 1020 ns
ADC 分辨率/采样率 SAR 型 10 bits / 200k sps
ASK 解调通道 模拟前端 + DSP 4 + 16 -
低侧电流检测增益 可编程 10/20/40/80 V/V
e-Flash 寿命 擦写次数 100k cycles
过温保护阈值 关断/恢复 150 / 110

6. 工作原理与关键技术深度解析

6.1 高压 BUCK + 多级电源管理

CXLB74238 集成了高压降压转换器,可直接从 12V/15V 输入取电,降压至 5~6.5V(可编程)供内部系统和栅极驱动器使用。相比传统线性稳压方案,BUCK 转换器在高压差时效率提升 30% 以上,显著降低芯片温升。芯片内部还集成了 3.3V LDO(为 I/O 和模拟电路供电)和 1.5V LDO(为内核供电),实现单芯片完整电源树。

6.2 三对 NMOS 驱动器与灵活的 PWM 控制

芯片提供三对栅极驱动输出,可驱动外部全桥 NMOS(支持单线圈)。每个 PWM 模块支持 6 通道输出,可实现全桥、半桥或多相控制。可编程死区时间(4ns 步进)和相移控制有助于优化开关损耗和 EMI。对于 15W EPP 应用,通常使用 4 颗 NMOS 组成全桥,由 PWM1_AH/AL、PWM1_BH/BL 驱动。

6.3 16 通道 ASK 解调与超强抗干扰

接收器通过负载调制发送通信包。CXLB74238 集成了 4 个独立的 ASK 模拟前端(可连接线圈电压、电流互感器、低侧检测电阻等),并由 16 通道专用 DSP 并行处理,通过多通道数据融合判决,大幅提升低耦合系数和噪声环境下的解调成功率。

6.4 低侧电流检测 + 10 位 DAC 实现高精度 FOD

芯片在功率级公共端到地之间集成了低侧电流检测放大器(可编程增益),配合 10 位 ADC 精确测量输入电流。同时集成的 10 位 DAC 可生成参考阈值,实现快速过流保护。结合 Q 值检测(通过衰减振荡测量线圈 Q 值),系统可精确计算功率损耗并识别异物。

6.5 大容量 e-Flash 与固件定制

64kB e-Flash 为协议栈、私有充电策略、在线升级等提供充足空间。嘉泰姆电子提供参考固件和库函数,客户可轻松开发自定义功能(如 LED 指示、特殊 FOD 曲线、多协议切换等),并通过 SWD 接口调试。

关键公式:效率 η = POUT / PIN × 100%;FOD 损耗 Ploss = PIN - POUT;Q = ωL/R;BUCK 效率 = 输出电压×输出电流 / 输入功率。

7. 基于 CXLB74238 的 15W 无线充电发射器设计实例

设计目标:15W EPP 兼容发射器,支持 QC/PD 快充,单线圈,用于手机无线充电座。

  • 输入适配器:支持 QC3.0/PD 的 USB-C 适配器,芯片自动请求 12V 输入。
  • 全桥功率级:外置 4 颗 30V/12mΩ NMOS(如 AON7534),由芯片内部驱动器直接驱动;栅极串联电阻 10Ω。
  • BUCK 配置:BUCK 输出设置为 5.5V,为栅极驱动器和系统供电,电感 4.7μH,电容 22μF。
  • 低侧电流检测:全桥公共端串联 5mΩ 采样电阻(2512 封装),差分信号接入 CSP/CSN,增益设为 40V/V。
  • ASK 解调:线圈电压分压网络(100kΩ/1kΩ)接 ASK_V;电流互感器(1:100)接 ASK_I。
  • Q 值检测:外接 1MΩ 电阻和 15pF 电容至 QD 引脚。
  • 保护配置:通过 I²C 设置 OCP 阈值(2.2A),OVP 阈值(16V),UVP 阈值(4V)。

实测数据:输入 12V/1.45A,输出 15W(5V/3A 接收端),系统效率 88%~92%(取决于线圈耦合);待机功耗 <30mW;FOD 精度 ±0.3W;适配器握手时间 <150ms。

设计支持: 嘉泰姆电子提供 CXLB74238 评估板、参考固件(含 Qi 2.0 EPP 协议栈)、15W 参考设计(原理图/BOM/Gerber)以及定制开发支持。联系 FAE 获取。

8. PCB 布局专业建议(发射端)

  • 功率环路最小化:VIN 电容、全桥 MOSFET、谐振电容、线圈形成的环路面积应尽可能小,使用多边形敷铜。
  • 栅极驱动走线:PWM 输出到 MOSFET 栅极的走线尽量短(<10mm)、宽(>0.5mm),并远离 ASK 和电流检测走线。
  • 低侧电流检测走线:CSP/CSN 采用开尔文接法直接从采样电阻两端引出,差分走线且包地。
  • BUCK 转换器布局:输入电容、电感、输出电容应靠近芯片 SW 引脚,SW 节点走线尽量短以降低 EMI。
  • ASK 解调网络:电压分压电阻和 CT 次级负载电阻需靠近芯片,避免引入噪声。
  • 电源去耦:VIN、3.3V_LDO、1.5V_LDO 输出端需放置 10μF 和 0.1μF 陶瓷电容,紧邻芯片引脚。
  • 散热设计:QFN 底部散热焊盘需打过孔阵列(0.3mm 孔径)连接至地平面,辅助散热。高压输入铜皮应保证足够宽度。
  • 线圈布局:发射线圈下方禁止铺铜或走线,防止涡流损耗和 Q 值下降。

9. 订购信息与技术支持

CXLB74238 采用 QFN48 封装(6mm×6mm),工作温度 -40℃~85℃。嘉泰姆电子提供样品、量产及深度技术支持,包括参考设计、固件库、e-Flash 烧录服务和 FAE 现场支持。

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