
CXLD64422 500mA超低噪声LDO | 可调输出 | BP降噪 | SOT-23-6 - 嘉泰姆电子
| 产品型号: | CXLD64422 |
| 产品类型: | LDO线性稳压器 |
| 产品系列: | 线性稳压器单通道输出 |
| 产品状态: | 量产 |
| 浏览次数: | 4 次 |
产品简介
技术参数
| 输入电压范围 (VIN) | 2.2 - 5.5V |
|---|---|
| 输出电压 (VOUT) | 0.8~4.5V |
| 输出电流 (IOUT) | 500mA |
| 工作频率 | 1000kHz |
| 转换效率 | 95% |
| 封装类型 | SOT-23-6 |
| Dropout voltage | 370 @ 0.5A |
| Quiescent current | 90 |
| Psrr. | 60dB@1kHz |
| Noise | 30μVRMS |
| Protection | 过流/过温 |
| Features | Enable Input;Extra Low Noise;High PSRR;Low Dropout;OCP;Output Discharge;Stable with Ceramic Capacitor |
| Application | 线性稳压器单通道输出 |
| Temperature range | -40℃~125℃ |
| Output capacitor | Ceramic |
| Precision | ±1.5% |
| Bias Rail | Yes |
| Charge Pump | Yes |
| Output Adj. Method | Resistor |
产品详细介绍
CXLD64422 500mA超低噪声线性稳压器
可调输出 | 370mV压降@500mA | BP降噪 | SOT-23-6
产品版本:Rev 1.0 | 更新日期:2026年7月 | 型号:CXLD64422 | 封装:SOT-23-6
技术咨询:ouamo18@jtm-ic.com 或致电 13823140578 (嘉泰姆电子)
嘉泰姆电子(JTM-IC)推出的 CXLD64422 是一款专为便携式RF和无线应用设计的超低噪声线性稳压器,兼顾卓越性能与紧凑空间要求。芯片针对电池供电系统优化,提供超低输出噪声和低静态电流。输入电压范围 2.2V至5.5V,输出电压可通过外部电阻在 0.8V至5V 范围内任意编程,内部基准电压为 0.8V。在500mA负载下压降仅 370mV(典型值),静态电流低至 90μA,关断电流小于 0.01μA,延长电池寿命。芯片提供 BP(Bypass)引脚,外接电容可进一步降低输出噪声,满足射频敏感应用要求。采用 SOT-23-6 封装,是CDMA/GSM手机、电池供电设备、笔记本电脑、手持仪器及PCMCIA卡等应用的理想电源方案。
1. 产品概述与市场定位
在CDMA/GSM手机、无线局域网设备、蓝牙模块等RF和无线应用中,电源管理芯片需要同时满足多项严苛要求:极低的输出噪声以保障射频信号纯净度、快速的瞬态响应以应对射频发射时的大电流跳变、低静态电流以延长电池寿命,以及紧凑的封装尺寸以节省PCB面积。CXLD64422 作为一款 500mA超低噪声LDO,其核心优势在于 内置噪声抑制和BP引脚降噪——内部优化的设计配合BP引脚外接电容,可显著降低输出噪声,非常适合对噪声敏感的RF前端供电。同时,芯片的 超快瞬态响应 确保在负载突变时输出电压稳定, 90μA 的超低静态电流和 0.01μA 的关断电流有效延长便携设备的续航时间。
芯片的 可调输出电压(0.8V~5V) 通过外部电阻灵活设定,覆盖从低压核心电压到3.3V/5V系统电压的广泛应用场景。 TTL逻辑兼容使能控制 方便系统电源管理。仅需 1μF 低ESR陶瓷输出电容即可稳定工作。CXLD64422 采用 SOT-23-6 紧凑封装,是手机、无线设备、便携仪器及PCMCIA卡等空间敏感型应用的理想电源方案。
2. 主要特点与技术亮点
- 500mA输出电流:保证500mA连续输出能力,满足RF功放、基带处理器等高瞬态负载需求。
- 超低噪声(BP引脚降噪):内部优化设计配合BP引脚外接电容(典型22nF),可进一步降低输出噪声,适合射频敏感应用。
- 超快瞬态响应:优化的内部反馈环路,在负载/线瞬态时快速响应,输出电压跌落最小化。
- 低压降:500mA负载下压降仅370mV(典型值),允许在更低输入电压下维持调节。
- 超低静态电流:典型值仅90μA,显著延长电池供电设备的续航时间。
- 超低关断电流:关断模式下静态电流<0.01μA,几乎不消耗电池能量。
- 可调输出电压:通过外部电阻分压,输出电压可在0.8V至5V范围内任意设定(VREF=0.8V)。
- 宽输入电压范围:2.2V至5.5V,兼容多种系统电源。
- 低ESR陶瓷电容稳定:仅需1μF输出电容即可稳定工作,降低BOM成本和PCB面积。
- 完善保护:过流保护(0.65A典型值)、热关断保护(165°C触发,30°C迟滞)。
- SOT-23-6封装:紧凑型封装,适合空间受限设计。
3. 典型应用电路
CXLD64422 的典型应用电路包括:输入电容(CIN,2.2μF陶瓷),输出电容(COUT,1μF陶瓷),BP引脚外接电容(CBP,22nF陶瓷),反馈电阻分压(R1/R2)设定输出电压,EN引脚接使能信号(高电平使能,低电平关断)。VIN接输入电源(2.2V~5.5V),VOUT输出可调电压,ADJ为反馈输入端。

图1. 典型应用电路(可调输出LDO)
图2. CXLD64422 内部功能方框图
内部集成:P-MOSFET调整管、高精度基准源(0.8V)、误差放大器、使能逻辑、BP噪声抑制、过流保护、热关断保护等。
4. 极限参数与电气特性(设计参考)
| 符号 | 参数 | 最小值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| VIN | 输入电压 | -0.3 | 6 | V |
| EN, ADJ, VOUT | 其他引脚 | -0.3 | 6 | V |
| PD | 功耗(TA=25°C) | — | 0.48 | W |
| θJA | 热阻(SOT-23-6) | — | 208.2 | °C/W |
| TJ | 结温范围 | -40 | 150 | °C |
| TSTG | 存储温度 | -65 | 150 | °C |
| ESD (HBM) | 人体模型 | — | 2 | kV |
| 参数 | 最小值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| VIN 输入电压 | 2.2 | 5.5 | V |
| 环境温度 | -40 | 85 | °C |
| 结温 | -40 | 125 | °C |
| 参数 | 条件 | 典型值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 输入电压范围 | — | 2.2 – 5.5 | V |
| ADJ参考电压 | VIN=5V, IOUT=100mA | 0.800 | V |
| 参考电压精度 | — | ±1.5 | % |
| 静态电流 | IOUT=0mA | 90 | μA |
| 关断电流 | EN=GND | 0.01 | μA |
| 压降电压 | IOUT=500mA | 370 | mV |
| 线调整率 | VIN=(VOUT+1V)~5.5V, IOUT=1mA | 0.3 | % |
| 负载调整率 | 1mA < IOUT < 500mA | 0.6 | % |
| 电流限制 | — | 650 | mA |
| EN高电平阈值 | — | 1.2 | V |
| EN低电平阈值 | — | 0.4 | V |
| EN引脚偏置电流 | — | 0 | nA |
| 热关断温度 | — | 165 | °C |
| 热关断迟滞 | — | 30 | °C |
| 推荐输出电容 | 陶瓷(ESR>5mΩ) | ≥1 | μF |
| 推荐BP电容 | 陶瓷 | 22 | nF |
5. 工作原理与设计指导
5.1 工作原理
CXLD64422 是一款低压差线性稳压器,专为RF和无线应用中的低噪声、高PSRR需求设计。内部采用P-MOSFET调整管,电流能力高达500mA。正常工作时,误差放大器调节功率MOSFET的栅极电压,使ADJ引脚电压等于内部 0.8V 基准电压。输出电流通过内部检测晶体管监测,当短路发生时电流限制功能将输出电流限制在设计值内。此外,当结温超过165°C时,P-MOSFET关断,温度降至135°C后自动恢复。
5.2 输出电压设定
输出电压通过外部电阻分压设定,内部基准电压为 0.8V。输出电压计算公式:
VOUT = 0.8V × (1 + R1/R2)
其中R1连接VOUT至ADJ,R2连接ADJ至GND。建议R1和R2取值适当以平衡功耗和噪声性能。
5.3 BP引脚与低噪声
在BP引脚与GND之间连接电容(典型 22nF)可显著降低输出噪声。BP引脚与内部带隙基准之间形成低通滤波器,有效滤除带隙噪声。该电容应尽量靠近芯片放置,PCB走线尽量短。BP引脚的直流漏电流会影响输出噪声和电压调节性能,建议使用低漏电陶瓷电容。
5.4 使能控制
EN引脚为TTL逻辑兼容输入,高电平(>1.2V)使能芯片,低电平(<0.4V)进入关断模式(关断电流<0.01μA)。EN引脚内部高阻抗,悬空时建议外接100kΩ下拉电阻至GND。若不需要关断功能,可将EN直接连接至VIN。
5.5 保护机制
- 过流保护:内部独立限流器监测输出电流,限制电流至0.65A(典型值),输出可短路至地而不会损坏。
- 热关断保护:结温超过165°C时关断P-MOSFET,温度下降约30°C后自动恢复。
6. 基于 CXLD64422 的蓝牙模块电源设计实例
设计目标:一款蓝牙音频模块,需要为蓝牙SoC提供3.3V/200mA电源,输入来自锂离子电池(3.0V~4.2V)。要求低噪声以避免干扰射频接收灵敏度,低静态电流以延长待机时间,超小封装以节省PCB面积。
- 型号选择:选用 CXLD64422(可调版本),输入电压范围3.0V~4.2V,目标VOUT=3.3V。
- 反馈电阻计算:VREF=0.8V,VOUT=3.3V,取R2=10kΩ,则R1 = (3.3/0.8 - 1)×10k = 31.25kΩ,选用31.6kΩ标准值。
- 电容选择:CIN=2.2μF陶瓷,COUT=1μF陶瓷(ESR>5mΩ),CBP=22nF陶瓷(低噪声)。
- 功耗计算:PD = (4.2-3.3)V × 200mA = 0.18W。SOT-23-6封装θJA=208.2°C/W,温升≈37.5°C,在85°C环境温度下结温≈123°C,在125°C建议上限内。
- 噪声性能:BP引脚外接22nF电容,输出噪声显著降低,满足蓝牙接收灵敏度要求。
- PCB布局:BP电容靠近BP引脚,反馈电阻靠近ADJ,输入/输出电容靠近对应引脚。
7. PCB 布局建议
- BP电容就近放置:CBP(22nF)应尽可能靠近BP和GND引脚,走线尽量短,以最大化噪声抑制效果。
- 输入/输出电容就近放置:CIN(≥2.2μF)和COUT(≥1μF)应尽可能靠近VIN/VOUT和GND引脚,走线短、宽。输入电容必须放置在距离器件输入引脚1cm以内。
- 反馈电阻靠近ADJ:R1/R2紧靠ADJ引脚放置,ADJ走线尽量短,避免噪声耦合。
- EN走线:EN为CMOS逻辑输入,走线可稍长,但应避免与高噪声线路并行。若EN悬空,需外接100kΩ下拉电阻至GND。
- 地线设计:GND引脚连接至大面积地平面,以增强散热和降低地阻抗。
- 散热考虑:SOT-23-6封装θJA=208.2°C/W,最大功耗0.48W(TA=25°C)。在500mA大电流应用中,需确保功耗在允许范围内,必要时增加PCB铜箔面积散热,确保结温不超过125°C。
- 电容类型:推荐使用X7R或X5R介质的陶瓷电容,输出电容ESR需>5mΩ以确保稳定性。
8. 引脚封装图与订购信息
图3. CXLD64422 引脚封装图(SOT-23-6)
6引脚SOT-23封装,引脚间距0.95mm。封装尺寸:2.90mm×1.60mm×1.10mm(最大)。
CXLD64422 采用 SOT-23-6 封装,无铅、RoHS 合规。芯片为可调输出电压版本(VREF=0.8V,输出范围0.8V~5V)。嘉泰姆电子提供工程样品、量产芯片及全面的技术支持,包括评估板、参考设计和 FAE 现场支持。
技术邮件: ouamo18@jtm-ic.com | 技术热线: 13823140578

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