
CXLD64425 36V低静态电流LDO | 25μA IQ | 250mA | SOT-23-3 - 嘉泰姆电子
| 产品型号: | CXLD64425 |
| 产品类型: | LDO线性稳压器 |
| 产品系列: | 线性稳压器单通道输出 |
| 产品状态: | 量产 |
| 浏览次数: | 7 次 |
产品简介
技术参数
| 输入电压范围 (VIN) | 2.5 - 6V |
|---|---|
| 输出电压 (VOUT) | 1.2~3.3V |
| 输出电流 (IOUT) | 250mA |
| 工作频率 | 1000kHz |
| 转换效率 | 95% |
| 封装类型 | SOT-23 |
| Dropout voltage | 400 @ 0.2A |
| Quiescent current | 25 |
| Psrr. | 60dB@1kHz |
| Noise | 30μVRMS |
| Protection | 过流/过温 |
| Features | Low Dropout;Output Discharge;Stable with Ceramic Capacitor |
| Application | 线性稳压器单通道输出 |
| Temperature range | -40℃~125℃ |
| Output capacitor | Ceramic |
| Precision | ±2% |
| Bias Rail | Yes |
| Charge Pump | Yes |
| Output Adj. Method | Fixed |
产品详细介绍
CXLD64425 36V低静态电流LDO
25μA IQ | 250mA输出 | 固定输出电压 | SOT-23-3
产品版本:Rev 1.0 | 更新日期:2026年7月 | 型号:CXLD64425 | 封装:SOT-23-3
技术咨询:ouamo18@jtm-ic.com 或致电 13823140578 (嘉泰姆电子)
嘉泰姆电子(JTM-IC)推出的 CXLD64425 是一款低压差线性稳压器,兼具高输入电压、低静态电流、低压差和紧凑封装等优势。输入电压范围 2.5V至6V,输出电流高达 250mA,提供 1.2V、1.5V、1.8V、2.5V、3.3V 固定输出电压选项。静态电流低至 25μA,适合电池供电设备,有效延长续航时间。芯片在全输入电压范围和全负载电流范围内均能稳定工作,支持陶瓷或钽输出电容,输出精度 ±2%。集成 过流保护 和 过温保护,采用 SOT-23-3 封装,是便携设备、超低功耗微控制器及电池供电系统的理想电源方案。
1. 产品概述与市场定位
在便携设备、电池供电系统、超低功耗微控制器及工业控制等应用中,对电源管理芯片的要求日益严苛——既要承受一定的输入电压范围,又要保持较低的自身功耗以延长电池寿命。CXLD64425 作为一款 低静态电流线性稳压器,其核心优势在于 25μA低静态电流和6V输入电压——可直接从5V系统电源或单节锂离子电池(最高4.4V)取电,自身消耗电流仅25μA,有效延长设备续航时间。
芯片提供 1.2V、1.5V、1.8V、2.5V、3.3V 五种固定输出电压选项,覆盖从低压核心电压到3.3V系统电压的广泛应用场景。 ±2% 的输出精度确保为敏感负载提供稳定电源。 支持陶瓷或钽电容 的设计提供了灵活的电容选择。CXLD64425 采用 SOT-23-3 紧凑封装,是便携设备、电池供电系统及超低功耗微控制器等应用的理想电源方案。
2. 主要特点与技术亮点
- 6V输入电压:输入电压范围2.5V~6V,兼容5V系统电源及单节锂离子电池供电。
- 25μA低静态电流:较低的自身功耗,适合电池供电和待机应用,有效延长设备续航时间。
- 250mA输出电流:满足超低功耗微控制器、传感器、RTC等负载需求。
- 固定输出电压选项:提供1.2V、1.5V、1.8V、2.5V、3.3V五种固定输出,无需外部反馈电阻,设计简洁。
- 高输出精度:±2%输出精度(含负载、线性和温度变化),为敏感负载提供稳定电源。
- 低压差:200mA负载下压降仅0.4V(VOUT≥3V),在低输入电压下仍能保持正常调节。
- 稳定于陶瓷或钽电容:兼容多种输出电容类型,设计灵活。
- 完善保护:过流保护(电流限制典型值400mA)、过温保护(150°C触发,20°C迟滞)。
- SOT-23-3封装:紧凑型封装,适合空间受限设计。
3. 典型应用电路
CXLD64425 的典型应用电路非常简洁:输入电容(CIN,1μF陶瓷),输出电容(COUT,≥1μF陶瓷或钽电容)。VCC接输入电源(2.5V~6V),VOUT输出固定电压,GND接地。无需外部反馈电阻和使能引脚。

图1. 典型应用电路(固定输出LDO)
图2. CXLD64425 内部功能方框图
内部集成:P-MOSFET调整管、高精度基准源、误差放大器、内部固定电阻分压网络、过流保护、过温保护等。
4. 极限参数与电气特性(设计参考)
| 符号 | 参数 | 最小值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| VCC | 输入电压 | -0.3 | 7 | V |
| VOUT | 输出电压 | -0.3 | 7 | V |
| PD | 功耗(TA=25°C) | — | 0.41 | W |
| θJA | 热阻(SOT-23-3) | — | 243.3 | °C/W |
| TJ | 结温范围 | -40 | 150 | °C |
| TSTG | 存储温度 | -65 | 150 | °C |
| ESD (HBM) | 人体模型 | — | 2 | kV |
| 参数 | 最小值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| VCC 输入电压 | 2.5 | 6 | V |
| 环境温度 | -40 | 85 | °C |
| 结温 | -40 | 125 | °C |
| 参数 | 条件 | 典型值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 输入电压范围 | — | 2.5 – 6 | V |
| 输出电压精度 | IOUT=1mA | ±2 | % |
| 静态电流 | IOUT=20mA | 25 | μA |
| 压降电压(VOUT≥3V) | IOUT=200mA | 0.4 | V |
| 压降电压(VOUT<3V) | IOUT=100mA | 0.3 | V |
| 线调整率(VOUT>1.8V) | IOUT=1mA | 0.6 | % |
| 线调整率(VOUT≤1.8V) | IOUT=1mA | 0.6 | % |
| 负载调整率 | 10mA |
0.6~1.0 | % |
| 电流限制 | — | 400 | mA |
| PSRR(100Hz) | IOUT=50mA | 70 | dB |
| PSRR(10kHz) | IOUT=50mA | 40 | dB |
| OTP触发温度 | — | 150 | °C |
| OTP迟滞 | — | 20 | °C |
| 推荐输出电容 | 有效容量≥1μF | — | — |
5. 工作原理与设计指导
5.1 工作原理
CXLD64425 是一款低压差线性稳压器,专为低外部元件系统设计。内部P-MOSFET输出晶体管提供低导通电阻,实现低压差工作。误差放大器将内部基准电压与内部电阻分压网络的反馈电压进行比较,控制P-MOSFET的栅极电压,从而在输出端实现良好的线性调整率和负载调整率。最低输出电容要求为 1μF 有效电容(考虑温度和电压系数)。
5.2 固定输出电压
芯片内部集成了高精度电阻分压网络,无需外部反馈电阻即可提供 1.2V、1.5V、1.8V、2.5V、3.3V 五种固定输出电压。用户根据应用需求选择相应型号,简化设计,降低BOM成本。
5.3 电容选择
输入电容:建议使用 ≥1μF 陶瓷电容(X7R/X5R),并尽量靠近VCC和GND引脚放置。
输出电容:可使用陶瓷或钽电容,有效容量 ≥1μF,ESR ≥1mΩ。推荐使用X7R或X5R介质的陶瓷电容,确保有效容量在全温度范围内满足要求。增大输出电容可改善瞬态响应和PSRR。
5.4 保护机制
- 过流保护:通过内部检测晶体管监测输出电流,过载或短路时限制电流(典型值400mA),防止芯片损坏。
- 过温保护:结温超过150°C时关断P-MOSFET,温度下降约20°C后自动恢复。
6. 基于 CXLD64425 的便携设备电源设计实例
设计目标:一款便携式传感器设备,需要为MCU和传感器提供3.3V/100mA电源,输入来自单节锂离子电池(3.0V~4.4V)。要求低静态电流以延长电池寿命,SOT-23-3小封装以节省PCB面积。
- 型号选择:选用 CXLD64425-3.3(固定3.3V输出),输入电压范围3.0V~4.4V。
- 电容选择:CIN=1μF陶瓷(X7R),COUT=1μF陶瓷(X7R)。
- 功耗计算:PD(max) = (4.4-3.3)V × 100mA = 0.11W。SOT-23-3封装θJA=243.3°C/W,温升≈27°C,在85°C环境温度下结温≈112°C,在125°C建议上限内,安全。
- 低功耗优势:25μA静态电流在待机时功耗极低,延长电池寿命。
- PCB布局:输入/输出电容靠近引脚,GND连接至大面积地平面。
7. PCB 布局建议
- 输入/输出电容就近放置:CIN(≥1μF)和COUT(≥1μF)应尽可能靠近VCC/VOUT和GND引脚,减小寄生电感。
- 地线设计:GND引脚连接至大面积地平面,以增强散热和降低地阻抗。
- 功率走线:VCC、VOUT和GND为电流路径,走线应宽短,减小压降。
- 散热考虑:SOT-23-3封装θJA=243.3°C/W,最大功耗0.41W(TA=25°C)。在250mA大电流应用中,需确保功耗在允许范围内,必要时增加PCB铜箔面积散热,确保结温不超过125°C。
- 电容类型:推荐使用X7R或X5R介质的陶瓷电容,确保有效容量在全温度范围内满足要求。
8. 引脚封装图与订购信息
图3. CXLD64425 引脚封装图(SOT-23-3)
3引脚SOT-23封装,引脚间距1.9mm。封装尺寸:2.92mm×1.60mm×1.10mm(最大)。
CXLD64425 采用 SOT-23-3 紧凑封装,无铅、RoHS 合规。提供1.2V、1.5V、1.8V、2.5V、3.3V五种固定输出电压选项,请根据实际需求选择对应型号。嘉泰姆电子提供工程样品、量产芯片及全面的技术支持,包括评估板、参考设计和 FAE 现场支持。
技术邮件: ouamo18@jtm-ic.com | 技术热线: 13823140578

中文
English

用户评论