CXLD64438 / CXLD64438A 微功率低压差LDO稳压器
200mA/500mA输出 | 2.7V-7V输入 | 80uA静态电流 | 关断功能

产品版本：Rev 1.0 | 更新日期：2026年7月 | 型号：CXLD64438 / CXLD64438A | 封装：SOT-23-5 / SOP-8

嘉泰姆电子（JTM-IC）推出的 CXLD64438 / CXLD64438A 是一款低压差、微功耗线性稳压器，专为便携式电池供电设备设计。该器件提供 200mA（CXLD64438） 和 500mA（CXLD64438A） 两种输出电流选项，输入电压范围 2.7V 至 7V，输出电压可在 1.5V 至 5.0V 范围内以 100mV 步进选择（出厂预设），精度高达 +/-2%。CXLD64438/A 采用 内部 PMOS 调整管，在重载和压差条件下不会增加额外的 GND 电流，静态电流典型值仅 80uA，关断模式下几乎为零功耗（<1uA）。器件内置 电流限制 和 过温保护，输出稳定于 低 ESR 陶瓷电容（>=1uF），非常适合手机、笔记本电脑、手持设备等电池供电应用。提供 SOT-23-5 和 SOP-8 两种封装，满足不同散热和布板需求。

1. 产品概述与市场定位

在便携式设备、电池供电仪器和手持终端中，电源管理芯片需要兼顾 低功耗、低压差 和 小型化。CXLD64438/A 系列 LDO 专为此类应用设计，其 80uA 的典型静态电流 和 关断模式下低于 1uA 的功耗，可显著延长电池待机时间。器件支持 2.7V 至 7V 的宽输入电压，兼容单节锂离子电池（3.6V~4.2V）、USB 电源（5V）以及 6V/7V 适配器。输出固定电压范围 1.5V~5.0V（100mV 步进），可满足 1.8V、2.5V、3.3V、5.0V 等常见系统轨的需求。

CXLD64438/A 采用 PMOS 传输管，与 PNP 型 LDO 相比，无需基极驱动电流，在重载和压差下 GND 电流几乎恒定，提高了效率。内部 电流限制 和 过热关断 提供完善的故障保护，输出可短路接地而不损坏器件。CXLD64438 和 CXLD64438A 的区别仅在于最大输出电流（200mA vs 500mA），其他特性一致，设计时可根据负载需求灵活选择。

2. 主要特点与技术亮点

• 双电流等级：CXLD64438 提供 200mA 输出，CXLD64438A 提供 500mA 输出，可根据实际负载选择，避免过大封装或成本浪费。
• 超低静态电流：典型值 80uA，关断模式 <1uA，非常适合电池供电的间歇工作设备。
• 宽输入电压范围：2.7V~7V，兼容多种电源，输入耐压 8V（绝对最大），提供充足裕量。
• 高精度输出：输出电压精度 +/-2%，负载调整率和线性调整率优异，保证系统稳定性。
• 稳定于低 ESR 电容：支持 >=1uF 陶瓷输出电容，无需大容量钽电容，节省空间和成本。
• 低压差：200mA 负载时压差典型 220mV，500mA 负载时典型 600mV，适合低压降应用。
• 关断功能：EN 引脚高电平使能，低电平关断，方便系统级电源管理。
• 内置保护：电流限制（300mA / 700mA 典型）和过温关断（155C），输出短路保护。
• 多种封装：SOT-23-5 和 SOP-8，后者提供更好的散热能力，适合 500mA 版本或大压差应用。

3. 引脚配置与功能描述

注：SOP-8 封装引脚 4~7 为 NC，引脚 8 为 VOUT，其他相同。

4. 电气特性（设计参考）

5. 典型应用电路

CXLD64438/A 典型应用仅需输入和输出电容。EN 引脚由逻辑信号控制，若不需要关断功能可直接接 VIN。

图2. CXLD64438 / CXLD64438A 典型应用电路

注：输出电容有效容值需在目标电压和温度下保持稳定，低温下建议使用2.2uF或更大。

6. 工作原理与设计指导

6.1 使能与关断

EN 引脚高电平（>2.2V）使能器件，低电平（<0.4V）关断。关断时输出放电至零，静态电流降至 <1uA。EN 不可悬空，若不使用可接 VIN。逻辑信号源应能提供足够的电压摆幅。

6.2 压差电压

压差定义为 VIN - VOUT 在输出电压下降 100mV 时的值。CXLD64438/A 采用 PMOS 调整管，压差与负载电流近似线性，由 RDS(ON) 决定。典型 RDS(ON) 约 1.1ohm（VOUT>=3V），因此 200mA 时压差约 220mV，500mA 时约 600mV。

6.3 输出电容与稳定性

CXLD64438/A 专为低 ESR 陶瓷电容设计，输出端 >=1uF（ESR > 5mohm）即可稳定。推荐使用 X5R/X7R 材质，避免 Y5V 类（容值随电压和温度变化大）。在低温环境（< -10C）或大负载突变时，建议使用 2.2uF 或更大容量以保证稳定性。

6.4 反向电流保护

内部 PMOS 体二极管在 VOUT > VIN 时可能导通，产生反向电流。若应用可能出现输出高于输入（如电池反接或输入瞬态跌落），建议在 VIN 与 VOUT 之间并联肖特基二极管，限制体二极管压降 <0.3V，防止器件损坏。

6.5 电流限制与过温保护

CXLD64438 限流典型值 300mA，CXLD64438A 为 700mA。过温关断阈值 155C，恢复迟滞约 10C。在输出短路或过载时，器件会进入限流或热关断模式，不会损坏。但应避免长期在热关断或超过 125C 结温下工作。

6.6 热设计

最大功耗 P_D(MAX) = (T_J(MAX) - T_A) / thet_JA，T_J(MAX)=125C。SOT-23-5 thet_JA=250C/W，25C时 P_D=0.4W；SOP-8 thet_JA=160C/W，25C时 P_D=0.625W。实际功耗 = (VIN - VOUT) x IOUT，需确保结温不超过125C。SOP-8 封装更适合 500mA 或大压差应用。

7. 应用信息与设计指导

7.1 电容选型与布局

• 输入电容应靠近 VIN 引脚，距离不超过 0.5 英寸，返回 GND 使用模拟地。
• 输出电容同样靠近 VOUT 引脚，返回干净模拟地。
• 低 ESR 陶瓷电容可提供最佳 PSRR 和瞬态响应。钽电容也可用，但需注意其浪涌电流能力。

7.2 负载瞬态响应

负载变化时输出电压会出现瞬态尖峰，尖峰幅度与 ESR 和输出电容值相关。增大输出电容并降低 ESR 可减小过冲。典型应用中，0~50mA 阶跃响应尖峰为数十毫伏。

7.3 PCB 布局建议

• 输入输出电容尽量靠近 IC，走线宽而短。
• GND 引脚通过大面积铜箔或接地平面连接，以改善散热。
• EN 信号走线远离功率路径，避免噪声耦合。
• SOP-8 封装可利用其多引脚提供额外散热，建议将未用引脚（NC）也连接至地平面以增强散热。

8. 订购信息与技术支持

CXLD64438 / CXLD64438A 提供 SOT-23-5 和 SOP-8 封装，输出电压 1.5V~5.0V（100mV 步进），可定制非标电压（请联系销售）。产品符合 RoHS 和 J-STD-020 标准。嘉泰姆电子提供工程样品、评估板、参考设计及 FAE 技术支持，助力客户快速完成低功耗电源设计。