
CXLD64456A-QA 1A超低压差LDO稳压器 | AEC-Q100 | 0.8V输入 | 可编程软启动 | PGOOD - 嘉泰姆电子
| 产品型号: | CXLD64456A-QA |
| 产品类型: | LDO线性稳压器 |
| 产品系列: | 线性稳压器单通道输出 |
| 产品状态: | 量产 |
| 浏览次数: | 10 次 |
产品简介
技术参数
| 输入电压范围 (VIN) | 0.8 - 5.5V |
|---|---|
| 输出电压 (VOUT) | 0.8~3.6V |
| 输出电流 (IOUT) | 1000mA |
| 工作频率 | 1000kHz |
| 转换效率 | 95% |
| 封装类型 | WDFN3x3-10 |
| Dropout voltage | 50 @ 1A |
| Quiescent current | 3000 |
| Psrr. | 60dB@1kHz |
| Noise | 30μVRMS |
| Protection | 过流/过温 |
| Features | Enable Input;Low Dropout;OCP;Power Good;Stable with Ceramic Capacitor |
| Application | 线性稳压器单通道输出 |
| Temperature range | -40℃~125℃ |
| Output capacitor | Ceramic |
| Precision | ±2% |
| Bias Rail | Yes |
| Charge Pump | No |
| Output Adj. Method | Resistor |
产品详细介绍
CXLD64456A-QA 1A超低压差LDO稳压器
0.8V-5.5V输入 | VBIAS 2.7V-5.5V | 可编程软启动 | AEC-Q100 Grade 1
产品版本:Rev 1.0 | 更新日期:2026年7月 | 型号:CXLD64456A-QA | 封装:WDFN-10L 3x3
技术咨询:ouamo18@jtm-ic.com 或致电 13823140578 (嘉泰姆电子)
嘉泰姆电子(JTM-IC)推出的 CXLD64456A-QA 是一款超低压差线性稳压器,符合 AEC-Q100 Grade 1 车规级标准,可从低至 0.8V 的输入电压工作,提供高达 1A 的输出电流,典型压差仅 50mV。器件需要 VBIAS(2.7V-5.5V) 为内部控制和基准供电,而输出电流直接来自 VIN 输入,实现高效率调节。用户可编程的 软启动 限制启动浪涌电流,使能(EN) 和 功率良好(PGOOD) 引脚方便系统级时序控制。CXLD64456A-QA 输出电压范围 0.8V 至 3.6V,精度 ±1%,适用于汽车电子、服务器、FPGA/DSP 核心供电、工业仪表及后级调节等应用。采用 WDFN-10L 3x3mm 封装,推荐工作结温范围 -40°C~125°C。
1. 产品概述与市场定位
在汽车电子(ADAS、信息娱乐、雷达)、高性能服务器、FPGA 和 DSP 核心供电中,电源轨需要大电流、低压差和低噪声,同时必须满足 AEC-Q100 车规可靠性要求。CXLD64456A-QA 凭借 1A 输出能力 和 50mV 超低压差,可在输入电压接近输出电压时仍保持高效稳压,特别适合 1.8V/1.2V/0.9V 等低压轨 的后级调节。器件通过 AEC-Q100 Grade 1 认证,确保在 -40°C~125°C 结温范围内稳定工作,满足汽车应用的严苛环境。内置 可编程软启动 有效抑制启动浪涌;PGOOD 指示 方便系统监控;过流和过温保护 确保安全。CXLD64456A-QA 是替代 DC-DC 转换器的理想选择,在简化设计的同时保持高效率,适用于汽车电子、服务器、工业控制等高性能应用。
2. 主要特点与技术亮点
- 车规级认证:通过 AEC-Q100 Grade 1 认证,结温范围 -40°C~125°C,适用于汽车摄像头、雷达、信息娱乐等严苛环境。
- 超低输入电压(VIN):低至 0.8V,兼容低压电源轨,适用于 1V 以下核心电压应用。
- 独立 VBIAS 供电:内部电路由 VBIAS 供电,输出电流来自 VIN,提高效率,允许超低压差。
- 可编程软启动:外部电容设定启动斜率,限制浪涌电流,减少输入电源应力。
- 功率良好指示(PGOOD):开漏输出,指示 VOUT 是否处于稳压状态,方便多级电源时序控制。
- 宽输出电压范围:0.8V 至 3.6V 可调,通过外部电阻分压设定。
- 稳定于任何 ≥2.2μF 输出电容:兼容各类陶瓷电容,设计灵活。
- 全面保护:过流折返保护(限流约 1.2A),过温关断(165°C 关断,140°C 恢复)。
- 小型封装:WDFN-10L 3x3mm,适合高密度 PCB 布局。
3. 引脚配置与功能描述
图1. CXLD64456A-QA 引脚封装图(WDFN-10L 3x3)
(此处预留封装外形及引脚排列示意图位置,编辑时可替换为实际封装图纸)
引脚 1,2=VIN,3=PGOOD,4=VBIAS,5=EN,6=EP(GND),7=SS,8=FB,9,10=VOUT
| 引脚号 | 名称 | 功能描述 |
|---|---|---|
| 1, 2 | VIN | 功率输入(0.8V~5.5V),需靠近放置 ≥1μF 陶瓷电容。 |
| 3 | PGOOD | 功率良好指示,开漏输出,需外接上拉电阻(10kΩ~1MΩ)至 ≤5.5V 电源。 |
| 4 | VBIAS | 内部控制电路偏置输入(2.7V~5.5V),需靠近放置 ≥0.1μF 电容。 |
| 5 | EN | 使能(高有效),低于0.4V关断,高于1.1V开启,可接VIN或VBIAS。 |
| 6 (EP) | GND | 地,散热焊盘需焊接至大面积地平面。 |
| 7 | SS | 软启动电容引脚,连接电容至GND设置启动时间。 |
| 8 | FB | 反馈输入,连接外部电阻分压器设定VOUT。 |
| 9, 10 | VOUT | 稳压输出,需靠近放置 ≥2.2μF 陶瓷电容。 |
4. 电气特性(设计参考)
| 符号 | 参数 | 最小值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| VIN, VBIAS, EN, PGOOD, FB, SS | 各引脚电压 | -0.3 | 6 | V |
| VOUT | 输出电压 | -0.3 | 6.3 | V |
| PD (TA=25°C) | 功耗 | — | 2.41 | W |
| θJA(EVB) | 热阻 | — | 41.5 | °C/W |
| TJ | 结温 | — | 150 | °C |
| TSTG | 存储温度 | -65 | 150 | °C |
| ESD (HBM) | 人体模型 | — | 2 | kV |
| 参数 | 最小值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 输入电压(VIN) | 0.8 | 5.5 | V |
| 偏置电压(VBIAS) | 2.7 | 5.5 | V |
| 输出电压(VOUT) | 0.8 | 3.6 | V |
| 结温范围 | -40 | 125 | °C |
| 环境温度 | -40 | 125 | °C |
| 参数 | 测试条件 | 典型值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 输入电压范围(VIN) | — | 0.8 – 5.5 | V |
| VBIAS 电压范围 | — | 2.7 – 5.5 | V |
| 参考电压(VREF) | TA=25°C | 0.8 | V |
| 输出电压精度 | 2.97V≤VBIAS≤5.5V, 50mA≤IOUT≤1A | ±1(最大) | % |
| 线性调整率 | VOUT+0.3≤VIN≤5.5V | 0.03 | %/V |
| 负载调整率 | 50mA≤IOUT≤1A | 0.09 | %/A |
| VIN 压差电压 | IOUT=1A, VBIAS - VOUT ≥3.25V | 50(最大80) | mV |
| VBIAS 压差电压 | IOUT=1A, VIN=VBIAS | 1.2(最大) | V |
| 电流限制 | VOUT=80%×VOUT(NOM) | 1.6(典型) | A |
| 偏置电流(IBIAS) | — | 12 | mA |
| 关断电流 | VEN=0.4V | 150(最大) | μA |
| PSRR(VIN→VOUT) | 1kHz, IOUT=0.5A | 75 | dB |
| PSRR(VBIAS→VOUT) | 1kHz, IOUT=0.5A | 90 | dB |
| 输出噪声电压 | 100Hz~100kHz, IOUT=0.5A, CSS=1nF | 25×VOUT | μVrms |
| 软启动充电电流(ISS) | VSS=0.4V | 440 | nA |
| EN 上升阈值 | — | 1.1(最小) | V |
| EN 下降阈值 | — | 0.4(最大) | V |
| PGOOD 跳变阈值(下降) | VOUT下降 | 88% VOUT(典型) | — |
| 过温关断阈值 | 关断,温度上升 | 165 | °C |
| 过温恢复阈值 | 恢复,温度下降 | 140 | °C |
5. 典型应用电路
CXLD64456A-QA 典型应用需外接输入电容、偏置电容、输出电容、软启动电容以及反馈电阻分压器。PGOOD 输出需上拉电阻。

图2. CXLD64456A-QA 典型应用电路
图3. CXLD64456A-QA 内部功能方框图
内部集成:基准源、误差放大器、P-MOSFET调整管、软启动控制、PGOOD比较器、EN逻辑、UVLO、OCP、OTP等。
| 位号 | 描述 | 推荐值 | 封装 |
|---|---|---|---|
| CIN | 输入陶瓷电容(X5R/X7R) | ≥1μF(10V) | 0603/0805 |
| CBIAS | 偏置电容 | ≥0.1μF(10V) | 0402/0603 |
| COUT | 输出陶瓷电容(X5R/X7R) | ≥2.2μF(6.3V) (有效容值≥2.2μF) |
0603/0805 |
| CSS | 软启动电容 | 1nF~100nF | 0402/0603 |
| R1, R2 | 反馈分压电阻 | R2≤4.99kΩ | 0603 |
| RPGOOD | PGOOD上拉电阻 | 10kΩ~1MΩ | 0603 |
反馈电阻计算:VOUT = VREF × (1+R1/R2),VREF=0.8V。例如 VOUT=1.5V 时,R1≈4.12kΩ, R2=4.99kΩ(参考数据手册表)。
6. 工作原理与设计指导
6.1 VIN 与 VBIAS 供电
VBIAS 为内部控制和基准供电,VIN 提供输出电流。当 VBIAS 比 VOUT 高 3.25V 以上时,可获得极低压差(50mV@1A)。若辅助偏置不可用,可将 VIN 与 VBIAS 短接,此时压差较大(约1.2V@1A),需注意功耗和散热。
6.2 使能与软启动
EN 高电平(>1.1V)使能;低电平(<0.4V)关断。软启动时间由外部电容 CSS 设定:
tSS(ms) = (0.8V × CSS(nF)) / 0.44μA
例如 CSS=10nF,tSS≈18.2ms。
6.3 功率良好(PGOOD)
当 VOUT 高于 PGOOD 阈值(约 VREF 的 88%+迟滞)时,PGOOD 输出高阻;若 VOUT 欠压、VBIAS 低于 1.9V、器件禁用或保护触发,PGOOD 拉低。
6.4 过流与过温保护
过流时输出电流折返限制(约 1.2A),防止短路损坏;过温关断阈值 165°C,恢复迟滞 25°C(140°C恢复)。长期结温超过 125°C 会降低可靠性。
7. 应用信息与设计指导
7.1 电容选择
- VIN:≥1μF 陶瓷(X5R/X7R),靠近引脚。
- VBIAS:≥0.1μF 陶瓷,若与 VIN 共用,则需 ≥4.7μF。
- VOUT:任何类型 ≥2.2μF 电容(建议陶瓷),有效容值需考虑 DC 偏压衰减,建议使用 10μF/16V X7S 如 Murata GCM21BC71C106KE36。
7.2 输出电压设定
通过外部电阻 R1(上)和 R2(下)设定,R2 建议 ≤4.99kΩ 以保证精度。VOUT = 0.8V × (1+R1/R2)。
7.3 热设计
最大功耗:PD(MAX) = (TJ(MAX) - TA) / θJA(EVB),TJ(MAX)=125°C。WDFN-10L θJA(EVB)=41.5°C/W,TA=25°C 时 PD=2.41W。实际需根据功耗 (VIN-VOUT)×IOUT 核算。
7.4 上电时序要求
VIN、VBIAS、EN 可按任意顺序上电。建议 VIN 和 VBIAS 的上升斜率快于软启动时间,否则输出将跟踪输入电压斜率。
7.5 PCB 布局建议
- 输入电容靠近 VIN 引脚,输出电容靠近 VOUT 引脚,减少寄生电感。
- 反馈分压网络靠近 FB 引脚,走线远离噪声源。
- 底部散热焊盘(Exposed Pad)必须焊接至大面积地平面,多过孔散热。
- PGOOD 上拉电阻的电源可接 VIN 或 VBIAS,但电压不能超过 5.5V。
图4. CXLD64456A-QA PCB 布局参考(WDFN-10L)
(此处预留布局示意图位置,编辑时可替换为实际布局图纸)
8. 订购信息与技术支持
CXLD64456A-QA 采用 WDFN-10L 3x3 封装,通过 AEC-Q100 Grade 1 认证,无铅、RoHS 合规。嘉泰姆电子提供工程样品、评估板、参考设计及 FAE 技术支持,帮助客户快速完成车规级大电流 LDO 电源设计。
技术邮件: ouamo18@jtm-ic.com | 技术热线: 13823140578

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