CXLE83261AH 高精度LED恒流驱动芯片
内置整流桥+续流二极管+500V MOSFET · 无VCC电容/启动电阻 · CRM临界导通模式 · ASOP7封装
版本:2026年5月更新 | 产品型号:CXLE83261AH | 封装:ASOP7
嘉泰姆电子(JTM-IC)推出的CXLE83261AH 是一款工作于电感电流临界导通模式(CRM,Critical Conduction Mode)的高精度LED恒流驱动芯片,主要应用于非隔离降压型LED电源系统。该芯片内部集成了整流桥、超快恢复续流二极管以及500V高压功率MOS管,同时采用创新的高压片内供电方案,无需VCC电容及启动电阻,外围电路达到极致精简,显著降低系统BOM成本和PCB面积。CXLE83261AH适用于85Vac~265Vac全电压输入范围,支持高频开关应用(可使用贴片电感),采用ASOP7增强散热封装,为LED球泡灯、射灯、灯管等照明应用提供超高集成度的单芯片解决方案。
1. 产品概述与市场优势
CXLE83261AH是嘉泰姆电子为LED照明驱动领域设计的革命性高集成度恒流控制芯片,专为非隔离降压型架构优化。与传统方案需要外部整流桥、续流二极管、启动电阻、VCC电容等众多元件不同,CXLE83261AH内部集成了整流桥、超快恢复续流二极管和500V高压功率MOSFET,交流输入可直接接入芯片,无需外部整流桥堆。芯片采用临界导通模式(CRM),电感电流在每个开关周期复位为零后开启下一周期,实现高功率因数且输出电流不随电感感量变化,批量生产一致性极佳。内部高压供电技术直接取自母线,无需外部VCC电容和启动电阻,使得整个驱动电路仅需一个电感、一个CS采样电阻和输入滤波电容即可工作。这种超高集成度大幅简化了LED驱动设计,缩小了PCB面积,尤其适合空间受限的球泡灯、射灯及灯管内置驱动。
2. 主要特点与技术亮点
- 内部集成整流桥:直接接入交流输入,省去外部整流桥堆,降低成本与体积。
- 内置超快恢复续流二极管:无需外部续流管,简化电路,提高可靠性。
- 内置500V高压功率MOSFET:满足全电压输入要求,耐压余量充足。
- 无VCC电容及启动电阻:创新的高压片内供电方案,彻底省去外围供电元件。
- 临界导通模式(CRM):电感电流零检测导通,减小开关损耗;输出电流不随电感量变化,生产一致性好。
- 全电压范围高精度恒流:内置高精度快速电流采样电路,输出电流精度±5%,线性调整率优异,低母线电压下不闪灯。
- 支持高频开关应用:可使用小型贴片电感,降低系统高度,适应紧凑型灯具结构。
- 多重保护功能:LED短路保护、欠压锁定保护(UVLO)、过温自动调节(输出电流随温度升高自动降低,确保系统安全)。
- ASOP7封装:增强散热型小尺寸封装,底部散热片便于焊接,提高热性能。
3. 引脚功能描述与封装占位图
CXLE83261AH 采用ASOP7封装,引脚定义如下:
| 管脚号 | 管脚名称 | 功能描述 |
|---|---|---|
| 1,2 | AC | 交流输入端,内部连接整流桥。直接接85-265V交流输入。 |
| 3 | GND | 芯片地,功率地与控制地单点连接。同时也是内部续流二极管的阴极参考点。 |
| 4 | CS | 电流采样输入端,外接采样电阻到地,检测峰值电流。 |
| 5 | DRAIN | 内部高压MOSFET漏极,连接电感主绕组。内置续流二极管阳极也连接至此。 |
| 6 | VCC | 芯片内部供电输出端,仅需小容量电容(无需外部电解),内置高压供电。 |
| 7 | NC | 空脚,无连接。 |
| 底部散热片 | GND | 建议接地,增强散热。 |
图2. CXLE83261AH 引脚封装图(ASOP7)
[ 封装外形示意图 ] 详细尺寸及推荐焊盘参见数据手册机械图。底部散热片需焊接在PCB地铜箔上以改善散热。
4. 典型应用电路与非隔离降压架构
CXLE83261AH 由于内置了整流桥和续流二极管,典型应用电路极为简洁:交流输入直接接入芯片AC引脚,母线整流在内部完成;电感、LED灯串、芯片内部MOSFET和CS采样电阻形成主功率回路;续流二极管已集成在芯片内部,无需外部续流管。芯片通过内部高压供电单元直接从母线取电,无需启动电阻和VCC电容。以下为原理框图占位,完整设计可参考嘉泰姆提供的参考设计文档。

图1. CXLE83261AH 非隔离降压型LED驱动典型应用电路
电路组成:交流输入(L,N)→ 芯片AC引脚(内部整流)→ 电感(LED+) → 芯片DRAIN → CS采样电阻 → GND;芯片内部集成续流二极管和整流桥。外围仅需电感、CS电阻、输入X电容(可选),无需整流桥、启动电阻、VCC电容和外部续流二极管,实现极致精简的单芯片恒流驱动。
* 详细原理图、电感设计参数表,请联系FAE或下载数据手册。
5. 极限参数与电气特性(工程师设计依据)
为确保系统长期可靠性,设计时必须遵循以下极限参数。CXLE83261AH内置MOSFET漏源耐压500V,内置续流二极管耐压亦为500V,内置整流桥耐压足够覆盖全电压输入。工作结温范围-40℃~125℃(过温调节点内部设定)。
极限参数表
| 符号 | 参数 | 范围 | 单位 |
|---|---|---|---|
| VAC_MAX | 交流输入电压(有效值) | 85 ~ 265 | Vac |
| VDS_MAX | 高压MOSFET漏极-源极电压 | -0.3 ~ 500 | V |
| ID_MAX | 漏极连续电流 (注1) | 1.5 (取决于封装散热) | A |
| IF_DIODE | 内置续流二极管正向电流 | 1.0 | A |
| VVCC | 内部供电电压(VCC引脚) | 最大 9 | V |
| PMAX | 最大功耗 (ASOP7) | 1.2 | W |
| θJA | 结到环境热阻 (ASOP7) | 80 | ℃/W |
| TJ | 工作结温范围 | -40 ~ 150 | ℃ |
关键电气特性 (Ta=25℃, 除非特殊说明)
| 符号 | 描述 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| VCC_CLAMP | VCC 内部钳位电压 | I_VCC=5mA | 7.2 | 7.8 | 8.4 | V |
| VCC_UVLO | 欠压锁定阈值 | VCC 上升 | - | 4.5 | - | V |
| VCS_TH | 电流检测阈值 (峰值) | 典型应用 | 388 | 400 | 412 | mV |
| T_LEB | 前沿消隐时间 | - | - | 300 | - | ns |
| RDS_ON | 内部MOS导通电阻 | ID=0.5A, Tj=25℃ | - | 4.2 | 5.5 | Ω |
| BVDS | MOSFET漏源击穿电压 | Tj=25℃, ID=250μA | 500 | - | - | V |
| VD_DIODE | 内置续流二极管正向压降 | IF=0.5A | - | 1.2 | 1.5 | V |
| TON_MAX | 最大导通时间 | - | - | 40 | - | μs |
| VBR_BRIDGE | 内置整流桥耐压 | 每臂 | 500 | - | - | V |
注1: 最大输出电流能力受限于封装、散热环境及电感峰值电流;典型应用中建议输出电流≤300mA(85-265VAC),具体以数据手册热降额曲线为准。
6. 工作原理与关键设计要点
6.1 临界导通模式(CRM)与电感设计
CXLE83261AH 通过检测电感电流过零信号,实现临界导通。在每个开关周期,内部MOSFET导通时电感电流线性上升,CS检测达到内部阈值(典型400mV)后关断MOSFET,电感通过内置续流二极管向LED提供能量,电流线性下降至零后,芯片重新开启下一周期。这种CRM模式带来两大优势:输出电流与电感量基本无关,批量生产只需保证电感饱和电流足够;同时系统无需复杂补偿,动态响应快。设计时,电感值根据输入电压、输出电流和开关频率选择,通常工作频率在几十kHz,高频化支持贴片电感。
导通时间: Ton = L * Ipk / (Vin - Vled)
开关频率: Fsw = (Vin - Vled) * Vled / (Vin * L * Ipk) ,其中Vin为整流后母线瞬时电压(约等于1.414*Vac_rms)。
6.2 内置整流桥的优势
传统方案需要外部整流桥堆或四颗二极管,不仅占用PCB面积,还增加成本。CXLE83261AH内部集成了高压整流桥,交流输入直接接入芯片AC引脚,输出直流母线供芯片内部和LED负载使用。这不仅减少了元件数量,还简化了布局走线,提高了系统可靠性。内置整流桥具有足够的耐压和电流能力,适应全电压范围应用。
6.3 内置续流二极管与电流采样
CS引脚外接低阻值采样电阻,逐周期限制峰值电流。内置续流二极管省去了外部快恢复管,但设计时仍需注意其功耗:平均电流Io乘正向压降即为损耗,需确保芯片结温不超限。内置二极管具有快速反向恢复特性,适用于CRM高频工作。
6.4 保护功能与系统可靠性
- LED短路保护: 输出短路时,电感续流时间极短,芯片检测到异常状态后自动进入低功耗保护模式,故障移除后自动恢复。
- 欠压锁定(UVLO): VCC电压低于欠压阈值(典型4.5V)时芯片停止工作,避免振荡。
- 过温调节(OTR): 芯片结温超过约135℃时逐渐降低输出电流,防止过热损坏,提高灯具在高温环境下的寿命。温度回滞恢复正常。
7. 基于CXLE83261AH的12W LED球泡灯设计实例
设计目标: 全电压输入85-265VAC,输出36V/300mA (约10.8W),用于LED球泡灯。由于内置整流桥和续流二极管,外围仅需电感、CS电阻、输入电容。设计关键步骤:
1) 选择CS采样电阻:设定峰值电流Ipk=2*Io=600mA,Vcs_th=0.4V,Rcs=0.4/0.6≈0.667Ω,实际采用0.68Ω。
2) 电感设计:最低输入电压Vin_min=100V(考虑整流后纹波),输出LED电压Vled=36V,Ipk=0.6A。取L=1.5mH,Ton=1.5e-3*0.6/(100-36)≈14μs,频率约55kHz,符合要求。
3) 输入滤波:可在AC引脚前并联X电容(如0.1μF)和压敏电阻用于EMI和浪涌保护。
4) 无需外部续流二极管和整流桥,但需注意芯片散热:ASOP7封装底部散热片应可靠焊接在PCB地铜箔上,并增加过孔和铺铜面积。
5) 输出电容可根据纹波要求选择,通常并联10-22μF电解。
8. PCB布局及热设计指南(提升可靠性和EMI)
CXLE83261AH 集成度高,但优化PCB布局依然关键:
- AC输入走线: AC引脚应直接连接交流输入,走线尽量短,可串联小电阻(10Ω)用于限流。建议在AC引脚间并联X电容减少差模干扰。
- 接地处理: 芯片GND引脚直接连接到CS采样电阻地,然后单点连接输入电容负极。由于内部有整流桥,母线负极为GND,需保证低阻抗路径。
- CS采样电阻靠近芯片: CS引脚和GND引脚之间的走线应短且宽,减少寄生电感引起的采样误差。
- 电感与芯片的功率回路: 电感、芯片DRAIN、内部续流二极管、输出电容形成的功率环路面积尽量小,以降低辐射EMI。
- 散热设计: ASOP7封装底部散热片必须焊接在PCB上,并连接到大面积地铜箔,同时增加过孔导热到背面。建议输出电流大于200mA时,加大铜箔面积并留出通风空间。
- 内置高压供电无需外部VCC电容: 但为了高频去耦,可在VCC与GND之间并联100nF陶瓷电容提升抗干扰。
图3. CXLE83261AH 内部功能方框图
[ 内部模块:整流桥、高压供电、CRM逻辑、电流检测比较器、过温调节、驱动级、500V MOSFET及内置续流二极管 ] 详细方框图参见数据手册。
嘉泰姆电子完整设计支持: 提供CXLE83261AH参考设计文档、电感设计工具、EMI优化建议及Demo板测试报告。工程师可通过以下渠道获取一对一技术辅导:
邮件:ouamo18@jtm-ic.com | 技术支持热线:13823140578 | 在线FAE技术中心(智能问答)
同时可访问嘉泰姆官网选型手册下载区,查看更多LED驱动/AC-DC电源芯片。
9. 订购信息与封装标识
| 产品型号 | 封装形式 | 包装方式 | 环保认证 |
|---|---|---|---|
| CXLE83261AH | ASOP7 | 编带卷盘,2500颗/盘 | RoHS, REACH |

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