CXLE86254DK 带线补偿高压单段线性恒流LED控制芯片 | 650V耐压 线补可调 无需压敏 | 嘉泰姆电子

CXLE86254DK 带线补偿高压单段线性恒流LED控制芯片 | 650V耐压 线补可调 无需压敏 | 嘉泰姆电子

产品型号:CXLE86254DK
产品类型:照明驱动
产品系列:线性恒流LED驱动
产品状态:量产
浏览次数:48 次
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产品简介

CXLE86254DK 是一款高精度单段线性恒流LED控制芯片,集成650V高压MOS管、JFET高压供电单元及可编程线电压补偿电路。无需磁性元件,无需外部压敏电阻即可承受较高浪涌,实现小体积、长寿命、低EMI的驱动方案。适用于市电供电的高电压、低电流LED灯串,如球泡灯、射灯、蜡烛灯等。

技术参数

输入电压范围 (VIN)85~265V
输出电压 (VOUT)adj
输出电流 (IOUT)10W
工作频率1.4MHz
转换效率95%
封装类型ESOP8
Dimming method线性
功率管MOS 耐压700V
功耗10μA
Thd<±5%
Power10W
Pf value>0.9
Topology线性恒流LED驱动
Application照明驱动
Topology typeBuck
Ripple<5%
Operating tempTREG:150℃
ProtectionOVP/OCP/短路保护
CertificationUL/CE
Features线性恒流
线补偿Y

产品详细介绍

CXLE86254DK 带线补偿高压单段线性恒流LED控制芯片:650V耐压、线补可调、无需压敏电阻

嘉泰姆电子 CXLE86254DK 是一款高精度单段线性恒流LED控制芯片,集成650V高压MOS管、JFET高压供电单元及可编程线电压补偿电路。无需磁性元件,无需外部压敏电阻即可承受较高浪涌,实现小体积、长寿命、低EMI的驱动方案。适用于市电供电的高电压、低电流LED灯串,如球泡灯、射灯、蜡烛灯等。

产品概述:单段线性恒流驱动新选择

CXLE86254DK 是嘉泰姆电子(JTM)推出的一款高集成度单段线性恒流LED控制芯片,内部集成650V高压功率MOS管、高压JFET启动电路以及可编程线电压补偿模块。芯片采用经典的线性恒流架构,通过外部一个电阻即可精确设定LED工作电流,外围BOM极简。特别值得一提的是,芯片内置线补偿功能,通过VD引脚外接电阻可灵活调节输出电流随输入电压变化的补偿斜率,从而在宽电压范围内保持输入功率基本恒定,线性调整率优异。

CXLE86254DK具有650V高压MOS管,无需外加压敏电阻即可承受较高浪涌电压,进一步降低系统成本。芯片内置过温调节功能(150°C),在高温环境下自动降低输出电流,保护LED和芯片。±5%的LED电流精度、超快启动和无磁性元件特性,使其成为高压LED灯串、球泡灯、蜡烛灯等照明应用的理想驱动方案。

核心特点与技术优势

  • 线补偿可调:通过VD外接电阻灵活设置电流补偿斜率,输入电压变化±20%时输出功率变化小于5%。
  • 集成650V高压MOS管:耐压650V,漏极最大饱和电流80mA,适应220V/110V电网,无需压敏电阻。
  • 无需磁性元件:纯线性工作,无电感/变压器,EMI性能优异,轻松通过认证。
  • 高精度恒流:LED输出电流精度±5%,基准电压600mV(典型值),外置电阻设定。
  • 过温调节功能(150°C):结温超限时自动平滑降低输出电流,提高系统可靠性。
  • 超快LED启动(<50ms):上电即亮,无延迟。
  • ESOP8封装,底部散热焊盘:增强散热,支持更高功率密度。
  • 外围电路极简:仅需一个采样电阻、一个VD补偿电阻即可工作,适合紧凑灯具。

典型应用电路

CXLE86254DK 典型应用电路原理图
图1:CXLE86254DK 典型应用电路原理图
(交流输入经整流桥后接LED灯串正极,D引脚接LED灯串负极,CS外接采样电阻到地,VD经电阻接D引脚)

引脚封装与管脚功能

CXLE86254DK ESOP8 封装外形及管脚分布图
 图2:CXLE86254DK ESOP8 封装外形及管脚分布图
(底部散热焊盘为GND,增强散热,具体机械尺寸参见数据手册封装章节)

管脚功能描述 (ESOP8)

管脚号 名称 功能描述
1,2,7,8 NC 空脚,悬空
3 D 芯片LED灯串接口端,内部650V高压MOS漏极
4 VD 功率MOS管漏极信号输入端,通过电阻接到D引脚,用于线电压补偿
5 CS 电流采样端,外接采样电阻到地,设定LED峰值电流
6 GND 芯片地,散热焊盘需连接至PCB地
衬底 GND 芯片底部散热金属片,必须与PCB地大面积连接

极限参数与电气特性 (TA=25°C)

绝对最大额定值

符号 参数 范围 单位
D 芯片高压接口电压 -0.3 ~ 650 V
CS, VD 芯片低压接口电压 -0.3 ~ 6 V
ID_MAX 漏极最大饱和电流 (@TJ max) 80 mA
PDMAX 最大功耗 (ESOP8) 1.25 W
θJA 结到环境的热阻 100 °C/W
TJ 工作结温范围 -40 ~ 150 °C
TSTG 储存温度范围 -55 ~ 150 °C
ESD 人体模型 2 KV

电气参数 (典型值,无特别说明TA=25°C)

符号 参数描述 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
ICC 静态工作电流 D=30V - 100 150 μA
VREF 电流基准 D=30V, RCS=120Ω 570 600 630 mV
RVD VD内置对地电阻 - 100 105 110
TREG 过温调节温度 内部结温检测 - 150 - °C

注:典型值在25°C下测试,参数由设计保证。CXLE86254DK 内置105kΩ对地电阻,配合外部电阻实现线补偿。

单段线性恒流工作原理与电流设定

CXLE86254DK采用最简单的单段线性恒流架构,尤其适合高压、低电流LED灯串应用。其工作过程如下:

供电与启动:交流输入经整流桥后得到脉动直流母线电压,加在LED灯串正极。芯片D引脚接LED灯串负极。上电后,D引脚内部高压JFET从母线取电给芯片供电,当D引脚电压超过10V时芯片开始工作。

恒流控制:芯片通过CS引脚外接采样电阻RCS设定LED电流。当母线电压高于LED灯串总压降时,内部功率MOS管导通,LED电流经D引脚、LED灯串、RCS到地。恒流公式为:

ILED = VREF / RCS ≈ 0.6V / RCS

例如,若需要30mA LED电流,RCS=0.6V/0.03A=20Ω,选用1%精度电阻即可。由于散热能力的限制,在220V市电输入时,建议将LED电流设在40mA以下;在110V市电输入时,建议设在80mA以下,以保证芯片结温在安全范围内。

单段优势:相比多段线性恒流,单段方案外围最简单,仅需一个采样电阻,成本最低,特别适合对THD要求不高的低成本照明应用。

关键技术深度解析

1. 可编程线电压补偿原理

CXLE86254DK内部集成线电压补偿电路,通过VD引脚外接电阻RVD(连接VD与D引脚)来调节输出电流随输入电压变化的补偿斜率。当输入电压升高时,D引脚电压升高,VD引脚电压也随之升高,芯片内部电路会按比例降低CS基准,从而减小输出电流,使输入功率基本恒定。补偿关系式:

VREF = 0.6V - 0.15 × [105kΩ / (105kΩ + RVD)] × (VD - 1.2V)

其中105kΩ为VD引脚内部对地电阻。通过选择合适的RVD,可以调整补偿深度。RVD越小,补偿越强。典型应用中,RVD可取100kΩ~470kΩ。合理设置后,可在输入电压变化±20%时,输出功率变化小于5%,避免LED在高压下过亮过热。

2. 无需压敏电阻的抗浪涌能力

芯片内部650V高压MOS管具有优异的浪涌耐受能力,配合合理的PCB布局,系统可承受较高的浪涌电压(如2kV~4kV),对于大多数室内照明应用,无需外加压敏电阻(MOV),既节省成本又缩小体积。对于更高浪涌等级要求,仍可外加压敏进一步增强。

3. 过温调节与热设计

当芯片结温达到150°C时,过温调节电路开始线性降低输出电流,抑制温升,保护LED和芯片。温度回落后自动恢复电流。ESOP8封装底部有大面积散热焊盘(与GND相连),PCB设计时需将散热焊盘与大面积铜皮连接,并增加过孔导热,推荐铜皮面积≥200mm²,以降低热阻。

4. 系统BOM与设计实例

以7W 220V球泡灯为例:LED灯串总压降260V,电流27mA。选择RCS=0.6V/0.027A≈22.2Ω(选22Ω)。线补电阻RVD=220kΩ。输入整流桥后无需额外电解电容(可选小电容滤波),总BOM元件约5-6个,驱动板面积小于10mm×15mm,成本极低,适合对体积和成本敏感的蜡烛灯、灯丝灯。

PCB设计及散热指南

  • 地线处理:CS采样电阻的功率地线应尽量短且粗,直接连接芯片GND及散热焊盘。
  • 散热设计:芯片底部散热焊盘必须与PCB GND大面积焊接,并布置4~6个过孔连接背面地层,增强导热。
  • 高压间距:D引脚(650V)高压走线与低压区(CS/VD)保持至少1mm间距。
  • 线补电阻布局:VD引脚外接电阻RVD应尽量靠近芯片,减小噪声耦合。
  • 抗浪涌优化:在整流桥前串联10Ω~47Ω保险电阻,可进一步提升浪涌能力;PCB高压走线圆滑,避免尖角。

订购信息与封装

产品型号 封装 包装方式 打印标识
CXLE86254DK ESOP8 编带 4000颗/盘 CXLE86254D + 批次码

芯片符合RoHS、REACH及无卤素标准,工作结温范围-40℃~150℃,存储温度-55℃~150℃。建议回流焊温度遵循IPC/JEDEC J-STD-020标准。

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