CXMD3577 / CXMD3577A 高频双MOSFET驱动器
12V驱动 | 500kHz | 自适应贯通保护 | SOP-8/WDFN-8L

版本：Rev 1.0 | 2026年7月 | 型号：CXMD3577 / CXMD3577A | 封装：SOP-8 / WDFN-8L（3x3mm）

嘉泰姆电子（JTM-IC）推出的 CXMD3577 和 CXMD3577A 是一款高频双MOSFET驱动器，专为同步Buck转换器拓扑中的功率MOSFET驱动而设计。与多相Buck PWM控制器配合使用时，可构成先进的微处理器内核电源解决方案。芯片采用 12V 驱动电压，在同步整流桥中完成高侧和低侧MOSFET的栅极驱动，在开关损耗与导通损耗之间取得良好平衡。CXMD3577A具有较长的UGATE/LGATE死区时间（传播延迟），适合驱动栅极RC值较大的MOSFET，有效防止上下桥贯通；CXMD3577则针对栅极RC值较小的MOSFET优化，以获得更高的转换效率。输出驱动器支持高达 500kHz 的开关频率，具备 30ns 的上升时间驱动 3nF 负载的能力。内置自举二极管简化了高侧驱动设计，允许使用高性能、低成本的N-MOSFET。集成自适应贯通保护，避免两只MOSFET同时导通。提供 SOP-8 和 WDFN-8L（3x3mm） 两种封装，是台式电脑CPU内核电源、高频DC/DC转换器、大电流低电压DC/DC转换器的理想选择。

1. 产品概述与市场定位

CXMD3577/CXMD3577A是一款高性能双N-MOSFET驱动器，专为同步整流Buck转换器应用而设计。芯片采用12V栅极驱动电压，为高侧和低侧MOSFET提供优化的驱动特性，在开关损耗与导通损耗之间取得最佳平衡。该系列提供两种型号：CXMD3577A具有较长的UGATE/LGATE传播延迟（死区时间），适合驱动栅极RC值较大的MOSFET，有效防止上下桥贯通现象；CXMD3577则针对栅极RC值较小的MOSFET优化，以获得更高的转换效率。两款型号均内置自举二极管，简化了高侧驱动电路设计，允许使用低成本、高性能的N-MOSFET。自适应贯通保护机制确保在任何条件下高侧和低侧MOSFET不会同时导通。支持高达500kHz的开关频率，具备30ns上升时间驱动3nF负载的能力。PWM三态输入可在桥路关闭时将输出驱动强制为高阻态，供电端欠压保护和上桥直通短路保护进一步增强了系统可靠性。CXMD3577/CXMD3577A采用SOP-8和WDFN-8L（3x3mm）封装，适用于台式电脑CPU内核电源、高频小型DC/DC转换器、大电流低电压DC/DC转换器等应用。

2. 主要特点与技术亮点

• 优化驱动电压：12V栅极驱动电压在开关损耗与导通损耗之间取得最佳平衡，适配高性能CPU供电应用。
• 高频支持：支持高达500kHz的开关频率，适用于小型化、高功率密度的设计。
• 快速开关特性：30ns上升时间可驱动3nF栅极负载，有效减少开关损耗。
• 内置自举二极管：集成自举二极管替代外部元件，简化高侧驱动电路，降低成本。
• 自适应贯通保护：内置贯通保护机制，通过监测相位节点确保高侧和低侧MOSFET不会同时导通。
• 两种死区选择：CXMD3577A具有较长的传播延迟（死区时间），适合栅极RC值较大的MOSFET；CXMD3577针对栅极RC值较小的MOSFET优化，提供更高效率。
• 三态PWM输入：PWM三态输入可在桥路关闭时将输出驱动强制为高阻态。
• 全面保护：供电端欠压保护（UVLO）和上桥直通短路保护，增强系统可靠性。
• 双封装选项：提供SOP-8和WDFN-8L（3x3mm）两种封装，适应不同散热和空间需求。

3. 引脚配置与功能说明

CXMD3577/CXMD3577A主要引脚包括：BOOT（自举供电，外接电容至PHASE）、PWM（PWM控制输入）、NC（无内部连接，SOP-8封装中对应OD功能引脚悬空）、VCC（12V电源）、LGATE（低侧MOSFET栅极驱动）、PHASE（连接高侧MOSFET源极和低侧MOSFET漏极）、UGATE（高侧MOSFET栅极驱动）、GND（地）。WDFN封装底部有Exposed Pad，需焊接至地平面散热。详细引脚定义见数据手册。

4. 极限参数与电气特性

5. 工作原理与设计指导

5.1 系统架构与驱动逻辑

CXMD3577/CXMD3577A通过PWM输入信号控制高侧和低侧N-MOSFET的导通与关断。芯片采用12V栅极驱动电压，在开关损耗与导通损耗之间取得最佳平衡。内置自适应贯通保护电路，在PWM信号跳变时监测PHASE节点电压和UGATE电压，确保在安全条件下进行切换，防止上下管同时导通。PWM三态输入可在桥路关闭时将输出驱动强制为高阻态。

5.2 型号选择：CXMD3577 vs CXMD3577A

两款型号的主要区别在于UGATE/LGATE传播延迟（死区时间）的设定。CXMD3577A具有较长的死区时间，适合驱动栅极RC值较大的MOSFET，有效防止上下桥贯通现象，适用于对安全性要求较高的系统。CXMD3577则针对栅极RC值较小的MOSFET优化，死区时间较短，可获得更高的转换效率，适合追求极致性能的应用。

5.3 自举电路设计

芯片内置自举二极管，取代了传统的外部自举二极管。在低侧MOSFET导通期间，VCC通过内部自举二极管为BOOT电容充电，为高侧驱动提供浮动电源。建议BOOT电容值不小于0.1μF，典型应用推荐1μF陶瓷电容，并尽量靠近芯片BOOT和PHASE引脚放置，以减少噪声和寄生效应。

5.4 驱动能力与MOSFET选型

驱动器的源/吸收阻抗影响MOSFET开关速度。UGATE源阻抗1.9Ω，吸收阻抗1.4Ω；LGATE源阻抗1.9Ω，吸收阻抗1.1Ω。芯片具备30ns上升时间驱动3nF负载的能力，可适配大多数功率MOSFET。选择MOSFET时需考虑栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），确保驱动器能提供足够的峰值电流。

5.5 保护功能

芯片集成供电端欠压保护（UVLO），在VCC电压不足时保持驱动器禁用，防止MOSFET在欠压时意外导通。上桥直通短路保护通过监测PHASE节点电压，在检测到异常时快速关断，保护功率级免受损坏。

6. 典型应用电路

图2. 典型应用电路（同步降压转换器）

外围元件：VCC去耦电容（1μF+0.1μF）、BOOT电容（0.1μF~1μF）、PHASE节点连接的功率MOSFET（高侧和低侧）、输出电感L、输出电容等。具体电路参考数据手册典型应用图。

7. PCB布局建议

• 芯片位置：将CXMD3577/CXMD3577A尽量靠近功率MOSFET放置，减小寄生元件。
• VCC旁路电容：尽量靠近VCC引脚，消除开关高频分量。
• 自举电容：尽量靠近BOOT和PHASE引脚，减小寄生电感，缩短大电流路径。
• 驱动走线：UGATE、PHASE、LGATE和GND应短而宽，降低寄生阻抗。高侧驱动UGATE和PHASE直接连接MOSFET栅极和源极，PHASE走线独立于大电流路径。
• 功率回路：高侧MOSFET源极靠近低侧MOSFET漏极，低侧MOSFET源极到GND走线宽而短，最小化阻抗。
• 信号走线：PWM走线远离开关节电，避免高dV/dt噪声干扰。
• 散热：对于WDFN-8L封装，底部的Exposed Pad应大面积焊接至地平面，并通过过孔散热。SOP-8封装则需保证足够的铜箔面积散热，确保结温在额定范围内。

8. CPU内核供电设计实例

目标：设计一款台式电脑CPU核心供电（VR）的MOSFET驱动器，输入12V，驱动高侧和低侧N-MOSFET，开关频率300kHz，要求高效、可靠，适配栅极RC值较大的MOSFET。

• 型号选择：若选用栅极RC值较大的MOSFET，推荐CXMD3577A（较长死区时间）；若选用低Qg MOSFET追求最高效率，推荐CXMD3577。
• 供电与电容：VCC接12V，并接1μF+0.1μF陶瓷电容；BOOT电容选用1μF/25V X7R，靠近芯片。
• MOSFET选型：根据功率需求选择合适Qg的MOSFET，计算栅极驱动电流需求，确保驱动器能提供足够的峰值电流（UGATE源1.9Ω，吸收1.4Ω；LGATE源1.9Ω，吸收1.1Ω）。
• 保护配置：PWM输入由PWM控制器提供，三态关断窗口可有效防止异常状态。UVLO确保在VCC欠压时驱动输出保持低电平。
• PCB布局：遵循上述布局建议，特别注意功率回路的紧凑性和驱动走线的短直。
• 热管理：选用WDFN-8L封装（θ_JA=70°C/W），通过大面积铜箔和过孔散热，确保结温低于125°C。

9. 订购信息与技术支持

CXMD3577和CXMD3577A提供SOP-8和WDFN-8L（3x3mm）两种封装，无铅、RoHS合规。提供工程样品、量产芯片及全面的技术支持。