
CXSD61111D 3A同步降压转换器 | 4.5V-36V | 可调频率/限流 | AEC-Q100 | ±1%参考 - 嘉泰姆电子
| 产品型号: | CXSD61111D |
| 产品类型: | DC-DC转换器 |
| 产品系列: | 开关稳压器降压 (Buck) 转换器 |
| 产品状态: | 量产 |
| 浏览次数: | 5 次 |
产品简介
技术参数
| 输入电压范围 (VIN) | 4.5V~36V |
|---|---|
| 输出电压 (VOUT) | 0.6V~24V |
| 输出电流 (IOUT) | 3A |
| 工作频率 | 2250kHz |
| 转换效率 | 95% |
| 封装类型 | TSSOP-14(PP) |
| Topology | 开关稳压器降压 (Buck) 转换器 |
| Control method | Resistor |
| Switching frequency | 300kHz~2100kHz |
| Protection | 过流/过压/过温 |
| Features | AEC-Q100;Adjustable Frequency;Adjustable Soft-Start;Current Mode Control;Cycle-by-Cycle Current Limit;Enable Input;External Synchronization;Force PWM;OCP;OTP;Power Good;Stable with Ceramic Capacitor;UVP |
| Application | 开关稳压器 |
| Operating temp | -40℃~125℃ |
| Precision | ±1% |
| Ext Sync | Yes |
| Ron HS (typ) (mOhm) | 95 |
| Ron LS (typ) (mOhm) | 70 |
| Iq (typ) (mA) | 1.3 |
| Interface | I2C |
| Current Limit (typ) (A) | 5.5 |
| Number of Outputs | 1 |
产品详细介绍
CXSD61111D 3A同步降压转换器
4.5V-36V输入 | 可调频率300k-2.1MHz | 可调限流 | AEC-Q100 | 0.6V±1%参考
产品版本:Rev 1.0 | 更新日期:2026年8月 | 型号:CXSD61111D | 封装:TSSOP-14(带散热焊盘)
技术咨询:ouamo18@jtm-ic.com 或致电 13823140578 (嘉泰姆电子)
嘉泰姆电子(JTM-IC)推出的 CXSD61111D 是一款高效率、电流模式同步降压DC-DC转换器,能够从 4.5V 至 36V 的宽输入电压范围内提供 3A 的连续输出电流。芯片内部集成了低阻抗功率MOSFET(高侧95mΩ,低侧70mΩ),实现了高达 95% 的转换效率。电流模式控制架构支持快速瞬态响应,并允许简单的外部补偿网络设计。
CXSD61111D 的开关频率可通过外部电阻在 300kHz 至 2.1MHz 范围内灵活调节,并支持同步至外部时钟,为频率敏感的系统提供了极大的便利。限流阈值可通过外部电阻在 1.5A 至 6A 范围内连续可调,适应不同功率等级的应用需求。输出电压可在 0.6V 至 24V 范围内调节,覆盖广泛的负载点应用。芯片内置 可调软启动、逐周期电流限制、输入欠压锁定、输出欠压保护(打嗝模式) 和 过温保护(180°C关断)。特别地,该器件通过 AEC-Q100 Grade 2 车规级认证,参考电压在全工作温度范围内精度高达 ±1%(典型值0.6V),确保输出电压的高精度调节。CXSD61111D 采用 TSSOP-14 封装(带散热焊盘),底部焊盘有效降低热阻(θJA低至28°C/W),是车载电子、工业控制、通信设备以及分布式电源系统的理想选择。
1. 产品概述与市场定位
在汽车电子(如信息娱乐、导航、音频系统)、工业控制以及通信设备中,宽输入电压范围和高可靠性的降压转换器是核心需求。CXSD61111D 作为一款 电流模式同步降压转换器,其核心价值在于 高输入电压能力、高集成度、灵活的频率调节、可编程限流、高精度参考电压以及AEC-Q100认证。宽输入电压范围(4.5V-36V)使其能够兼容12V、24V和28V等常见车载及工业总线,轻松生成5V、3.3V、1.8V等低压轨,为MCU、FPGA、传感器、通信模块等负载供电。
芯片的 电流模式控制 提供快速的输入电压和负载瞬态响应,外部补偿网络允许设计者根据具体的输出电容和电感优化环路稳定性。通过RT/SYNC引脚外接电阻或外部时钟,设计者可在300kHz至2.1MHz范围内自由设定开关频率,优化效率或缩小电感尺寸。可调限流功能允许根据不同负载需求设定过流保护点,提高系统设计的灵活性。内置的 打嗝模式欠压保护 在输出短路时有效降低功耗和温升,提高系统可靠性。CXSD61111D 通过 AEC-Q100 Grade 2 认证,确保在 -40°C 至 +105°C 环境温度下稳定工作,并且其0.6V参考电压在全温范围内精度达 ±1%,优于同类产品的±2%精度,特别适合对输出电压精度要求严格的汽车和工业应用。CXSD61111D 采用 TSSOP-14(带散热焊盘)封装,热阻低至28°C/W,是高功率密度、高可靠性宽压电源转换的优选方案。
2. 主要特点与技术亮点
- 电流模式控制:提供快速的瞬态响应和优异的负载调节,外部补偿允许设计者灵活调整环路稳定性和瞬态性能。
- 可编程开关频率:通过RT/SYNC引脚外接电阻或外部时钟,频率在300kHz至2.1MHz范围内连续可调,允许在效率和电感尺寸之间进行优化。
- 可调限流保护:通过RLIM引脚外接电阻,限流阈值在1.5A至6A之间连续可调,灵活匹配不同负载需求。
- 宽输入电压范围:4.5V至36V,覆盖12V、24V、28V等常见工业/车载电源总线,具有出色的抗浪涌能力。
- 高精度参考电压:0.6V基准电压,在全温度范围(-40°C至105°C)内精度±1%,确保输出电压的精确调节,优于同类产品。
- 可调软启动:SS引脚外接电容,内部6μA恒流源充电,可编程启动斜坡,限制启动浪涌电流。
- 打嗝模式欠压保护:输出短路时,芯片进入打嗝模式,周期性尝试重启,降低平均输入电流和功耗,避免过热。
- 多重保护:逐周期高侧和低侧电流限制、输入欠压锁定(UVLO)、过温保护(OTP,180°C关断,165°C恢复)、BOOT欠压锁定。
- AEC-Q100 Grade 2 认证:满足汽车电子应用对可靠性和质量的高标准要求,适用于车载信息娱乐、导航、音频等系统。
3. 典型应用电路
CXSD61111D 的典型应用电路包括输入电容、输出电容、功率电感、反馈分压电阻、频率设定电阻、限流设定电阻、补偿网络以及软启动电容。输入电压经转换后输出稳定电压。具体原理图如下所示,详细元件参数可参考数据手册推荐表。

图1. CXSD61111D 典型应用电路(3A同步降压转换器)
图2. CXSD61111D 内部功能方框图
内部集成:高侧/低侧功率MOSFET、电流检测放大器、斜坡补偿、误差放大器、PWM比较器、振荡器(可调频率/同步)、软启动控制、UVLO、过流/欠压(打嗝)/过温保护逻辑、BOOT UVLO、限流设置等。
4. 极限参数与电气特性(设计参考)
| 符号 | 参数 | 最小值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| VIN | 输入电压 | -0.3 | 40 | V |
| SW | 开关节点电压(连续) | -0.3 | VIN+0.3 | V |
| BOOT to SW | 自举电压差 | -0.3 | 6 | V |
| PGOOD | 电源良好引脚 | -0.3 | 40 | V |
| 其他引脚(FB, COMP, SS, EN, RLIM, RT/SYNC, AGND) | — | -0.3 | 6 | V |
| PD @ TA=25°C | 最大功耗(TSSOP-14带散热焊盘) | — | 4.464 | W |
| θJA | 结到环境热阻 | — | 28 | °C/W |
| θJC | 结到外壳热阻 | — | 4.3 | °C/W |
| TJ | 结温范围 | -40 | 150 | °C |
| TSTG | 存储温度 | -65 | 150 | °C |
| ESD (HBM) | 人体模型 | — | 2 | kV |
| 参数 | 最小值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| VIN 输入电压 | 4.5 | 36 | V |
| 结温 TJ | -40 | 150 | °C |
| 环境温度 TA | -40 | 105 | °C |
| 参数 | 条件 | 典型值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 关断电流 | VEN=0V | 1 | μA |
| 静态电流(空载开关) | VEN=2V, VFB=0.64V, RLIM=91k, ROSC=169k | 1 | mA |
| 反馈参考电压 | 全温范围(-40°C~105°C) | 0.6 | V |
| 参考电压精度 | 全温范围 | ±1% | — |
| 高侧MOSFET导通电阻 | — | 95 | mΩ |
| 低侧MOSFET导通电阻 | — | 70 | mΩ |
| 开关频率范围 | RT电阻可调/外部同步 | 300-2100 | kHz |
| 限流调节范围 | 外部电阻可调 | 1.5-6 | A |
| 高侧限流(RLIM=100kΩ) | — | 2.1 | A |
| 高侧限流(RLIM=47kΩ) | — | 4.0 | A |
| 高侧限流(RLIM=33kΩ) | — | 5.5 | A |
| 低侧反向限流 | — | 2 | A |
| EN高电平阈值 | 上升 | 1.6 | V |
| EN低电平阈值 | 下降 | 0.4 | V |
| 过温保护阈值 | 关断 | 180 | °C |
| 软启动充电电流 | — | 6 | μA |
5. 工作原理与设计指导
5.1 电流模式控制与外部补偿
CXSD61111D 采用 峰值电流模式控制。在每个开关周期,内部振荡器置位高侧MOSFET,电感电流上升,当电流检测信号达到误差放大器输出(COMP)控制的阈值时,高侧MOSFET关断,低侧MOSFET导通直到下一个周期。电流模式控制提供快速的输入电压和负载瞬态响应,并简化了环路补偿。COMP引脚外接RC网络(RC和CC),用于设置环路的交叉频率和相位裕度。设计者可根据实际输出电容和电感值调整补偿网络,以优化稳定性和瞬态性能。
5.2 频率设置与外部同步
通过RT/SYNC引脚外接电阻ROSC到地,可设置内部振荡器频率,范围300kHz至2.1MHz。频率与电阻的关系参考数据手册中的公式和曲线。若需同步至外部时钟,将外部方波信号(频率300k-2.1MHz,占空比10%-90%)施加到RT/SYNC引脚,器件自动切换至外部频率,此时ROSC仍可保留(同步优先)。
5.3 限流设置
通过RLIM引脚外接电阻RLIM可设定高侧MOSFET的峰值限流阈值,范围1.5A至6A。限流值与电阻关系参考数据手册公式。设计时需将电感纹波电流考虑在内,建议限流设定值 ≥ (Iout(max) + 0.5×ΔIL) × 1.2,以确保足够的过载裕量。
5.4 输出电压设定
输出电压通过外部电阻分压器设定,公式如下:
VOUT = 0.6V × (1 + R1/R2)
其中R1连接在VOUT和FB之间,R2连接在FB和GND之间。建议R2在10kΩ~100kΩ范围内,以平衡功耗和抗噪声能力。VOUT 可调范围为0.6V至24V(受限于输入电压和最大占空比)。
5.5 软启动与BOOT UVLO
SS引脚外接电容 CSS,内部6μA电流源对其充电,输出电压跟随SS电压上升,启动时间 tSS ≈ (CSS × 0.6V) / 6μA。例如,CSS=10nF时,tSS≈1ms。芯片内置BOOT欠压锁定(UVLO)电路,当BOOT-SW电压低于2.4V时,强制低侧MOSFET导通以充电自举电容,并延长最小关断时间至380ns,确保高侧MOSFET充分导通。
5.6 保护功能
- 输入欠压锁定(UVLO):VIN低于约4.0V时关断,迟滞防止振荡。
- 逐周期电流限制:高侧峰值和低侧反向限流,防止过载或短路损坏。
- 输出欠压保护(UVP):当FB低于0.3V(约50%参考)时触发,芯片进入打嗝模式,周期性尝试重启,有效降低短路功耗。
- 过温保护(OTP):结温超过180°C时关断,冷却约15°C后自动恢复。
6. 基于 CXSD61111D 的 24V转5V/3A 车载电源设计
设计目标:为车载信息娱乐系统提供5V/3A供电,输入电压24V(18V-36V),要求高效率、宽输入范围,具备过流和短路保护(打嗝模式),并通过AEC-Q100认证,同时要求输出电压精度高。
- 系统配置:选用 CXSD61111D(打嗝模式),输入电容 2×10μF(陶瓷,50V,X7R),输出电容 2×22μF(陶瓷,10V),电感 10μH(饱和电流>4A)。反馈分压:R1=73.2kΩ, R2=10kΩ(计算 VOUT=0.6*(1+73.2/10)=4.99V)。频率设定:ROSC≈100kΩ(约500kHz)。限流设定:RLIM≈47kΩ(约4A限流)。补偿网络参考数据手册(RC=4.3kΩ, CC=3.3nF)。软启动电容 CSS=10nF,启动时间约1ms。
- 效率与热设计:在24V输入、5V/3A输出时,典型效率约92%。功耗 PD ≈ (1-η) × Pout = 0.08 × 15 = 1.2W。TSSOP-14封装在105°C环境下的允许功耗 (150-105)/28 ≈ 1.61W,热裕量充足。
- 瞬态响应:电流模式控制提供快速响应,负载阶跃±1.5A时输出电压跌落可控制在±5%以内。
- 保护验证:若输出短路,限流触发,UVP(0.3V阈值)在约250μs后启动打嗝模式,芯片周期性尝试重启,有效降低系统功耗和芯片温升。
- 精度优势:得益于±1%的参考电压精度,输出电压在全温范围内的偏差更小,满足对电压精度要求严格的负载(如FPGA内核)。
7. PCB 布局建议
- 输入电容就近放置:VIN和PGND之间放置陶瓷电容,尽量靠近芯片引脚,以抑制输入电压振铃。
- 功率回路最小化:VIN → 高侧MOSFET → 电感 → 输出电容 → PGND 路径应短而宽,降低寄生电感。SW节点面积尽可能小,减少EMI。
- 反馈网络:FB分压电阻应靠近芯片放置,走线远离SW和电感等噪声源,避免干扰。
- 补偿网络:COMP引脚的外接电阻电容靠近芯片,接地端直接连至AGND。
- RT/SYNC、RLIM、SS走线:设定电阻和电容靠近对应引脚,走线短且远离高频节点。
- 散热焊盘:芯片底部Exposed Pad必须焊接至PCB地平面,并通过多个过孔连接至内层地和底层,以降低热阻。
8. 订购信息与技术支持
CXSD61111D 采用 TSSOP-14(带散热焊盘) 封装,无铅、RoHS合规,并通过AEC-Q100 Grade 2认证。嘉泰姆电子提供工程样品、量产芯片及全面的技术支持,包括评估板、参考设计和FAE现场支持。
图3. CXSD61111D 引脚封装图(TSSOP-14带散热焊盘)
引脚1,2:SW | 3,15(散热焊盘):PGND | 4:RT/SYNC | 5:AGND | 6:RLIM | 7:FB | 8:COMP | 9:SS | 10:EN | 11:PGOOD | 12,13:VIN | 14:BOOT
技术邮件: ouamo18@jtm-ic.com | 技术热线: 13823140578

中文
English

用户评论