
CXSD61118 2A同步降压转换器 | 2.5V-5.5V | ACOT | 2.7MHz | PGOOD - 嘉泰姆电子
| 产品型号: | CXSD61118 |
| 产品类型: | DC-DC转换器 |
| 产品系列: | 开关稳压器降压 (Buck) 转换器 |
| 产品状态: | 量产 |
| 浏览次数: | 5 次 |
产品简介
技术参数
| 输入电压范围 (VIN) | 2.5V~5.5V |
|---|---|
| 输出电压 (VOUT) | 0.45V~3.3V |
| 输出电流 (IOUT) | 2A |
| 工作频率 | 2700kHz |
| 转换效率 | 95% |
| 封装类型 | WDFN2x2-8S |
| Topology | 开关稳压器降压 (Buck) 转换器 |
| Control method | Resistor |
| Switching frequency | 2700kHz~3000kHz |
| Protection | 过流/过压/过温 |
| Features | 100% Duty Cycle;ACOT Control;Cycle-by-Cycle Current Limit;Enable Input;Fast Transient Response;Internal Compensation;OCP;OTP;PSM;Power Good;Stable with Ceramic Capacitor;UVP |
| Application | 开关稳压器 |
| Operating temp | -40℃~125℃ |
| Precision | ±1% |
| Ext Sync | No |
| Ron HS (typ) (mOhm) | 100 |
| Ron LS (typ) (mOhm) | 80 |
| Iq (typ) (mA) | 0.03 |
| Interface | I2C |
| Current Limit (typ) (A) | 3.2 |
| Number of Outputs | 1 |
产品详细介绍
CXSD61118 2A同步降压转换器
2.5V-5.5V输入 | ACOT控制 | 2.7MHz固定频率 | PGOOD
产品版本:Rev 1.0 | 更新日期:2026年8月 | 型号:CXSD61118 | 封装:WDFN-8SL 2×2
技术咨询:ouamo18@jtm-ic.com 或致电 13823140578 (嘉泰姆电子)
嘉泰姆电子(JTM-IC)推出的 CXSD61118 是一款2A、高效率、采用 先进恒定导通时间(ACOT®) 控制的同步降压转换器。芯片支持 2.5V 至 5.5V 的宽输入电压,输出电压可在 0.45V 至 VIN 范围内调节。内部集成了低阻抗功率MOSFET(高侧100mΩ,低侧80mΩ),结合仅 30μA 的静态电流,可在宽负载范围内实现高效率转换。
ACOT控制架构优化了瞬态响应,支持低ESR陶瓷输出电容,有效减少了外部元件数量。固定 2.7MHz 的开关频率允许使用小型电感和电容,缩小了整体解决方案面积。芯片提供 PGOOD 开漏指示引脚,内置 软启动(典型150μs)、逐周期过流保护、输入欠压锁定、输出欠压保护(打嗝模式) 和 过温保护,确保系统安全可靠。CXSD61118 采用 WDFN-8SL 2×2mm 封装,是手机、手持设备、机顶盒、xDSL平台、WLAN ASIC电源及固态硬盘(SSD/HDD)等低压负载点电源的理想选择。
1. 产品概述与市场定位
在手机、手持设备、宽带通信以及固态存储等应用中,负载点电源需要兼顾高效率、小尺寸和快速瞬态响应。CXSD61118 作为一款 ACOT控制同步降压转换器,其核心价值在于 高集成度、低静态电流和优异的动态性能。宽输入电压范围(2.5V-5.5V)使其能够兼容单节锂离子电池、USB电源以及3.3V/5V系统总线,可轻松生成1.2V、1.8V、2.5V、3.3V等低压轨,为FPGA、ASIC、存储器、Wi-Fi模块等核心负载供电。
芯片的 ACOT(Advanced Constant On-Time) 控制技术,通过内部虚拟电感电流斜坡取代了传统COT所需的输出电容ESR纹波,使得芯片能够稳定工作于低ESR的陶瓷输出电容,无需外部补偿网络。固定2.7MHz的开关频率允许使用小型电感和陶瓷电容,降低了占板面积和BOM成本。内置的 打嗝模式欠压保护 在输出短路时有效降低功耗和温升,提高系统可靠性。PGOOD引脚为系统提供了实时的电压状态指示,便于时序管理。CXSD61118 采用 WDFN-8SL 2×2mm 封装,热阻低至65°C/W,是高性能、高性价比电源转换的优选方案。
2. 主要特点与技术亮点
- ACOT控制架构:内部补偿,无需外部补偿网络,在全陶瓷电容方案下保持稳定;提供超快瞬态响应,适合负载突变应用。
- 固定2.7MHz开关频率:允许使用小型电感和陶瓷电容,降低输出纹波,简化EMI设计,适合紧凑型便携设备。
- 低静态电流(30μA):在轻载时保持高效率,延长电池寿命,特别适合待机功耗敏感的应用。
- 高精度参考电压(±1%):0.45V基准电压在全温范围内精度±1%,支持低输出电压应用,确保精确调节。
- PGOOD输出:开漏输出,当FB电压达到设定值的95%以上时释放,用于系统上电时序和故障指示。
- 内部软启动:典型软启动时间150μs(10%至90% VOUT),快速且平滑地上电,限制启动浪涌电流,支持预偏置启动。
- 保护特性:逐周期高侧峰值限流(典型3.2A)和低侧谷值限流(典型2.4A)、输入欠压锁定(UVLO,典型2.35V)、输出欠压保护(打嗝模式)、过温保护(150°C关断,130°C恢复)。
- 小封装:WDFN-8SL 2×2mm,占板面积小,适合空间受限的便携设备。
3. 典型应用电路
CXSD61118 的典型应用电路包括输入电容、输出电容、功率电感、反馈分压电阻以及可选的相位补偿电容。输入电压经转换后输出稳定电压。具体原理图如下所示,详细元件参数可参考数据手册推荐表。

图1. CXSD61118 典型应用电路(2A同步降压转换器)
图2. CXSD61118 内部功能方框图
内部集成:P-MOSFET高侧开关、N-MOSFET低侧同步整流器、ACOT控制器、误差放大器、电流检测、软启动、PGOOD比较器、UVLO、过流/欠压/过温保护逻辑等。
4. 极限参数与电气特性(设计参考)
| 符号 | 参数 | 最小值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| VIN | 输入电压 | -0.3 | 6 | V |
| LX | 开关节点电压(连续) | -0.3 | 6 | V |
| LX (<50ns) | 开关节点瞬态 | -2.5 | 7 | V |
| 其他引脚(EN, FB, VOS, PGOOD) | — | -0.3 | 6 | V |
| PD @ TA=25°C | 最大功耗(WDFN-8SL 2x2) | — | 1.538 | W |
| θJA | 结到环境热阻 | — | 65 | °C/W |
| θJC | 结到外壳热阻 | — | 8 | °C/W |
| TJ | 结温范围 | -40 | 150 | °C |
| TSTG | 存储温度 | -65 | 150 | °C |
| ESD (HBM) | 人体模型 | — | 2 | kV |
| 参数 | 最小值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| VIN 输入电压 | 2.5 | 5.5 | V |
| 结温 TJ | -40 | 125 | °C |
| 环境温度 TA | -40 | 85 | °C |
| 参数 | 条件 | 典型值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 关断电流 | EN=0V | 1 | μA |
| 静态电流 | VFB=0.5V, 不开关 | 30 | μA |
| 反馈参考电压 | — | 0.45 | V |
| 反馈精度 | — | ±1% | — |
| 高侧MOSFET导通电阻 | — | 100 | mΩ |
| 低侧MOSFET导通电阻 | — | 80 | mΩ |
| 开关频率 | 固定 | 2.7 | MHz |
| 高侧峰值限流 | — | 3.2 | A |
| 低侧谷值限流 | — | 2.4 | A |
| UVLO上升阈值(VIN) | — | 2.35 | V |
| UVLO迟滞 | — | 400 | mV |
| EN高电平阈值 | — | 1.0 | V |
| EN低电平阈值 | — | 0.4 | V |
| 过温保护阈值 | 关断 | 150 | °C |
| 软启动时间(10%-90%) | — | 150 | μs |
| PGOOD高阈值(FB上升) | VFB/ref | 95% | — |
| PGOOD低阈值(FB下降) | VFB/ref | 90% | — |
5. 工作原理与设计指导
5.1 ACOT控制与内部补偿
CXSD61118 采用 先进恒定导通时间(ACOT) 控制。在每个开关周期,反馈电压与内部虚拟电感电流斜坡叠加后与参考电压比较。当组合信号低于参考电压且满足最小关断时间和限流条件时,触发导通时间单稳态,高侧MOSFET导通固定导通时间(由输入/输出电压和频率决定),然后关断,低侧MOSFET导通直到下一个周期。ACOT无需外部补偿网络,内部虚拟斜坡替代了传统COT所需的ESR纹波,支持低ESR陶瓷输出电容,提供超快瞬态响应。
5.2 PGOOD指示与输出电压监测
PGOOD引脚为开漏输出,当FB电压达到设定值的95%以上时,PGOOD释放为高阻态(外部上拉高电平);当FB低于90%或触发保护时,PGOOD被拉低。该信号可用于系统时序控制或故障指示,方便系统实时监测输出电压状态。
5.3 输出电压设定
输出电压通过外部电阻分压器设定,公式如下:
VOUT = 0.45V × (1 + R1/R2)
其中R1连接在VOUT和FB之间,R2连接在FB和GND之间。建议R2在10kΩ~100kΩ范围内,以平衡功耗和抗噪声能力。VOUT 可调范围为0.45V至VIN(受限于输入电压和最大占空比)。
5.4 软启动与保护功能
- 内部软启动:典型软启动时间150μs(10%至90% VOUT),限制启动浪涌电流,支持预偏置启动。
- 输入欠压锁定(UVLO):VIN低于约2.35V时关断,迟滞400mV,防止输入欠压误动作。
- 逐周期限流:高侧峰值限流(典型3.2A)和低侧谷值限流(典型2.4A),防止过载或短路损坏。
- 输出欠压保护(打嗝模式):当FB低于66%参考值时,触发打嗝模式,芯片周期性尝试重启,降低短路功耗。
- 过温保护(OTP):结温超过150°C时关断,冷却约20°C后自动恢复。
6. 基于 CXSD61118 的 1.2V/2A 负载点电源设计
设计目标:为手持设备应用处理器提供1.2V/2A供电,输入电压5V(4.5V-5.5V),要求高效率、小尺寸,具备PGOOD指示和快速瞬态响应。
- 系统配置:选用 CXSD61118,输入电容 10μF(陶瓷,X5R)+0.1μF,输出电容 22μF(陶瓷,X7R),电感 0.47μH(饱和电流>3.5A)。反馈分压:R1=65.3kΩ, R2=39.2kΩ(计算 VOUT=0.45*(1+65.3/39.2)=1.20V)。PGOOD上拉电阻100kΩ至VIN或3.3V逻辑电源。
- 效率与热设计:在5V输入、1.2V/2A输出时,典型效率约90%。功耗 PD ≈ (1-η) × Pout = 0.1 × 2.4 = 0.24W。WDFN-8SL封装在85°C环境下的允许功耗 (125-85)/65 ≈ 0.615W,热裕量充足。
- 瞬态响应:ACOT控制提供快速响应,负载阶跃±1A时输出电压跌落可控制在±50mV以内。
- PGOOD应用:当输出电压达到1.2V的95%(1.14V)且软启动完成后,PGOOD释放为高电平,可用于处理器复位使能。
- 保护验证:若输出短路,限流触发,UVP打嗝模式启动,有效降低系统功耗和芯片温升。
7. PCB 布局建议
- 输入/输出电容就近放置:VIN和VOUT的陶瓷电容应靠近芯片引脚,以降低寄生电感,提供良好的去耦效果。
- 功率回路最小化:VIN → 高侧MOSFET → 电感 → 输出电容 → PGND 路径应短而宽,降低寄生电阻和电感。LX节点面积尽可能小,减少EMI。
- 反馈网络:FB和VOS分压电阻应靠近芯片放置,走线远离LX和电感等噪声源,避免干扰。
- EN和PGOOD走线:控制信号和PGOOD输出走线应短且远离LX节点。
- 散热焊盘:芯片底部Exposed Pad必须焊接至PCB地平面,并通过多个过孔连接至内层地和底层,以降低热阻。建议散热焊盘下方铜箔面积不小于70mm²。
- AGND与PGND:模拟地和功率地应单点连接(通常在散热焊盘处),避免功率电流耦合噪声。
8. 订购信息与技术支持
CXSD61118 采用 WDFN-8SL 2×2mm 封装,无铅、RoHS合规。嘉泰姆电子提供工程样品、量产芯片及全面的技术支持,包括评估板、参考设计和FAE现场支持。
图3. CXSD61118 引脚封装图(WDFN-8SL 2×2mm)
引脚1:EN | 2,9(散热焊盘):PGND | 3:AGND | 4:FB | 5:VOS | 6:PGOOD | 7:LX | 8:VIN
技术邮件: ouamo18@jtm-ic.com | 技术热线: 13823140578

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