CXSD61262C ACOT同步降压DC/DC转换器
4.3V-18V宽输入 | 1.5A输出 | 500kHz | UVP Hiccup模式

产品版本：Rev 1.0 | 更新日期：2026年8月 | 型号：CXSD61262C | 封装：SOT-23-6 / TSOT-23-6

嘉泰姆电子（JTM-IC）推出的 CXSD61262C 是采用高级恒定导通时间（ACOT™）控制架构的高性能同步降压DC/DC转换器，专为需要快速瞬态响应、高效率和超小尺寸的负载点调节应用而设计。该芯片支持 4.3V至18V 的宽输入电压范围，提供高达 1.5A 的连续输出电流，输出电压可调范围 0.6V至8V。ACOT™架构实现了 超快速瞬态响应，并允许使用 低ESR陶瓷输出电容，无需复杂的外部补偿。芯片以 500kHz 准固定开关频率工作，在输入电压和负载变化范围内保持优异的频率稳定性。内部集成低导通电阻功率MOSFET（高侧230mΩ，低侧130mΩ），在全负载范围内提供高达 95% 的转换效率。 逐周期谷值电流限制（典型值2.2A）提供精确的过流保护，内部 800μs软启动 消除启动浪涌。CXSD61262C 在轻载时自动进入 轻载高效模式（PSM），降低开关频率，显著提升轻载效率。芯片还集成了 输入欠压锁定（UVLO）、hiccup模式欠压保护（UVP） 和 热关断保护（OTP），确保系统安全。CXSD61262C 采用超小型 SOT-23-6 和 TSOT-23-6 封装，是工业与商业低功耗系统、计算机外设、LCD显示器、FPGA/ASIC负载点稳压和绿色电子应用的理想选择。

1. 产品概述与市场定位

在现代紧凑型电子系统中，PCB面积和电源效率是设计的关键约束。CXSD61262C 作为 ACOT™同步降压转换器，其核心优势在于 先进的恒定导通时间控制架构，实现了近乎瞬时的负载瞬态响应，同时在整个输入电压和负载范围内保持 500kHz的准恒定开关频率。与传统电流模式或电压模式控制相比，ACOT™架构无需复杂的补偿网络，大大简化了设计，并允许使用小尺寸、低成本的陶瓷输出电容，显著减小PCB占板面积。

芯片内部集成了高侧和低侧功率MOSFET，导通电阻分别为 230mΩ 和 130mΩ，在1.5A满载条件下有效降低导通损耗，提升系统整体效率。 500kHz准固定开关频率 允许使用小型电感器（典型值2.2μH-10μH）和陶瓷电容，同时通过频率反馈环路补偿开关损耗和寄生效应，保持频率稳定。 逐周期谷值电流限制（典型值2.2A）通过监测低侧MOSFET的压降实现精确保护，防止电感电流失控。内部 800μs软启动 支持预偏置输出启动，避免启动时的输入浪涌电流。CXSD61262C 在轻载时自动进入 轻载高效模式（PSM），降低开关频率，减少开关损耗和栅极驱动损耗，显著提高轻载效率。CXSD61262C 采用超小型 SOT-23-6 和 TSOT-23-6 封装，是空间受限应用的理想选择。

2. 主要特点与技术亮点

• ACOT™（高级恒定导通时间）控制：专有的ACOT架构结合了恒定导通时间控制的快速瞬态响应和准固定频率特性，通过内部虚拟电感电流斜坡替代ESR斜坡，实现对低ESR陶瓷电容的稳定支持。
• 准固定开关频率（500kHz）：通过测量实际开关频率并反馈调节导通时间，在输入电压和负载变化范围内保持频率稳定，减少EMI干扰风险。
• 轻载高效模式（PSM）：在轻载条件下自动进入Power Saving Mode，降低有效开关频率，减少开关损耗，显著提升轻载效率。
• 逐周期谷值电流限制：限流阈值典型值2.2A，有效防止过流损坏。
• UVP Hiccup模式：当VFB低于0.4V时触发欠压保护，芯片进入hiccup模式，周期性尝试重启，故障移除后自动恢复，软启动期间UVP禁用。
• 内部800μs软启动：内置软启动电路，消除启动浪涌，支持预偏置输出。
• 输入欠压锁定（UVLO）：VIN上升阈值3.9V，迟滞340mV，防止欠压工作。
• 热关断保护（OTP）：结温超过160°C时关断，降温约20°C后自动重启。
• 超小封装：SOT-23-6和TSOT-23-6封装，占板面积极小，适合便携设备。

3. 引脚封装图

引脚封装图：SOT-23-6 / TSOT-23-6

4. 典型应用电路

图2. 典型应用电路（4.3V-18V输入，1.5A输出）

5. 极限参数与电气特性（设计参考）

6. 工作原理与设计指导

6.1 ACOT™ 控制架构与轻载高效模式（PSM）

CXSD61262C 采用 高级恒定导通时间（ACOT™） 控制架构。该架构通过内部虚拟电感电流斜坡替代输出电容ESR产生的斜坡，实现对低ESR陶瓷电容的稳定支持，无需外部补偿网络。导通时间自适应调节，确保准固定500kHz开关频率。轻载时自动进入PSM，降低开关频率，提升轻载效率。

6.2 输出电压设置

输出电压通过外部分压电阻设置，FB参考电压为 0.6V。公式：VOUT = 0.6 × (1 + R1/R2)。推荐使用1%精度电阻，R2取值范围10kΩ-100kΩ。

推荐元件配置（VIN=12V，fSW=500kHz）：

注：CFF为前馈电容，仅在VOUT > 3.3V时推荐使用。

6.3 内部软启动

内置 800μs软启动，消除启动浪涌，支持预偏置输出。为确保软启动成功，输出电容应满足：T = [COUT × VOUT × 0.6 × 1.2] / [(ILIM - Load Current) × 0.8] ≤ 800μs。

6.4 使能控制与UVP Hiccup模式

EN引脚支持1.5V至18V宽电压输入，可直接连接VIN实现自动启动。CXSD61262C采用 Hiccup模式 欠压保护，当VFB低于0.4V时触发UVP，芯片停止开关，经过一段延迟后自动尝试重启，故障移除后恢复正常工作。软启动期间UVP禁用，避免误触发。

6.5 电感器选型

建议纹波电流为最大负载电流的20%-40%。电感值公式：L = [VOUT × (VIN - VOUT)] / [VIN × fSW × ΔIL]。推荐电感值范围：2.2μH-10μH（参考上表）。饱和电流应大于峰值限流值（约2.2A）。

设计示例（12V输入，1.2V/1.5A输出，纹波电流0.6A）：L = 1.2×(12-1.2)/(12×500k×0.6) = 3.6μH。峰值电流 = 1.5 + 0.3 = 1.8A。

6.6 输入与输出电容选型

输入电容推荐 10μF + 0.1μF 陶瓷 并联。输出电容推荐 22μF 陶瓷（X5R/X7R）。输出纹波估算（1.2V，ΔIL=0.46A，ESR=5mΩ，COUT=22μF）：VRIPPLE(ESR)=2.3mV，VRIPPLE(C)=5.23mV，总纹波≈7.5mV。

6.7 前馈电容（CFF）

对于VOUT > 3.3V的应用，建议在R1上并联CFF以改善瞬态响应。计算公式：CFF = 1 / (2π × R1 × BW × 0.8)，其中BW为系统带宽。

6.8 保护功能详解

• 逐周期谷值电流限制：限流阈值2.2A（典型），防止过流。
• 输出欠压保护（UVP）：VFB低于0.4V触发hiccup模式，自动尝试恢复。
• 输入欠压锁定（UVLO）：VIN上升阈值3.9V，迟滞340mV。
• 热关断保护（OTP）：结温超过160°C关断，降温20°C后重启。

7. 基于 CXSD61262C 的负载点电源设计实例

设计目标：一款便携式数据采集设备，需要为传感器和MCU提供 3.3V/1.5A 的电源，输入来自 12V 适配器，要求小尺寸、高效率和低待机功耗，并具备可靠的欠压自动恢复能力。

• 系统配置：选用 CXSD61262C（TSOT-23-6），VIN=12V，VOUT=3.3V，IOUT=1.5A。电感 L=6.8μH（DCR<80mΩ），输入电容 CIN=10μF+0.1μF，输出电容 COUT=22μF。分压电阻 R1=115kΩ，R2=25.5kΩ，CFF=33pF。
• 效率表现：满载效率>90%，轻载PSM模式提升效率。
• UVP Hiccup保护：在输出短路或欠压时，芯片自动进入hiccup模式，尝试重启，故障移除后自动恢复，无需外部干预。
• 热设计：TSOT-23-6 θJA=160°C/W，最大功耗0.625W。实际满载功耗约0.4W，温升约64°C，结温低于89°C，满足要求。

8. PCB 布局建议

• 输入电容尽量靠近VIN和GND引脚。
• LX走线短而宽，面积最小化。
• FB分压电阻紧靠芯片，远离LX节点。
• GND直接连接大面积地平面，散热焊盘多过孔。
• BOOT电容0.1μF紧靠BOOT和SW。

9. 订购信息与技术支持

CXSD61262C 提供 SOT-23-6 和 TSOT-23-6 两种封装选项，无铅、RoHS合规，工作温度范围 -40°C 至 +85°C（环境），结温范围 -40°C 至 +125°C。嘉泰姆电子提供工程样品、量产芯片及全面的技术支持。