CXSD61308D 2.5A强制PWM同步降压转换器
2.7V-6V输入 | 0.6V-3.4V可调输出 | 1MHz | 强制PWM | PGOOD | SOT-23-6

产品版本：Rev 1.0 | 更新日期：2026年8月 | 型号：CXSD61308D | 封装：SOT-23-6

嘉泰姆电子（JTM-IC）推出的 CXSD61308D 是一款简单易用的2.5A同步降压DC/DC转换器，采用 电流模式恒定导通时间（CMCOT） 控制架构，内部集成低导通电阻功率MOSFET（高侧100mΩ，低侧70mΩ），无需外部肖特基二极管。芯片输入电压范围 2.7V至6V，输出电压可调范围为 0.6V至3.4V，支持高达 2.5A 的连续输出电流。

CXSD61308D 的固定开关频率为 1MHz（典型值），允许使用小尺寸电感和陶瓷电容，有效减小方案面积。CMCOT控制架构提供超快速瞬态响应，无需外部补偿，优化了低ESR陶瓷输出电容的稳定性。芯片采用 强制PWM模式，在整个负载范围内保持恒定开关频率，输出纹波极低，电压调节精度高，适合对噪声和精度敏感的应用。内置 1.2ms软启动、逐周期过流保护（谷值电流限制3.5A典型值）、输入欠压锁定（UVLO）、输出欠压保护（打嗝模式） 以及 过温保护（OTP）。芯片还提供 功率良好指示（PGOOD） 功能，开漏输出，便于系统时序监控。芯片支持预偏置输出的单调启动，确保安全上电。此外，CXSD61308D 提供最大占空比70%（最小），支持低压差运行。

CXSD61308D 采用 SOT-23-6 小型封装，是机顶盒、电缆调制解调器、xDSL平台、LCD电视电源、计量平台以及通用负载点（POL）电源等应用的理想选择。

1. 主要特点与技术亮点

• 高效率同步整流：内部集成低导通电阻功率MOSFET（高侧100mΩ，低侧70mΩ），无需外部肖特基二极管，效率高达95%。
• 宽输入电压范围（2.7V-6V）：兼容5V和3.3V电源轨，适用于多种应用场景。
• 可调输出电压（0.6V-3.4V）：通过外部电阻分压器灵活设定，满足不同负载电压需求。
• CMCOT控制架构：电流模式恒定导通时间控制，提供超快瞬态响应，内部补偿简化设计，无需外部补偿元件，兼容低ESR陶瓷输出电容。
• 1MHz固定开关频率：允许使用小尺寸电感和电容，降低BOM成本和PCB面积。
• 强制PWM模式：在整个负载范围内保持恒定开关频率，输出纹波极低，电压调节精度高，适合噪声敏感应用。
• 内部软启动（1.2ms）：抑制启动浪涌电流和输出电压过冲，支持预偏置输出单调启动，确保系统安全上电。
• 功率良好指示（PGOOD）：开漏输出，当FB电压高于0.54V时指示正常，便于系统时序管理。
• 保护功能：
  • 逐周期谷值电流限制（3.5A典型值），通过低侧FET检测，防止过流损坏。
  • 输出欠压保护（打嗝模式）：当FB电压低于0.2V时触发打嗝保护，自动重启，降低短路功耗。
  • 输入欠压锁定（UVLO）：VIN上升至2.25V启动，下降时关断，防止低电压误动作。
  • 过温保护（OTP）：结温超过150°C时停止开关，温度下降20°C后自动恢复。
• 最大占空比支持：最小占空比70%，支持低压差运行，适用于输入输出电压接近的场景。
• RoHS合规：无铅、无卤素，环保设计。

2. 引脚配置与功能描述

CXSD61308D 采用 SOT-23-6 封装，6引脚设计，集成使能控制、功率良好指示和反馈功能。

引脚封装图（SOT-23-6）

3. 典型应用电路

CXSD61308D 的典型应用电路非常精简，只需少量外部元件。输入电容建议使用有效容值大于22μF的陶瓷电容，输出电容推荐22μF，电感推荐1.5μH。反馈网络由两个电阻构成分压器，可参考下表推荐的元件值。前馈电容（CFF）可选，用于优化瞬态响应。

图2. 典型应用电路（SOT-23-6封装）

3.1 输出电压设定

输出电压通过外部电阻分压器设定，公式如下：

其中 VREF = 0.6V（典型值），R1 为连接至VOUT的上拉电阻，R2 为连接至GND的下拉电阻。下表提供了常用输出电压的推荐电阻值和电感选型。所有输入输出电容值均为有效容值，需考虑DC偏置降额影响。

4. 极限参数与电气特性

5. 工作原理与设计指导

5.1 基本工作原理

CXSD61308D 采用 电流模式恒定导通时间（CMCOT） 控制架构。在正常工作时，高侧P-MOSFET在开关控制器被比较器置位时导通，在导通时间比较器复位时关断。低侧MOSFET的峰值电流通过内部检测电阻测量。误差放大器EA通过比较FB反馈电压与内部0.6V参考电压来调整COMP电压。当负载电流增加时，反馈电压相对参考值下降，COMP电压上升，允许更高的电感电流以匹配负载。

5.2 欠压锁定、使能控制与软启动

芯片内置 欠压锁定（UVLO），当VIN低于UVLO阈值时停止开关。EN引脚可外部控制使能，当EN低于下降阈值（0.4V）时进入关断模式，关断电流低于1μA。EN可直接连接至VIN。内部 1.2ms软启动 在EN拉高且VIN高于UVLO阈值后启动，内部电容充电产生线性斜坡电压，钳制FB电压，使PWM脉宽逐渐增加，抑制启动浪涌电流。芯片支持预偏置输出单调启动，确保安全上电。

5.3 功率良好指示（PGOOD）

PGOOD为开漏输出，需外接上拉电阻。当FB电压高于0.54V时，PGOOD内部MOSFET关断，引脚呈高阻抗（由外接上拉电阻拉高）；当FB电压低于0.54V时，PGOOD被拉低。从EN使能到PGOOD有效的延迟时间约为2ms，内部上拉电阻为10Ω。

5.4 保护功能

• 输出欠压保护（UVP）：持续监测FB电压，当FB低于0.2V时，高侧MOSFET关断，低侧MOSFET导通，放电输出，进入打嗝模式，自动重启。
• 过流保护（OCP）：检测谷值电感电流，当超过3.5A（典型值）时触发OCP，高侧关断，低侧导通，直至UVP触发，进入打嗝模式。
• 过温保护（OTP）：结温超过150°C时停止开关，温度下降20°C后自动恢复。

5.5 强制PWM模式

CXSD61308D 默认工作在 强制PWM模式，内部零电流检测（ZCD）电路被禁用，在整个负载范围内开关频率固定为1MHz（典型值）。强制PWM模式具有输出纹波极小、电压调节严格和频率稳定的优点，适合噪声敏感应用，但轻载效率略低于PSM模式。

5.6 最大占空比与低压差

芯片的最大占空比典型值为70%（最小），由最小关断时间（180ns max）、死区时间（60ns max）和开关频率（1.2MHz max）决定。当输入输出电压接近时，芯片以最小关断时间运行，支持低压差（LDO）模式，延长电池供电系统的运行时间。

5.7 电感选型

电感值的选择影响纹波电流和瞬态响应。推荐的LIR（峰峰值纹波电流与平均电感电流之比）通常在0.2-0.4之间。电感值计算公式：

对于CXSD61308D，推荐使用 1.5μH 电感作为初始设计。电感峰值电流为：

电感的饱和电流应高于芯片的电流限制阈值（3.5A典型值），DCR尽可能低以提高效率。

5.8 输入输出电容选型

输入电容：建议使用X5R或X7R陶瓷电容，有效容值大于22μF，额定电压至少为最大输入电压的1.5倍。输入电容RMS电流计算公式：

输出电容：输出电容与电感构成低通滤波器，影响输出纹波和瞬态响应。推荐使用22μF陶瓷电容，输出纹波电压估算：

在负载瞬变时，输出电容的ESR决定电压跌落：VSAG = ΔILOAD × ESR。建议使用低ESR陶瓷电容，并注意DC偏置降额影响。

6. PCB布局建议

良好的PCB布局对于高频开关电源至关重要，以下建议可帮助优化性能和EMI：

• 主功率回路最小化：VIN → 高侧MOSFET → LX → 电感 → COUT → GND 的回路应尽量短而宽。
• 输入电容就近放置：22μF输入陶瓷电容尽可能靠近VIN和GND引脚，并额外并联一个小电容滤除高频噪声。
• LX节点面积最小化：LX节点为高频开关节点，应保持小面积以减少辐射。
• 反馈网络远离噪声源：FB分压电阻靠近IC，反馈走线远离LX和电感。
• GND连接：芯片GND引脚应直接连接至大面积地平面，以降低热阻和噪声。
• PGOOD走线：PGOOD为开漏输出，上拉电阻应靠近IC放置，走线远离噪声源。
• 散热设计：对于2.5A输出应用，建议在PCB上为GND引脚提供足够的铜箔面积辅助散热。

7. 热设计考虑

CXSD61308D 的最大功耗取决于封装热阻和布局。SOT-23-6的θJA为91.5°C/W（基于四层热测试板）。在TA=25°C时，最大功耗为：

实际应用中需确保结温不超过125°C，必要时增加铜箔面积或采用散热过孔改善散热。

8. 订购信息与技术支持

CXSD61308D 采用 SOT-23-6 封装，无铅、RoHS合规。嘉泰姆电子提供工程样品、评估板、参考设计及FAE技术支持。