核心优势： 1.8V-5.5V宽输入/输出 | 2.1A负载能力 | CMCOT拓扑（低纹波）| 同步整流 | PSM轻载高效 | 可调平均电流限制（ILIM）| 输出过压/短路保护 | 输出放电 | True Load Disconnect | TSOT-23-8封装。

1. 产品概述与市场定位

随着智能手机、可穿戴设备及物联网终端对电池续航能力的要求不断提高，新一代锂电池（如高电压 LiCoO2 或 LiFePO4）在放电末期电压可能低于系统所需的最低工作电压（例如3.3V）。CXSU63317 作为一款 同步升压转换器，能够在电池电压低至1.8V时仍稳定输出所需电压（最高5.5V），从而充分利用电池容量，延长设备运行时间。芯片的 CMCOT 控制架构 在输入电压接近输出时仍可保持极低输出纹波，非常适合对电源噪声敏感的射频和音频电路。其 PSM 轻载模式 在轻载时自动降低开关频率，减少损耗，提升整体效率。CXSU63317 还提供 ILIM 引脚 用于设定两级平均输出电流限制，用户可根据负载需求灵活配置，防止过载。芯片内置 输出放电功能，在关断后10ms内快速泄放输出电容余电，确保下次上电时序可靠。CXSU63317 采用 TSOT-23-8（FC） 封装，配合小尺寸外围元件，整体方案面积小，非常适合空间受限的便携设备。

2. 主要特点与技术亮点

• 极少外部元件：仅需 1.5μH 电感、22μF 输入电容和 22μF×2 输出电容（0805 尺寸）。
• 输出电压可调：通过外部反馈电阻分压，FB 参考电压为 0.5V，可灵活设定 1.8V 至 5.5V 任意输出。
• 可编程电流限制：ILIM 引脚拉高或拉低，可选择两级平均输出电流限值，适配不同负载能力。
• 内部补偿：无需外部补偿网络，简化设计。
• 保护功能：输入欠压锁定（UVLO）、逐周期谷值电流限制、输出过压保护（OVP）、输出短路保护、过温保护（OTP）。
• 故障恢复：发生故障后 20ms 自动重启。

3. 引脚配置与功能描述

CXSU63317 采用 TSOT-23-8（FC）封装，主要引脚包括：VIN（电源输入）、FB（反馈输入，参考0.5V）、VOUT（输出）、PGND（功率地）、GND（模拟地）、SW（开关节点）、EN（使能）、ILIM（平均输出电流限制控制）。详细引脚分布请参考数据手册。

图1. 引脚封装图（TSOT-23-8 顶视图）

4. 典型应用电路

CXSU63317 的典型应用电路包含输入电容 CIN（22μF）、输出电容 COUT（22μF×2）、功率电感 L（1.5μH）、反馈分压电阻 R1/R2、使能控制 EN 以及电流限制设定 ILIM。芯片通过 FB 引脚检测输出电压，经内部误差放大器与 0.5V 参考比较后控制升压占空比，实现稳定输出。

图2. 典型应用电路（CXSU63317 升压稳压器）

5. 极限参数与电气特性

符号	参数	最小值	最大值	单位
VIN, FB, ILIM, EN, SW	对 GND 电压	-0.2	6	V
VOUT	对 GND 电压	—	6.2	V
TJ	结温范围	-40	150	°C
TSTG	存储温度	-65	150	°C
ESD（HBM）	人体模型	—	2	kV

参数	最小值	最大值	单位
VIN 输入电压	1.8	5.5	V
VOUT 输出电压	1.8	5.5	V
环境温度	-40	85	°C
结温	-40	125	°C

参数	条件	典型值	单位
VIN 工作范围	VIN < VOUT - 0.2V	1.8-5.5	V
VOUT 范围	—	1.8-5.5	V
UVLO 上升阈值	—	1.65	V
UVLO 下降阈值	—	1.55	V
FB 参考电压	强制PWM模式	0.5	V
输出电压精度	PSM模式，IOUT=0mA	±2	%
开关频率	—	1.5	MHz
最大负载电流	—	2.1	A
谷值电流限制	—	3.5	A
软启动输入电流（LIN1）	—	1	A
软启动输入电流（LIN2）	—	3	A
关断电流	EN=0	<1	μA
输出放电时间	EN拉低后	10	ms

6. 工作原理与设计指导

6.1 CMCOT 控制与 PSM 模式

CXSU63317 采用 CMCOT（恒定导通时间 + 电流模式控制） 架构，在输入电压接近输出电压时仍能保持极低输出纹波，并具有快速的瞬态响应。轻载时，芯片自动进入 PSM（Power Save Mode），通过脉冲频率调制降低开关损耗，提升轻载效率。在 PSM 模式下，输出电压会略高于设定值，当负载增加时自动切换至 PWM 模式。

6.2 输出电压设置

输出电压通过外部反馈电阻分压设定，FB 引脚参考电压为 0.5V。计算公式为：
VOUT = VFB × (1 + R1/R2)，其中 VFB = 0.5V。建议 R2 取值在 100kΩ 左右，以兼顾功耗和噪声抑制。

6.3 平均输出电流限制（ILIM 引脚）

ILIM 引脚为数字逻辑输入，用于选择两级平均输出电流限制阈值：

• ILIM = 低：设定较低的电流限制值（具体值见数据手册）。
• ILIM = 高：设定较高的电流限制值。

该功能可帮助系统根据负载能力灵活配置过流保护点，防止输出短路或过载时损坏器件。

6.4 保护机制

• 输入欠压锁定（UVLO）：VIN 低于 1.55V 时关闭芯片，高于 1.65V 时恢复。
• 逐周期谷值电流限制：监测电感电流，防止过流。
• 输出过压保护（OVP）：输出电压超过 6V（典型）时关断功率管，防止损坏负载。
• 输出短路保护：输出对地短路时，芯片进入故障态并尝试重启。
• 过温保护（OTP）：结温超过 150°C（典型）时关断，冷却后重启。
• 输出放电功能：EN 拉低后，内部放电开关导通 10ms，快速泄放输出电容余电。
• True Load Disconnect：关断时输出与输入物理断开，防止反向漏电。

6.5 元件选型指导

• 电感 L：推荐 1.5μH，饱和电流 ≥5A，DCR 低（如 TDK SPM6530T 或 Taiyo Yuden NRS5040T）。
• 输入电容 CIN：至少 22μF 陶瓷电容（X5R/X7R，耐压 ≥16V），靠近 VIN 和 GND 放置，另加 1μF 高频旁路电容。
• 输出电容 COUT：推荐 22μF × 2 陶瓷电容（X5R/X7R，耐压 ≥10V），靠近 VOUT 和 PGND，以降低输出纹波。纹波计算：COUT = tSW × (1 - VIN/VOUT) × ILOAD / VRIPPLE(P-P)。
• 反馈电阻：R2 取 100kΩ 左右，R1 = R2 × (VOUT/0.5 - 1)。

7. 基于 CXSU63317 的智能手机电源设计实例

设计目标：一款智能手机，采用单节 LiFePO4 电池（标称3.2V，放电终止电压2.5V），需为系统 PMIC 提供稳定的 3.8V/1.8A 电源，同时支持动态调压以优化功耗。

• 系统配置：选用 CXSU63317（TSOT-23-8 封装），VIN=2.5V-4.2V，VOUT 设定为 3.8V（通过 R1/R2 设定），最大负载 1.8A。
• 电感：1.5μH，饱和电流 5A（如 TDK SPM6530T）。
• 输入电容：22μF/16V X5R（0805）靠近 VIN，另加 1μF 旁路电容。
• 输出电容：两个 22μF/10V X5R（0805）并联，靠近 VOUT。
• 控制逻辑：EN 接系统使能信号，ILIM 接高电平（设定较高电流限制），FB 分压电阻设定 3.8V。
• 启动过程：系统上电后，EN 置高，芯片经过 LIN1/LIN2 预充、软启动后进入升压模式，当电池电压高于 4.0V 时自动切换为旁路模式（直通），降低功耗。
• 故障处理：若输出过载或短路，芯片进入故障态，20ms 后自动重启，PGOOD（如有）可指示状态。

8. PCB 布局建议

• 功率回路最小化：输入电容、LX 引脚、电感、输出电容和 PGND 之间的走线应短而宽，减少寄生电阻和电感。
• 输入电容靠近 VIN：CIN 必须尽可能靠近 VIN 和 GND 引脚，以降低高频噪声。
• 输出电容靠近 VOUT：COUT 应紧靠 VOUT 和 PGND 放置，确保低 ESR 路径，降低输出纹波。
• LX 节点面积最小化：LX 引脚连接电感，该节点高频开关，铜皮面积应尽量小以减少 EMI 辐射。
• 地线分割：AGND 和 PGND 应独立走线，在芯片下方或靠近散热焊盘处单点连接，避免功率地噪声污染小信号地。
• 反馈网络就近放置：FB 分压电阻应靠近 FB 引脚，并远离 LX 等噪声节点。
• 散热设计：TSOT-23-8 封装底部有散热焊盘，应焊接至 PCB 大面积铜箔，并加过孔辅助散热。θJA 为 56°C/W，在 TA=25°C 时最大耗散功率约 1.78W。
• ILIM 和 EN 引脚：避免浮空，需外接上拉或下拉电阻确定电平。

9. 订购信息与技术支持

CXSU63317 采用 TSOT-23-8（FC） 封装，无铅、RoHS 合规。嘉泰姆电子提供工程样品、量产芯片及全面的技术支持，包括评估板、参考设计和 FAE 现场支持。如需获取完整数据手册、应用笔记或设计咨询，请通过以下方式联系。