CXSD62108单相恒定时间同步的脉宽调制控制器驱动N通道mosfet笔记本电脑中产生低压芯片组RAM电源的电压

发布时间:2020-04-23 14:31:47 浏览次数:323 作者:oumao18 来源:嘉泰姆
摘要:CXSD62108配备了精确的正电流限制、输出欠压和输出过电压保护,非常适合NB应用。 上电复位功能监控VCC和PVCC上的电压防止上电时误操作。CXSD62108具有1.2ms数字 软启动和内置的集成输出放电装置软停止。一个内部集成软启动可编程增加输出电压 降低启动电流的回转率。主动软停止功能放电输出电容器
CXSD62108单相恒定时间同步的脉宽调制控制器驱动N通道mosfet笔记本电脑中产生低压芯片组RAM电源的电压

目录Mqc嘉泰姆

1.产品概述                       2.产品特点Mqc嘉泰姆
3.应用范围                       4.下载产品资料PDF文档 Mqc嘉泰姆
5.产品封装图                     6.电路原理图                   Mqc嘉泰姆
7.功能概述                        8.相关产品Mqc嘉泰姆

一,产品概述(General Description)         Mqc嘉泰姆
      The CXSD62108 is a single-phase, constant-on-time,synchronous PWMMqc嘉泰姆
controller, which drives N-channel MOSFETs. The CXSD62108 steps down highMqc嘉泰姆
voltage to generate low-voltage chipset or RAM supplies in notebook computers.Mqc嘉泰姆
      The CXSD62108 provides excellent transient response and accurate DCMqc嘉泰姆
voltage output in either PFM or PWM Mode.In Pulse Frequency Mode (PFM),Mqc嘉泰姆
the CXSD62108 provides very high efficiency over light to heavy loads with Mqc嘉泰姆

loading-modulated switching frequencies. In PWM Mode, the converter worksMqc嘉泰姆

nearly at constant frequency for low-noise requirements.Mqc嘉泰姆
    The CXSD62108 is equipped with accurate positive current-limit, outputMqc嘉泰姆
under-voltage, and output over-voltage protections, perfect for NB applications.Mqc嘉泰姆
The Power-On-Reset function monitors the voltage on VCC and PVCC toMqc嘉泰姆
prevent wrong operation during power-on. The CXSD62108 has a 1.2ms digitalMqc嘉泰姆
soft-start and built-in an integrated output discharge device for soft-stop. An Mqc嘉泰姆

internal integrated soft-start ramps up the output voltage with programmable Mqc嘉泰姆

slew rate to reduce the start-up current. A soft-stop function actively Mqc嘉泰姆

discharges the output capacitors.Mqc嘉泰姆
       The CXSD62108 is available in 14pin TSSOP, 14pin QFN and 16pin TQFNMqc嘉泰姆
packages respectively.Mqc嘉泰姆
二.产品特点(Features)Mqc嘉泰姆
Adjustable Output Voltage from +0.75V to +5.5VMqc嘉泰姆
- 0.75V Reference VoltageMqc嘉泰姆
- ±1% Accuracy Over-TemperatureMqc嘉泰姆
Operates from An Input Battery Voltage Range ofMqc嘉泰姆
+1.8V to +28VMqc嘉泰姆
Power-On-Reset Monitoring on VCC Pin and PVCC PinMqc嘉泰姆
Excellent Line and Load Transient ResponsesMqc嘉泰姆
PFM Mode for Increased Light Load EfficiencyMqc嘉泰姆
Programmable PWM Frequency from 100kHz to 500kHzMqc嘉泰姆
Integrated MOSFET DriversMqc嘉泰姆
Integrated Bootstrap Forward P-CH MOSFETMqc嘉泰姆
Adjustable Integrated Soft-Start and Soft-StopMqc嘉泰姆
Selectable Forced PWM or Automatic PFM/PWM ModeMqc嘉泰姆
Power Good MonitoringMqc嘉泰姆
70% Under-Voltage ProtectionMqc嘉泰姆
125% Over-Voltage ProtectionMqc嘉泰姆
Adjustable Current-Limit ProtectionMqc嘉泰姆
- Using Sense Low-Side MOSFET’s RDS(ON)Mqc嘉泰姆
Over-Temperature ProtectionMqc嘉泰姆
TSSOP-14, QFN3.5x3.5-14, and TQFN3x3-16 PackagesMqc嘉泰姆
Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)Mqc嘉泰姆
三,应用范围 (Applications)Mqc嘉泰姆
NotebookMqc嘉泰姆
Table PCMqc嘉泰姆
Hand-Held PortableMqc嘉泰姆
AIO PCMqc嘉泰姆
四.下载产品资料PDF文档 Mqc嘉泰姆

需要详细的PDF规格书请扫一扫微信联系我们,还可以获得免费样品以及技术支持Mqc嘉泰姆

 QQ截图20160419174301.jpgMqc嘉泰姆

五,产品封装图 (Package)Mqc嘉泰姆

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六.电路原理图Mqc嘉泰姆


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七,功能概述Mqc嘉泰姆


Layout Consideration (Cont.)Mqc嘉泰姆
· The signals going through theses traces have both high dv/dt and high di/dt with high peak charging and dis-Mqc嘉泰姆
charging current. The traces from the gate drivers to the MOSFETs (UGATE and LGATE) should be short and wide.Mqc嘉泰姆
· Place the source of the high-side MOSFET and the drain of the low-side MOSFET as close as possible. Minimiz-Mqc嘉泰姆
ing the impedance with wide layout plane between the two pads reduces the voltage bounce of the node. InMqc嘉泰姆
addition, the large layout plane between the drain of the MOSFETs (VIN and PHASE nodes) can get better heatMqc嘉泰姆
sinking.Mqc嘉泰姆
· The PGND is the current sensing circuit reference ground and also the power ground of the LGATE low-Mqc嘉泰姆
side MOSFET. On the hand, the PGND trace should be a separate trace and independently go to the source of theMqc嘉泰姆
low-side MOSFET. Besides, the current sense resistor should be close to OCSET pin to avoid parasitic capaci-Mqc嘉泰姆
tor effect and noise coupling.Mqc嘉泰姆
· Decoupling capacitors, the resistor-divider, and boot capacitor should be close to their pins. (For example, placeMqc嘉泰姆
the decoupling ceramic capacitor close to the drain of the high-side MOSFET as close as possible.)Mqc嘉泰姆
· The input bulk capacitors should be close to the drain of the high-side MOSFET, and the output bulk capacitorsMqc嘉泰姆
should be close to the loads. The input capacitor’s ground should be close to the grounds of the output capacitorsMqc嘉泰姆
and low-side MOSFET.Mqc嘉泰姆
· Locate the resistor-divider close to the FB pin to mini-mize the high impedance trace. In addition, FB pin tracesMqc嘉泰姆
can’t be close to the switching signal traces (UGATE, LGATE, BOOT, and PHASE).Mqc嘉泰姆
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Part_No Mqc嘉泰姆

Package Mqc嘉泰姆

ArchiMqc嘉泰姆

tectuMqc嘉泰姆

PhaseMqc嘉泰姆

No.ofMqc嘉泰姆

PWMMqc嘉泰姆

OutputMqc嘉泰姆

Output Mqc嘉泰姆

CurrentMqc嘉泰姆

(A) Mqc嘉泰姆

InputMqc嘉泰姆

Voltage (V) Mqc嘉泰姆

ReferenceMqc嘉泰姆

VoltageMqc嘉泰姆

(V) Mqc嘉泰姆

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(V) Mqc嘉泰姆

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CurrentMqc嘉泰姆

(uA) Mqc嘉泰姆

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CXSD6273Mqc嘉泰姆

SOP-14Mqc嘉泰姆

QSOP-16Mqc嘉泰姆

QFN4x4-16Mqc嘉泰姆

VM    Mqc嘉泰姆

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CXSD6274Mqc嘉泰姆

SOP-8Mqc嘉泰姆

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CXSD6274CMqc嘉泰姆

SOP-8Mqc嘉泰姆

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CXSD6275Mqc嘉泰姆

QFN4x4-24Mqc嘉泰姆

VMMqc嘉泰姆

2Mqc嘉泰姆

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3.1Mqc嘉泰姆

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CXSD6276Mqc嘉泰姆

SOP-8Mqc嘉泰姆

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CXSD6276AMqc嘉泰姆

SOP-8Mqc嘉泰姆

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CXSD6277/A/BMqc嘉泰姆

SOP8|TSSOP8Mqc嘉泰姆

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CXSD6278Mqc嘉泰姆

SOP-8Mqc嘉泰姆

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CXSD6279BMqc嘉泰姆

SOP-14Mqc嘉泰姆

VM   Mqc嘉泰姆

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CXSD6280Mqc嘉泰姆

TSSOP-24Mqc嘉泰姆

|QFN5x5-32Mqc嘉泰姆

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CXSD6281NMqc嘉泰姆

SOP14Mqc嘉泰姆

QSOP16Mqc嘉泰姆

QFN-16Mqc嘉泰姆

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CXSD6282Mqc嘉泰姆

SOP-14Mqc嘉泰姆

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CXSD6282AMqc嘉泰姆

SOP-14Mqc嘉泰姆

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CXSD6283Mqc嘉泰姆

SOP-14Mqc嘉泰姆

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CXSD6284/AMqc嘉泰姆

LQFP7x7 48Mqc嘉泰姆

TQFN7x7-48Mqc嘉泰姆

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-Mqc嘉泰姆

5Mqc嘉泰姆

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CXSD6285Mqc嘉泰姆

TSSOP-24PMqc嘉泰姆

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CXSD6286Mqc嘉泰姆

SOP-14Mqc嘉泰姆

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CXSD6287Mqc嘉泰姆

SOP-8-P|DIP-8Mqc嘉泰姆

VMMqc嘉泰姆

1Mqc嘉泰姆

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CXSD6288Mqc嘉泰姆

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QFN4x4-24Mqc嘉泰姆

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CXSD6289Mqc嘉泰姆

SOP-20Mqc嘉泰姆

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