CXSD62116A|B|C电压模式固定300kHz开关频率和同步降压控制器两个电源电压模式

发布时间:2020-04-23 14:29:54 浏览次数:294 作者:oumao18 来源:嘉泰姆
摘要:CXSD62116A|B|C允许宽输入电压它可以是一个5~12V的电源电压,也可以是两个不同应用的电源电压。上电复位(POR)电路监测VCC电源电压以防止逻辑控制错误。内置数字软启动电路防止输出电压过冲以及限制输入电流。内线0.6V高精度温度补偿参考电压设计满足低输出电压应用的要求
CXSD62116A|B|C电压模式固定300kHz开关频率和同步降压控制器两个电源电压模式

目录QQ1嘉泰姆

1.产品概述                       2.产品特点QQ1嘉泰姆
3.应用范围                       4.下载产品资料PDF文档 QQ1嘉泰姆
5.产品封装图                     6.电路原理图                   QQ1嘉泰姆
7.功能概述                        8.相关产品QQ1嘉泰姆

一,产品概述(General Description)         QQ1嘉泰姆
        The CXSD62116A/B/C is a voltage mode, fixed 300kHz-switching frequency,QQ1嘉泰姆
and synchronous buck controller. The CXSD62116A/B/C allows wide input voltageQQ1嘉泰姆
that is either a single 5~12V or two supply voltage(s) for various applications.QQ1嘉泰姆
A power-on-reset (POR) circuit monitors the VCC supply voltage to preventQQ1嘉泰姆
wrong logic controls. A built-in digital soft-start circuit prevents the outputQQ1嘉泰姆
voltages from overshoot as well as limits the input current. An internalQQ1嘉泰姆
0.6V temperature-compensated reference voltage with high accuracy isQQ1嘉泰姆
designed to meet the requirement of low output voltage applications.QQ1嘉泰姆
The CXSD62116A/B/C provides excellent output voltage regulations againstQQ1嘉泰姆
load current variation.QQ1嘉泰姆
     The controller’s over-current protection monitors the output currentQQ1嘉泰姆
by using the voltage drops across the RDS(ON)of low-side MOSFET,QQ1嘉泰姆
eliminating the need for a current sensing resistor that features highQQ1嘉泰姆
efficiency and low cost.QQ1嘉泰姆
     The CXSD62116A/B/C also integrates over-voltage protection (OVP) andQQ1嘉泰姆
under-voltage protection circuit which moni-tors the FB voltage to preventQQ1嘉泰姆
the PWM output from over and under voltage.QQ1嘉泰姆
     The CXSD62116A/B/C is available in a simple SOP-8P package.QQ1嘉泰姆
二.产品特点(Features)QQ1嘉泰姆
Wide Operation Supply Voltage from 5V to 12VQQ1嘉泰姆
Power-On-Reset Monitoring on VCC QQ1嘉泰姆
Excellent Reference Voltage RegulationsQQ1嘉泰姆
- 0.6V Internal ReferenceQQ1嘉泰姆
- ±1% Over Temperature RangeQQ1嘉泰姆
Integrated Soft-StartQQ1嘉泰姆
Automatic PSM/PWM ModesQQ1嘉泰姆
Voltage Mode PWM Operation with 90% (Max.) Duty CycleQQ1嘉泰姆
Under-Voltage ProtectionQQ1嘉泰姆
Adjustable Over-Current Protection ThresholdQQ1嘉泰姆
- Sensing the RDS(ON) of Low-Side MOSFETQQ1嘉泰姆
Over-Voltage ProtectionQQ1嘉泰姆
Under-Voltage ProtectionQQ1嘉泰姆
Simple SOP-8P PackageQQ1嘉泰姆
Lead Free and Green Devices AvailableQQ1嘉泰姆
(RoHS Compliant)QQ1嘉泰姆
三,应用范围 (Applications)QQ1嘉泰姆
Graphic CardsQQ1嘉泰姆
DSL, Switch HUBQQ1嘉泰姆
Wireless LanQQ1嘉泰姆
Notebook ComputerQQ1嘉泰姆
Mother BoardQQ1嘉泰姆
LCD Monitor/TVQQ1嘉泰姆

四.下载产品资料PDF文档 QQ1嘉泰姆

需要详细的PDF规格书请扫一扫微信联系我们,还可以获得免费样品以及技术支持QQ1嘉泰姆

 QQ截图20160419174301.jpgQQ1嘉泰姆

五,产品封装图 (Package)QQ1嘉泰姆
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六.电路原理图QQ1嘉泰姆

blob.pngQQ1嘉泰姆
七,功能概述QQ1嘉泰姆
Layout ConsiderationQQ1嘉泰姆
In any high switching frequency converter, a correct lay-out is important to ensure proper operation of theQQ1嘉泰姆
regulator. With power devices switching at 300kHz,the resulting current transient will cause voltage spike acrossQQ1嘉泰姆
the interconnecting impedance and parasitic circuit elements. As an example, consider the turn-off transitionQQ1嘉泰姆
of the PWM MOSFET. Before turn-off, the MOSFET is car rying the full load current. During turn-off, current stopsQQ1嘉泰姆
flowing in the MOSFET and is free-wheeling by the lower MOSFET and parasitic diode. Any parasitic inductance ofQQ1嘉泰姆
the circuit generates a large voltage spike during the switching interval. In general, using short and wide printedQQ1嘉泰姆
circuit traces should minimize interconnecting imped-QQ1嘉泰姆

Layout Consideration (Cont.)QQ1嘉泰姆
ances and the magnitude of voltage spike. And signal and power grounds are to be kept separate till combinedQQ1嘉泰姆

using ground plane construction or single point grounding. Figure 8. illustrates the layout, with bold linesQQ1嘉泰姆
indicating high current paths; these traces must be short and wide. Components along the bold lines should beQQ1嘉泰姆

placed lose together. Below is a checklist for your layout:QQ1嘉泰姆

- Keep the switching nodes (UGATE, LGATE, and PHASE) away from sensitive small signal nodes since theseQQ1嘉泰姆

nodes are fast moving signals. Therefore, keep traces to these nodes as short as possible.QQ1嘉泰姆

- The traces from the gate drivers to the MOSFETs (UG and LG) should be short and wide.QQ1嘉泰姆

- Place the source of the high-side MOSFET and the drain of the low-side MOSFET as close as possible. Minimiz-QQ1嘉泰姆
ing the impedance with wide layout plane between the two pads reduces the voltage bounce of the node.QQ1嘉泰姆
- Decoupling capacitor, compensation component, the resistor dividers, and boot capacitors should be closeQQ1嘉泰姆
their pins. (For example, place the decoupling ceramic capacitor near the drain of the high-side MOSFET asQQ1嘉泰姆
close as possible. The bulk capacitors are also placed near the drain).QQ1嘉泰姆
- The input capacitor should be near the drain of the up-per MOSFET; the output capacitor should be near theQQ1嘉泰姆
loads. The input capacitor GND should be close to the output capacitor GND and the lower MOSFET GND.QQ1嘉泰姆
- The drain of the MOSFETs (VIN and PHASE nodes) should be a large plane for heat sinking.QQ1嘉泰姆
- The ROCSET resistance should be placed near the IC as close as possible.Close to ICQQ1嘉泰姆
Figure 8. Layout GuidelinesQQ1嘉泰姆

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Part_No QQ1嘉泰姆

Package QQ1嘉泰姆

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tectuQQ1嘉泰姆

PhaseQQ1嘉泰姆

No.ofQQ1嘉泰姆

PWMQQ1嘉泰姆

OutputQQ1嘉泰姆

Output QQ1嘉泰姆

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ReferenceQQ1嘉泰姆

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CXSD6277/A/BQQ1嘉泰姆

SOP8|TSSOP8QQ1嘉泰姆

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