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English该EUP3207提供了三种输出（VDDQ，VTT，VTTREF）作为台式机、笔记本和图形卡的DDR内存 应用的完整的电源解决方案。VDDQ由一同步降压控制器生成，VTT由一3A的LDO生成，VTTREF由一10m的缓冲基准生成。降压控制器在同步整流 拓扑结构中驱动两个外部低成本N沟道的MOSFET，来有效地产生一个固定的1.8V/1.5V输出或一个宽电压范围的可调输出。
EUP3207
特点
•同步降压控制器VDDQ。</p>
-输入电压范围2.5V〜26V。</p>
-1％的VOUT精度在过线性和过负载。</p>
-100ns的快速负载阶跃响应。</p>
-固定1.8V（DDR），1.5V（DDR）或从0.75V到3.3V的可调输出。</p>
-电阻可编程电流限制</p>
-电阻可编程开关频率。</p>
-在软启动时4步电流限制。</p>
-在S4/S5状态下支持软关断。</p>
-内置电源保护，过压保护和欠压保护。</p>
•3ALDO（VTT），缓冲基准（VTTREF）。</p>
-源漏的承载电流可达3A。</p>
-缓冲的低噪声10毫安VTTREF输出。</p>
-为降低功率损失的可调节VTT输入。</p>
-VTTREF和VTT精度为+20mV到-20mV。</p>
-VTT仅需20uF的陶瓷电容。</p>
-支持高阻状态S3，S4/S5支持软关断。</p>
-热关断和电流限制。</p>
•适用20引脚的3mm*3mm TQFN封装和24引脚的4mm*4mm TQFN封装。</p>
•符合RoHS标准，100％无铅（pb），无卤。</p>
应用
DDRⅡ/DDRⅢ内存完整电源控制器概述
该EUP3207提供了三种输出（VDDQ，VTT，VTTREF）作为台式机、笔记本和图形卡的DDR内存 应用的完整的电源解决方案。VDDQ由一同步降压控制器生成，VTT由一3A的LDO生成，VTTREF由一10m的缓冲基准生成。降压控制器在同步整流 拓扑结构中驱动两个外部低成本N沟道的MOSFET，来有效地产生一个固定的1.8V/1.5V输出或一个宽电压范围的可调输出。</p>
该降压控制器采用了一种新的自适应导通时间（AOT）控制方案，具有易用性、低外部元件数量和快速瞬态响应的性能，同时保持相对恒定的开关频率。Auto-skip模式将有效提高毫安级负载下的转换效率，或选择强制PWM模式以降低低噪音。</p>
VTT和VTTREF都可以以1％或更好的准确性来跟踪VDDQ/2。3A的高带宽LDO只需要两个10uF的陶瓷输出电容就能保持快速瞬态响应。此外，该LDO电源输入可以从外部提供，这样，当选择一个较低的电源时可以有效地减小功率损失。</p>
降压控制器和LDO稳压器都具有独立的电流限制来防止过电流。降压控制器电流限制不增加额外的损坏，它是可以 通过监控低边MOSFET的漏—源电压降来实现的。该芯片还集成了各种保护机制，如电源保护、过压保护、欠压保护等。此外，EUP3207通过利用S3和 S5，支持所有的DDR操作状态，在时序和待机电源管理方面具有更多的灵活性。EUP3207采用20引脚的3mm*3mm TQFN封装和24引脚的4mm*4mm TQFN封装。</p>
•DDR/ DDR内存电源供应器</p>
•笔记本电脑</p>
•SSTL18、SSTL15和HSTL总线终端
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