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English格罗方德半导体(GLOBAL FOUNDRIES)近日发布一种全新的半导体工艺，以满足新一代联网设备的超低功耗要求。“22FDX”平台提供的性能和功耗媲美FinFET，而成本 则与28nm平面晶体管工艺相当，为迅速发展的移动、物联网、RF连接和网络市场提供了一个最佳解决方案
格罗方德半导体(GLOBAL FOUNDRIES)近日发布一种全新的半导体工艺，以满足新一代联网设备的超低功耗要求。“22FDX”平台提供的性能和功耗媲美FinFET，而成本 则与28nm平面晶体管工艺相当，为迅速发展的移动、物联网、RF连接和网络市场提供了一个最佳解决方案。</p>
虽然某些设备对三维FinFet晶体管的终极性能有要求，但大多数无线设备需要在性能、功耗和成本之间实现更好的平衡。22FDX 采用业内首个22nm二维全耗尽平面晶体管技术(FD-SOI)工艺，为成本敏感型应用提供了一条最佳途径。凭借业内最低的0.4伏工作电压，该平台实现 了超低动态功耗、更低的热效应和更为精巧的终端产品规格。该平台提供的芯片尺寸比28nm工艺小20%，掩膜少10%，而且其浸没式光刻层比 foundry FinFET工艺少近50%，为联网设备在性能、功耗和成本方面实现了最佳组合点。</p>
格罗方德半导体首席执行官Sanjay Jha表示：“22FDX平台能够让我们的客户在性能、功耗和成本之间实现最佳平衡的差异化产品。该平台在业内率先提供针对晶体管特性的实时系统软件控制 功能：系统设计人员能够动态平衡功耗、性能和漏电。此外，针对联网应用中的射频和模拟集成，该平台可提供最佳的扩展性和最高的能效。”</p>
22FDX采用了格罗方德公司位于德国德累斯顿的最先进的300mm生产线上的量产28nm平台。该工艺建立在近20年对欧洲最大的半导体晶圆厂的 持续投资之上，掀开了“萨克森硅谷”发展史上的一个新篇章。格罗方德半导体在德累斯顿为22FDX平台投入了2.5亿美元，用于技术研发和启动22FDX 的生产，从而将公司自2009年以来对Fab 1的总投资增至超过50亿美元。公司还将加大投资提高生产力以满足客户需求。格罗方德半导体正与多家欧洲领先的研发和行业机构开展合作，以便为22FDX 建设一个强大的生态系统，缩短产品上市时间，并为其制定一个全面的路线图。</p>
格罗方德半导体的22FDX平台实现了用软件控制晶体管特性，能够实时平衡静态功耗、动态功耗和性能。22FDX平台由一系列面向不同应用的差异化产品构成：</p>
22FD-ulp：对于主流低成本智能手机市场，基础版超低功耗产品提供了FinFET的替代方案。与0.9伏的28nm HKMG相比，22FX-ulp通过采用体偏压技术，将功耗效率提升70%以上，提供了可媲美FinFET的功耗和性能。对于某些物联网和消费类应用，该 平台在优化后可工作于0.4V的电压，在功耗效率上比28nm HKMG提升了90%。</p>
22FD-uhp：对于集成模拟的联网应用，22FD-uhp产品在优化后，可实现与FinFET相同的超高性能，同时最大程度减少能耗。22FD-uhp定制化功能包括正向体偏压、应用优化的金属堆栈，以及支持0.95V的加压。</p>
22FD-ull：面向可穿戴和物联网市场的超低漏电产品，具备与22FX-ulp相同的低功耗能力，同时又将漏电电流降至1pa/um。较低的运行功耗、超低漏电和灵活的体偏压技术，这一组合使能耗大幅减少，从而为新型电池供电型可穿戴设备创造了条件。、</p>
22FD-rfa：射频模拟产品，可提高数据速率，减省50%的功耗，并降低系统成本，以满足LTE-A蜂窝收发器、高阶MIMO WiFi整合型芯片、毫米波雷达等大容量RF应用的严格要求。RF活动设备后门功能可减少或消除RF信号路径上的复杂补偿电路，让RF设计人员能够更好地 发挥设备内在的Ft性能。</p>
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