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English高频低噪声放大 ,高频双极NPN晶体管(NPN Silicon Epitaxial Transistor)CXNP5420 CXNP5420B低噪声和高功率增益的硅外延NPN晶体管 ,
摘要：高频低噪声放大 ,高频双极NPN晶体管(NPN Silicon Epitaxial Transistor)CXNP5420 CXNP5420B低噪声和高功率增益的硅外延NPN晶体管 ,
目录
1.产品概述 2.产品特点 3.应用范围 4.技术规格书下载（PDF文档）</span>
5.产品封装 6.电路原理图</strong> 7.相关产品
低噪声和高功率增益的硅外延</span>NPN晶体管</span>
参数 | 符号 | 极值</span> | 单位 |
BC 击穿电压 | VCBO | 20 | V |
EC 击穿电压 | VCEO | 12 | V |
EB 击穿电压 | VEBO | 3 | V |
集电极电流</span> | IC | 100 | mA |
功耗</span> | PC | 0.2 | W |
结温度</span> | Tj | 150 | ℃</span> |
存储温度 | Tstg | -65-+150 | ℃</span> |
参数 | 符号 | 最小</span> 值</span>. | 典型 值</span>. | 最大</span> 值</span> | 单位 | 条件 |
BC 击穿电压 | BVCBO | 20 | V | IC=10uA | ||
EC 击穿电压 | BVCEO | 12 | V | IC=1mA | ||
EB 击穿电压 | BVEBO | 3 | V | IE=10uA | ||
集电极关断电流</span> | ICBO | 1 | uA | VCB=10V | ||
发射极关断电流</span> | IEBO | 1 | uA | VEB=1V | ||
直流增益 | HFE*1 | 90 | 130 | 170 | VCE= 10V, IC=20mA | |
高频特性</span> | ||||||
特征频率 | fT | 5 | GHz | VCE=10V, IC=20mA | ||
高频低噪声放大</span>
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| 高频双极NPN晶体管</span>(NPN Silicon Epitaxial Transistor) | ||||||
| Part No. | Polarity | VCEO(Max.) | IC(Max.) | Ft(Typical) | Package | Application |
| CXNP5419 | NPN | 12V | 50mA | 3.0GHz | SOT23 | LNA |
| CXNP5419B | NPN | 12V | 80mA | 4.0GHz | SOT23 | LNA |
| CXNP5420 | NPN | 12V | 100mA | 5.0GHz | SOT23 | LNA |
| CXNP5420B | NPN | 12V | 200mA | 5.0GHz | SOT23 | LNA |
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