20V N 沟道增强型 MOS 场效应管 极低的导通电阻高密度的单元设计CXMS5265

发布时间:2020-04-06 09:43:38 浏览次数:703 作者:嘉泰姆
摘要:20V N 沟道增强型 MOS 场效应管 极低的导通电阻高密度的单元设计CXMS5265

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   产品概述 返回TOPd6R嘉泰姆


VDS= 20V 

RDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@2.0A = 50mΩ@TYP 

RDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@2.8A =40mΩ@TYP

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   产品特点 返回TOPd6R嘉泰姆


 高级的加工技术 d6R嘉泰姆

 极低的导通电阻高密度的单元设计</p>

   应用范围 返回TOPd6R嘉泰姆


   电源管理、小功率驱动等</span>d6R嘉泰姆

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 QQ截图20160419174301.jpgd6R嘉泰姆

产品封装图&nbsp;返回TOPd6R嘉泰姆


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电路原理图&nbsp;返回TOPd6R嘉泰姆

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