CXAC85294D 集成650V高压MOSFET反激式PWM驱动芯片
电流模式控制 · 多模式PWM/PFM · 25W输出 · 过载保护

更新时间：2026年4月 | 产品型号：CXAC85294D | 嘉泰姆电子 (JTM-IC)

嘉泰姆电子（JTM-IC）推出的CXAC85294D 是一款高集成度、高效率、低待机功耗的电流模式PWM控制芯片，适用于全电压范围 90~265VAC 输入、30W 以内输出的反激式变换器应用。芯片内部集成了 650V 高压 MOSFET（导通电阻仅 0.67Ω 典型值）以及高压启动电路，支持 CCM 和 DCM 工作模式。重载下芯片工作于 65kHz 固定开关频率，中等负载时由 FB 反馈电压信号控制内部振荡器降频，减小开关损耗；轻载和空载时进入跳频模式，待机功耗小于 75mW。CXAC85294D 通过分段软驱动和频率调制技术实现优异的 EMI 性能，内置斜坡补偿电路避免次谐波振荡，跳频频率设定在 22kHz 以上消除音频噪声。该芯片提供过载保护（OLP）、逐周期限流、输出短路保护、VCC 过压/欠压保护及过温保护等完整保护功能，采用 SOP-8 封装，高低压引脚爬电距离大于 4mm，特别适用于 QC/USB PD 快充充电器、电源适配器及 AC-DC 辅助电源。

1. 产品概述与系列选型

CXAC85294D 属于嘉泰姆 CXAC8529X 系列反激式 PWM 驱动芯片，专为高性能、小型化电源设计。该系列集成 650V 高压 MOSFET 和高压启动电路，无需外部启动电阻，有效降低待机功耗并简化外围电路。系列提供不同功率等级和保护模式，满足多样化需求：

CXAC85294D 作为该系列中功率最大的型号，内置更低导通电阻的 MOSFET（典型值 0.67Ω），可提供 25W 连续输出功率，并具备过载保护功能，非常适合中等功率的快充适配器及工业辅助电源。若需要恒功率输出特性，可选用 CXAC85293BD。所有型号均满足六级能效标准，待机功耗低至 75mW 以下。

2. 主要特点与技术亮点

• 内部集成 650V 高压 MOSFET，导通电阻低（CXAC85294D 典型值 0.67Ω），显著降低导通损耗
• 集成高压启动电路，无需外加启动电阻，待机功耗 < 75mW
• 多模式控制：重载 65kHz 固定 PWM，中载 PFM 降频，轻载跳频模式，最低频率 22kHz 无音频噪声
• 频率调制（抖频峰峰值 10kHz）及分段软驱动技术，优化 EMI 性能
• 支持 CCM/DCM 工作模式，内置斜坡补偿确保稳定性
• 输入线电压补偿，全电压范围内功率限制值恒定
• 内置 4ms 软启动，减小启动电流应力
• 完善的保护功能：逐周期限流 (OCP)、输出过载保护 (OLP)、输出短路保护 (SCP)、VCC 过压/欠压保护、过温保护 (OTP)
• SOP-8 封装，高低压引脚爬电距离 >4mm，散热良好

3. 引脚封装与说明

CXAC85294D 采用 SOP-8 封装，引脚定义如下：

图1. CXAC85294D 引脚封装图 (SOP-8)
[ 封装外形示意图 ] 详细尺寸参见数据手册机械图，本体宽度 3.9mm，引脚间距 1.27mm。

4. 典型应用电路

图2. CXAC85294D 典型反激应用电路
电路组成：输入整流滤波 → 变压器初级绕组连接 DRAIN 引脚 → 辅助绕组经整流电阻为 VCC 供电 → FB 引脚接光耦集电极，光耦发射极接地 → CS 电阻采样原边电流 → 输出整流滤波。外围元件简洁，支持 25W 输出。

5. 内部结构框图

图3. CXAC85294D 内部结构框图
[ 内部功能模块 ] 包含高压启动电路、PWM 控制器、650V MOSFET、振荡器、斜坡补偿、保护逻辑等。

6. 极限参数与电气特性

设计时必须确保不超过以下极限参数，以保证芯片长期可靠性。工作结温范围 -40℃ ~ 150℃。

极限参数表

关键电气参数 (Ta=25℃, VCC=18V)

7. 工作原理与设计要点

高压启动与 VCC 供电

CXAC85294D 集成高压启动电路，无需外部启动电阻。上电后，当母线电压达到漏极启动电压 VDS_SUP（40V）时，内部通过 DRAIN 引脚对 VCC 电容充电（电流约 240μA）。VCC 升至启动阈值 16V 后芯片开始工作，启动延迟时间可按下式估算：

正常工作时由辅助绕组供电。当 VCC 降至欠压保护点 7.2V 时，芯片停止开关，高压启动电路重新对 VCC 电容充电。建议使用 4.7~22μF 电解电容，并就近并联 0.1μF 陶瓷电容以增强抗干扰能力。

多模式频率控制

芯片根据 FB 电压自动切换工作模式：重载时 65kHz 固定频率 PWM；负载降低时进入 PFM 降频，最低至 23.7kHz；极轻载时进入跳频模式，FB 电压低于 1.4V 关闭驱动，回升至 1.5V 恢复开关，平均开关频率大幅降低，实现 <75mW 待机功耗。

图4. 频率控制曲线示意图
[ 频率随 FB 电压变化关系 ] 重载 PWM (65kHz) → 中载 PFM 降频 → 轻载跳频模式。

电流检测与前沿消隐

CS 引脚外接采样电阻实现逐周期限流。前沿消隐时间 400ns 可滤除开通尖峰干扰，CS 引脚无需额外 RC 滤波。当占空比超过 50% 时，内置斜坡补偿电路自动叠加斜坡信号，防止次谐波振荡。

图5. 前沿消隐示意图
[ LEB 时序波形 ] MOSFET 开通瞬间电流尖峰被 400ns 消隐时间屏蔽。

输入线电压补偿与输出功率恒定

芯片通过检测导通时间对限流值进行补偿：低输入电压时导通时间长，限流值较高；高输入电压时导通时间短，限流值较低，从而保证全电压范围内最大输出功率一致。调整 CS 电阻即可设置恒功率/过载功率点。

保护功能详解

• 过载保护 (OLP)：当输出过载时，FB 电压升高超过 4.6V 并持续 90ms，芯片停止开关，VCC 下降至 UVLO 后自动重启。
• VCC 过压保护：VCC 超过 36V 持续 8 个周期后保护，系统重启恢复。
• 过温保护 (OTP)：结温达到 150℃ 时关断，温度降低后经启动过程恢复。
• 输出短路保护：通过 FB 电压异常检测实现。

8. 参考设计：25W 快充适配器方案

基于 CXAC85294D 可设计全电压输入 25W (5V/3A, 9V/2.77A, 12V/2.1A) QC 快充电源。输入端采用 π 型 EMI 滤波器，变压器选用 EE20/PQ2016 磁芯。输出同步整流可搭配嘉泰姆 BP6211B 等控制器提高效率。主要设计参数：

• 反射电压 VOR：100V，匝比 N ≈ 8
• CS 电阻：可选 0.33Ω，峰值电流约 2.3A
• 初级电感：约 220μH，开关频率 65kHz
• 输出电容：固态电容 820μF/16V × 2

图6. 25W QC 快充应用电路图
[ 完整原理图 ] 包含 EMI 滤波、CXAC85294D、变压器、同步整流、反馈网络。

9. PCB Layout 设计指南

• VCC 电容：紧靠 VCC 和 GND 引脚，电解电容较远时并联 0.1μF 陶瓷电容。
• 反馈走线：光耦地单点接芯片 GND，FB 与地并排走线远离干扰源。建议在 FB 与 GND 之间加 1nF 电容。
• 功率环路：初级母线电容、变压器初级、DRAIN 引脚、GND 环路面积最小化。次级环路同样最小化。
• 散热设计：DRAIN 引脚是主要散热路径，但属于 EMI 动点，铺铜面积需折中，建议适度覆铜并配合过孔散热。
• Y 电容与 ESD：Y 电容跨接初级电容正极和次级地；ESD 放电针跨接初级大电容正极与次级地，远离控制电路。
• 辅助绕组接地：直接连至母线电容负极，不共用长走线。