CXAC85299P 集成过零检测反激式开关电源驱动芯片
脉冲数控制 · 无需环路补偿 · 过零信号输出 · 4-9W小家电辅助电源
更新时间:2026年4月 | 产品型号:CXAC85299P | 嘉泰姆电子 (JTM-IC)
嘉泰姆电子(JTM-IC)推出的CXAC85299P 是一款高性能、高集成度、低待机功耗的开关电源驱动芯片,主要应用于微波炉等小家电产品中的辅助电源。芯片集成交流电压过零检测与过零信号输出功能,交流电压过零信号可用于对继电器、可控硅等器件进行过零开关,降低开关应力,延长器件寿命。CXAC85299P 内部集成了 750V 高压 MOSFET、高压启动和自供电电路、电流采样电路。采用创新的脉冲数控制技术,无需外部环路补偿电路,具有极高的环路带宽和快速的动态响应,开机无输出过冲。132kHz 开关频率有效减小变压器体积,内置频率调制技术改善 EMI 性能。高集成度和优化的控制技术极大地减少了外围器件数量,节省系统成本和体积,同时提高可靠性。芯片提供了完备的保护功能:输出短路保护、输出过载保护、反馈开路保护、逐周期限流、过温保护等。采用 DIP-7 封装,增加了 MOSFET 漏极到源极的爬电距离,MOSFET 源极(GND 引脚)作为散热管脚,可较好地利用 PCB 散热而不影响 EMI 性能,非常适合微波炉辅助电源、家用电器辅助电源等小功率隔离供电应用。
1. 产品概述与技术优势
CXAC85299P 是一款专为小功率反激辅助电源优化并集成过零检测功能的高性价比芯片。它集成了 750V/0.48A(脉冲 0.9A)高压功率 MOSFET,导通电阻 RDS(on) 典型值 20Ω。内部集成高压启动和自供电电路,无需辅助绕组即可工作(空载功耗 < 150mW),增加辅助绕组后空载功耗可低至 50mW。脉冲数控制根据负载情况调整开关脉冲密度,限流点固定为典型 230mA,使得轻载效率良好。132kHz 开关频率配合 ±8kHz 抖频(1kHz 调制速率)显著降低 EMI 滤波成本。由于无需外部环路补偿,设计极为简单,动态响应优异,输出电压不会出现过冲。特别值得一提的是,芯片内置交流电压过零检测电路,通过 VAC 引脚采样交流输入,在 ZC 引脚输出过零信号,可用于 MCU 控制继电器或可控硅实现过零通断,有效抑制浪涌和电磁干扰。DIP-7 封装提供了良好的散热和高压隔离能力,是微波炉、电磁炉、洗衣机等家电辅助电源的理想选择。
2. 主要特点与技术亮点
- 集成交流电压过零检测与过零信号输出功能,便于实现继电器/可控硅过零开关
- 内部集成 750V 高压 MOSFET,漏极连续电流 0.48A,脉冲电流 0.9A
- 集成高压启动和自供电电路,无需辅助绕组即可工作
- 脉冲数控制技术,无需外部环路补偿,动态响应极快,无输出过冲
- 开关频率 132kHz,可减小变压器体积;内置频率调制(±8kHz @1kHz)改善 EMI
- 低待机功耗:自供电模式 <150mW@230VAC,辅助供电模式 <50mW@230VAC(需辅助绕组)
- 内置软启动(192个开关周期),减小启动电流尖峰
- 保护功能:输出短路/过载/反馈开路保护(自动重启),逐周期限流,过温保护(140℃ 关断,75℃ 迟滞)
- DIP-7 封装,GND 引脚(MOSFET 源极)可用于大面积铺铜散热
- 过零检测精度可调,功耗与精度的灵活平衡
3. 引脚封装与说明
CXAC85299P 采用 DIP-7 封装,引脚定义如下表。其中 VAC 和 ZC 为过零检测相关引脚,若不需要过零检测功能可将两者接地。
| 管脚号 | 管脚名称 | 描述 |
|---|---|---|
| 1 | VAC | 过零检测输入端,外部通过分压电阻接交流输入;若不用则接地 |
| 2 | ZC | 过零信号输出端,可接光耦阴极(上拉至辅助绕组供电);若不用则接地 |
| 3 | VCC | 芯片电源端,外接 0.1μF~1μF 陶瓷电容到 GND |
| 4 | FB | 输出反馈控制端,连接光耦发射极(光耦集电极接 VCC) |
| 5 | DRAIN | 高压 MOSFET 漏极,连接变压器初级,同时提供自供电电流 |
| 7,8 | GND | 芯片地,内部 MOSFET 源极,散热引脚,PCB 需大面积铺铜 |

图2. CXAC85299P 引脚封装图 (DIP-7)
[ 封装外形示意图 ] 详细机械尺寸参见数据手册,引脚间距 2.54mm,本体宽度 6.35mm。

4. 典型应用电路原理图(含过零检测)

图1. CXAC85299P 带过零检测功能的典型反激应用电路
电路组成:输入整流滤波 → 变压器初级连接 DRAIN 引脚 → VCC 引脚外接 0.1μF 电容到地 → FB 引脚连接光耦发射极(光耦集电极接 VCC),光耦次级通过稳压管或 TL431 接输出 → 输出整流滤波。过零检测部分:VAC 引脚通过多颗 1MΩ 电阻串联至交流输入,ZC 引脚接光耦二极管阴极(阳极上拉至辅助绕组供电),副边过零信号经 RC 滤波送 MCU。无需外部电流采样电阻和环路补偿网络。
5. 极限参数与电气特性(工程师必读)
下表为 CXAC85299P 的极限参数,设计时需确保不超过最大值。工作结温范围-40℃~150℃。
极限参数表
| 符号 | 参数 | 范围 | 单位 |
|---|---|---|---|
| VDRAIN | 高压 MOSFET 漏极到源极电压 | -0.3 ~ 750 | V |
| IDS_MAX | 漏极连续电流 (注4) | 0.48 | A |
| VCC | VCC 电压 | -0.3 ~ 9 | V |
| VAC | 过零检测输入端电压 | -0.3 ~ 9 | V |
| PDMAX | 最大功耗 | 1.5 | W |
| θJA | 结到环境的热阻 | 80 | ℃/W |
| TJ | 工作结温范围 | -40 ~ 150 | ℃ |
关键电气参数 (Ta=25℃, VCC=5.9V)
| 符号 | 描述 | 条件 | 典型值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| VCC_ON | VCC 启动电压 | VCC 上升 | 5.9 | V |
| VCC_SHUNT | VCC 分流电压 | - | 6.4 | V |
| fosc | 振荡器频率 | 平均值 | 132 | kHz |
| DMAX | 最大占空比 | - | 65 | % |
| ILIMIT_MAX | 最大电流限值 | Tj=25℃ | 230 | mA |
| tLEB | 前沿消隐时间 | - | 250 | ns |
| RDS_ON | 功率管导通电阻 | IDS=25mA, Tj=25℃ | 20 | Ω |
| BVDS | 功率管击穿电压 | - | 750 | V |
| IFB_DIS | FB 关断阈值电流 | - | 57 | μA |
6. 工作原理与核心技术深度解析
过零检测功能(Zero Crossing Detection)
CXAC85299P 集成交流电压过零检测与过零信号输出功能。VAC 引脚通过外部高阻分压电阻(通常为 3×1MΩ 串联)连接到交流输入端,内部电路检测电压波形过零点。每当交流电压从正向负或负向正过零时,ZC 引脚会输出一个窄脉冲信号(低电平有效)。该信号可直接驱动光耦隔离后送入 MCU,用于控制继电器、可控硅等负载在电压过零点附近开关,从而大幅降低开关应力、抑制浪涌电流和 EMI,延长器件寿命。如果应用不需要过零检测,可将 VAC 和 ZC 引脚同时短接至 GND,芯片自动禁用该功能并降低功耗。
过零检测的精度可通过外部分压电阻值调节:电阻越小,检测越精确但待机功耗增加;电阻越大(如 3-5MΩ),功耗降低但过零点略有延迟。典型应用推荐每路串联 3 个 1MΩ 电阻,兼顾耐压和功耗。
脉冲数控制与自供电
系统上电后,当母线电压达到最小漏极启动电压(50V)时,内部高压电流源对 VCC 电容充电至 5.9V,芯片开始工作。脉冲数控制:每个时钟周期上升沿比较 FB 脚流入电流与阈值 57μA,若 FB 电流小于阈值则开通 MOSFET,否则跳过该周期。FB 电流来自光耦(光耦发射极接 FB,集电极接 VCC),输出电压越高,光耦电流越大,FB 电流越大,跳过周期越多,形成闭环稳压。这种控制方式无需环路补偿,动态响应极快。
对于需要过零检测的应用,由于 ZC 输出光耦会增加 VCC 负载,建议使用辅助绕组为 VCC 供电,以降低芯片功耗和温升。辅助绕组电压经电阻限流后接入 VCC,当辅助供电电流超过芯片需求时,内部高压供电自动关闭,空载功耗可降至 50mW 以下。
电流检测与限流保护
芯片内部集成电流采样,无需外部采样电阻。当 MOSFET 电流超过内部限流点(典型 230mA)时,立即关断 MOSFET 直至下一周期。内置 250ns 前沿消隐,避免开通尖峰误触发。
保护功能
芯片通过 FB 引脚监测输出状态:当输出短路、过载或反馈开路时,FB 电流持续小于阈值 45ms 后触发保护,芯片进入自动重启模式(等待 115ms 或 750ms 后重试)。过温保护阈值为 140℃,迟滞 75℃,有效防止热失效。
设计提示: 过零检测功能使用时,必须确保 VAC 引脚外接电阻满足耐压要求,推荐使用 3 个 1206 封装 1MΩ 电阻串联。ZC 输出为开漏结构,需外接上拉电阻(如 10kΩ)至辅助绕组输出电压(通常 5-15V),再通过光耦隔离传递至次级 MCU。若不需要过零信号,将 VAC 和 ZC 接地可节省功耗。
7. 基于 CXAC85299P 的 12V/0.4A 微波炉辅助电源设计实例
目标规格:全电压输入 85-265VAC,输出 12V/0.4A(4.8W),封闭式适配器,带过零信号输出。设计步骤简述:
- 输入电容: 全电压输入取 2-3μF/W,可选用 10μF/400V 电解电容。
- 反射电压 VOR: 选取 90V,匝比 N = VOR / (VOUT+VD) = 90 / (12+0.5) ≈ 7.2,取 N=7。
- 最低母线电压 VDC_MIN: 按公式估算约为 80V,最大占空比 D = VOR/(VDC_MIN+VOR) ≈ 0.53。
- 初级峰值电流: 芯片内部限流典型 230mA,取 ILIMIT_MAX=0.23A。
- 初级电感量: 按 DCM 设计,LP = 2*Po/(ILIMIT_MAX²*fs*η) = 2*4.8/(0.23²*132k*0.8) ≈ 1.37mH,取 1.5mH。
- 变压器匝数: 选用 EE13 磁芯(Ae=0.13cm²),BMAX=0.25T,NP = LP*ILIMIT_MAX/(BMAX*Ae) = 1500e-6*0.23/(0.25*0.13e-4) ≈ 106 匝,NS = NP/N ≈ 15 匝,辅助绕组取 18 匝(用于 VCC 供电及过零光耦上拉)。
- 钳位电路: RCD 吸收,VCLAMP 取 2*VOR=180V,R1≈220kΩ,C1≈2.2nF。
- 输出电容: 采用 220μF/25V 低 ESR 电解电容。
- 过零检测电阻: VAC 引脚外接 3×1MΩ 电阻至交流火线,ZC 引脚通过 10kΩ 上拉至辅助绕组输出(约 12V),再驱动光耦 PC817 原边,光耦副边经 1kΩ 电阻至 MCU 输入。
关键公式:\(V_{DC\_MIN} = \sqrt{2V_{ACMIN}^2 - \frac{P_O \cdot (1-2f_L t_C)}{\eta C_{IN} f_L}}\), \(L_P = \frac{2P_O}{I_{PK}^2 f_S \eta}\), \(N_P = \frac{L_P I_{PK}}{B_{MAX} A_E}\)
8. PCB Layout 专业建议(含过零检测布线)
- VCC 电容: 必须紧靠 VCC 和 GND 引脚,使用 0.1μF~1μF X7R 陶瓷电容,走线尽量短。
- 地线布局: 芯片的 GND(源极)同时作为功率地和信号地,需大面积铺铜并连接至母线电容负端。辅助绕组地、光耦地应分别单点接至母线电容负端。
- FB 信号线: FB 引脚外接光耦发射极,走线应短且远离变压器、DRAIN 高频节点。光耦集电极直接接 VCC 电容正端。
- 高频功率环路: 母线电容正 → 变压器初级 → DRAIN → 内部 MOSFET → GND → 母线电容负的环路面积最小化,降低辐射 EMI。
- 过零检测部分: VAC 走线需与高压交流输入连接,推荐采用串联 3 个 1MΩ 电阻(1206 封装)靠近 VAC 引脚放置,电阻下方禁止铺地铜以防止漏电。ZC 输出信号为低压,走线无需特殊处理,但应远离高压区。
- 散热设计: DIP-7 的 GND 引脚铺铜面积应尽可能大(至少 2cm²),可通过底层覆铜和过孔增强散热。对于 6W 以上应用建议使用辅助绕组供电以降低芯片功耗。
- Y 电容与 ESD: Y 电容接在初级输入电容正端和次级地之间。ESD 放电针跨接初级大电容正和次级地,远离控制电路。
技术支持: 嘉泰姆电子提供 CXAC85299P 完整参考设计(12V/0.4A 微波炉辅助电源,含过零检测)、变压器规格书及 PCB 源文件。工程师可通过以下方式获取一对一技术支持:
邮件:ouamo18@jtm-ic.com | 致电:13823140578 | 在线技术支持中心

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