CXAC85299D 集成700V MOSFET反激式开关电源驱动芯片
脉冲数控制 · 无需环路补偿 · 高压自供电 · 4-9W小家电辅助电源

更新时间：2026年4月 | 产品型号：CXAC85299D (SOP-7) | 嘉泰姆电子 (JTM-IC)

嘉泰姆电子（JTM-IC）推出的CXAC85299D 是一款高性能、高集成度、低待机功耗的开关电源驱动芯片，主要应用于大、小家电产品中的辅助电源。芯片内部集成了 700V 高压 MOSFET、高压启动和自供电电路、电流采样电路。采用创新的脉冲数控制技术，无需外部环路补偿电路，具有极高的环路带宽和快速的动态响应，开机无输出过冲。132kHz 开关频率有效减小变压器体积，内置频率调制技术改善 EMI 性能。高集成度和优化的控制技术极大地减少了外围器件数量，节省系统成本和体积，同时提高了可靠性。CXAC85299D 提供了完备的保护功能：输出短路保护、输出过载保护、反馈开路保护、逐周期限流、过温保护等。采用 SOP-7 封装，增加了 MOSFET 漏极到源极的爬电距离，MOSFET 源极（GND 引脚）作为散热管脚，可较好地利用 PCB 散热而不影响 EMI 性能，非常适合微波炉、电磁炉、洗衣机等大小家电的辅助电源以及小功率工业控制电源。

1. 产品概述与技术优势

CXAC85299D 是一款专为小功率反激辅助电源优化的高集成度芯片。它集成了 700V/0.48A（脉冲 0.9A）高压功率 MOSFET，导通电阻 RDS(on) 典型值 20Ω。内部集成高压启动和自供电电路，无需辅助绕组即可工作（空载功耗 < 150mW），增加辅助绕组后空载功耗可低至 50mW。脉冲数控制根据负载情况调整开关脉冲密度，限流点固定为典型 250mA，使得全负载范围效率优化，轻载不会进入音频噪声区。132kHz 开关频率配合 ±8kHz 抖频（1kHz 调制速率）显著降低 EMI 滤波成本。由于无需外部环路补偿，设计极为简单，动态响应优异，输出电压不会出现过冲。SOP-7 封装体积小、适合自动化贴片，同时 GND 引脚（MOSFET 源极）可大面积铺铜散热，是家电辅助电源的理想选择。

2. 主要特点与技术亮点

• 内部集成 700V 高压 MOSFET，漏极连续电流 0.48A，脉冲电流 0.9A
• 集成高压启动和自供电电路，无需辅助绕组即可工作
• 脉冲数控制技术，无需外部环路补偿，动态响应极快，无输出过冲
• 开关频率 132kHz，可减小变压器体积；内置频率调制（±8kHz @1kHz）改善 EMI
• 低待机功耗：自供电模式 <150mW@230VAC，辅助供电模式 <50mW@230VAC
• 内置软启动（192个开关周期），减小启动电流尖峰
• 保护功能：输出短路/过载/反馈开路保护（自动重启），逐周期限流，过温保护（140℃ 关断，75℃ 迟滞）
• SOP-7 封装，GND 引脚（MOSFET 源极）可用于大面积铺铜散热，不影响 EMI

3. 引脚封装与说明（占位图）

CXAC85299D 采用 SOP-7 封装，引脚定义如下表。GND（源极）为散热引脚，需大面积覆铜。

图2. CXAC85299D 引脚封装图 (SOP-7)
[ 封装外形示意图 ] 详细机械尺寸参见数据手册，引脚间距 1.27mm，本体宽度 3.9mm，薄型小外形封装适合高密度布板。

4. 典型应用电路原理图

图1. CXAC85299D 典型反激应用电路
电路组成：输入整流滤波 → 变压器初级连接 DRAIN 引脚 → VCC 引脚外接 0.1μF 电容到地 → FB 引脚连接光耦发射极（光耦集电极接 VCC），光耦次级通过稳压管或 TL431 接输出 → 输出整流滤波。外围元件极少，无需电流采样电阻和环路补偿网络。

5. 极限参数与电气特性（工程师必读）

下表为 CXAC85299D 的极限参数，设计时需确保不超过最大值，以免损坏芯片。工作结温范围-40℃~150℃，SOP-7 封装注意热阻（θJA=129℃/W）。

极限参数表

关键电气参数 (Ta=25℃, VCC=5.9V)

6. 工作原理与核心技术深度解析

高压启动与自供电

系统上电后，当母线电压达到最小漏极启动电压（50V）时，内部高压电流源开始对 VCC 电容充电。当 VCC 达到 4.9V 后继续充电至 VCC_ON（5.9V），芯片开始工作。正常工作期间，自供电电路在 MOSFET 关断期间通过 DRAIN 引脚对 VCC 电容充电并稳压到 5.9V，无需辅助绕组即可维持运行，此模式空载功耗小于 150mW。若需超低待机功耗，可增加辅助绕组供电，当辅助供电电流超过芯片所需时，高压供电电路自动关闭，空载功耗可降至 50mW 以下。

脉冲数控制（Pulse Number Control）

CXAC85299D 采用脉冲数控制：在每个时钟周期上升沿，比较流入 FB 脚的电流与阈值电流 IFB_DIS（57μA）。当 FB 电流小于阈值时，该周期开通 MOSFET；反之关闭 MOSFET。FB 电流来自光耦（光耦发射极接 FB，集电极接 VCC），输出电压越高，光耦电流越大，FB 电流越大，跳过周期越多，形成闭环稳压。这种控制方式无需外部环路补偿，动态响应极快，输出电压无过冲。限流点固定为 250mA，负载越重则开关脉冲密度越高。

电流检测与逐周期限流

芯片内部集成电流采样电路，无需外部采样电阻。当 MOSFET 电流超过内部限流点（典型 250mA）时，立即关断 MOSFET 直至下一个周期。内置 250ns 前沿消隐时间，防止开通尖峰误触发。

保护功能

芯片通过 FB 引脚监测输出状态：当输出短路、过载或反馈开路时，FB 电流持续小于阈值 45ms 后触发保护，芯片进入自动重启模式（短路保护等待 750ms，过载保护等待 115ms 后重试）。过温保护阈值为 140℃，迟滞 75℃，有效防止热失效。

7. 基于 CXAC85299D 的 12V/0.4A 微波炉辅助电源设计实例

目标规格：全电压输入 85-265VAC，输出 12V/0.4A（4.8W），封闭式辅助电源应用。设计步骤简述：

• 输入电容： 全电压输入取 2-3μF/W，选用 10μF/400V 电解电容。
• 反射电压 VOR： 选取 90V，匝比 N = VOR / (VOUT+VD) = 90 / (12+0.5) ≈ 7.2，取 N=7。
• 最低母线电压 VDC_MIN： 按公式估算约为 80V，最大占空比 D = VOR/(VDC_MIN+VOR) ≈ 0.53。
• 初级峰值电流： 芯片内部限流典型 250mA，取 ILIMIT_MAX=0.25A。
• 初级电感量： 按 DCM 设计，LP = 2*Po/(ILIMIT_MAX²*fs*η) = 2*4.8/(0.25²*132k*0.8) ≈ 1.45mH，取 1.5mH。
• 变压器匝数： 选用 EE13 磁芯（Ae=0.13cm²），BMAX=0.25T，NP = LP*ILIMIT_MAX/(BMAX*Ae) = 1500e-6*0.25/(0.25*0.13e-4) ≈ 115 匝，NS = NP/N ≈ 16 匝，辅助绕组取 18 匝（用于 VCC 供电）。
• 钳位电路： RCD 吸收，VCLAMP 取 2*VOR=180V，漏感按 5% 估算，计算得 R1≈220kΩ，C1≈2.2nF。
• 输出电容： 采用 220μF/25V 低 ESR 电解电容。

8. PCB Layout 专业建议（SOP-7 散热优化）

• VCC 电容： 必须紧靠 VCC 和 GND 引脚，建议使用 0.1μF~1μF X7R 陶瓷电容，走线尽量短。
• 地线布局： 芯片的 GND（源极）同时作为功率地和信号地。为了散热，需将 GND 引脚大面积铺铜，并连接至母线电容负端。辅助绕组地、光耦地应分别单独接到母线电容负端，避免大电流地环路干扰 FB 信号。
• FB 信号线： FB 引脚外接光耦发射极，走线应短且远离变压器、DRAIN 高频节点。光耦集电极直接接 VCC 电容正端。
• 高频功率环路： 母线电容正 → 变压器初级 → DRAIN → 内部 MOSFET → GND → 母线电容负的环路面积必须尽可能小，以降低辐射 EMI。
• 散热设计： SOP-7 封装底部无裸露焊盘，热量主要通过 GND 引脚和 PCB 铜箔散发。应在 GND 引脚处加大顶层和底层铜皮面积，并打多个过孔至背面地铜。对于 6W 以上应用，建议增加辅助绕组供电以降低芯片功耗并配合铝基板使用。
• 漏极铺铜： 由于 MOSFET 漏极存在很高的 dv/dt，不宜大面积铺铜，以防止容性耦合产生 EMI 问题。
• Y 电容与 ESD： Y 电容置于初级输入电容正端和次级地之间，使高频共模浪涌电流远离芯片。ESD 放电针直接跨接初级大电容正和次级地，远离控制回路。