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CXDC65238 Gen1 DDR5 MRDIMM PMIC | 4路降压+3路LDO | 15V输入 | 双相可编程 | VQFN-35L - 嘉泰姆电子
| 产品型号： | CXDC65238 |
| 产品类型： | DC-DC转换器 |
| 产品系列： | 整合型电源管理 IC车用 |
| 产品状态： | 量产 |
| 浏览次数： | 7 次 |
产品简介
技术参数
| 输入电压范围 (VIN) | 4.25V~15V |
|---|---|
| 输出电压 (VOUT) | 2.5~82V |
| 输出电流 (IOUT) | 4.5A |
| 工作频率 | 1000kHz |
| 转换效率 | 95% |
| 封装类型 | VQFN5x5-35(FC) |
| Topology | 整合型电源管理 IC车用 |
| Control method | PWM/PFM |
| Protection | 过流/过压/过温 |
| Features | Adjustable Current Limit;Adjustable Frequency;Adjustable Soft-Start;Built-in Bootstrap Switch;COT Control;Cycle-by-Cycle Current Limit;Diode Emulation Mode;Fast Transient Response;I2C;Industrial;Internal Compensation;OCP;OVP;Power Good;SCP;Stable with Ceramic Capacitor;UVP |
| Application | Industrial |
| Operating temp | -40℃~125℃ |
| Precision | ±1% |
| Number of Channels | 6 |
| Number of Buck Converters | 4 |
| Number of LDO Regulators | 2 |
产品详细介绍
CXDC65238 Gen1 DDR5 MRDIMM PMIC
4路降压转换器 + 3路LDO | 15V宽输入 | 双相可编程 | 效率92% | VQFN-35L 5×5（FC）
产品版本：Rev 1.0 | 更新日期：2026年8月 | 型号：CXDC65238 | 封装：VQFN-35L 5×5（FC）
技术咨询：ouamo18@jtm-ic.com 或致电 13823140578 (嘉泰姆电子)
嘉泰姆电子（JTM-IC）推出的 CXDC65238 是一款高度集成的电源管理IC（PMIC），专为Gen1 DDR5 MRDIMM（多列内存模组）应用设计。该器件完全符合JEDEC DDR5 PMIC5020规范，集成了4路同步降压转换器和3路LDO，为DDR5 MRDIMM提供完整的电源解决方案。
CXDC65238支持4.25V至15V的宽输入电压范围（VIN_MGMT支持3V至3.6V），可适应多种系统供电环境。四路降压转换器分别提供高达8.5A（SWA/SWB，双相模式）、10A（SWC）和3A（SWD）的持续输出电流，满足MRDIMM对大电流和高功率密度的需求。芯片采用A²RCOT控制架构，提供超快瞬态响应，支持双相DEM（二极管仿真模式），在轻载效率和瞬态响应之间实现最佳平衡。CXDC65238采用VQFN-35L 5×5（FC）封装，是Gen1 DDR5 MRDIMM电源管理的理想选择。
1. 产品概述与市场定位
Gen1 DDR5 MRDIMM（多列寄存式双列直插内存模组）是面向高性能计算和服务器应用的新一代内存技术，对电源管理方案提出了极为严苛的要求：多路高电流输出（VDD/VDDQ/VPP等）、宽输入电压适应（4.25V-15V）、高效率（>90%）、高精度（0.75%）、快速瞬态响应以及灵活的可编程性。CXDC65238作为一款专为Gen1 DDR5 MRDIMM设计的PMIC，在一个芯片内集成了全部所需电源轨——4路降压转换器和3路LDO，单芯片满足MRDIMM所有供电需求。
芯片采用A²RCOT控制架构，在经典COT控制基础上引入了自适应斜坡补偿和频率锁定环路，实现了低ESR陶瓷输出电容的稳定工作、优异的负载调整率和超快瞬态响应。双相DEM（二极管仿真模式）在轻载条件下自动降低开关频率以提升效率，同时在重载时快速切换到连续导通模式，确保瞬态性能。SWA和SWB支持单相/双相可编程配置，可灵活适配不同电流需求。
CXDC65238还集成了非易失错误日志寄存器，可持久记录故障事件；支持I2C和I3C Basic双模通信接口，提供完整寄存器访问；内置ADC监测功能实时监控各通道电压、电流和功率；并集成了智能保护单元，提供最优保护关断时序控制。芯片采用VQFN-35L 5×5（FC）封装，结温范围-40°C至125°C。
2. 主要特点与技术亮点
- SWA/SWB：输入4.25V-15V，输出可编程，持续电流8.5A（峰值10A），支持单相/双相可编程配置。
- SWC：输入4.25V-15V，输出可编程，持续电流10A（峰值11.5A），最高电流通道。
- SWD：输入4.25V-15V，输出可编程，持续电流3A（峰值3.5A）。
- VLDO_1.8V / VLDO_1.0V：为SPD/HUB等低功耗器件供电，VBIAS为内部使用。
- 宽输入电压范围：VIN_Bulk支持4.25V-15V，VIN_MGMT支持3V-3.6V，适应多种系统供电环境。
- A²RCOT控制：自适应斜坡补偿 + 频率锁定环路，实现低ESR陶瓷电容稳定工作、优异负载调整率和恒定频率。
- 双相DEM：双相二极管仿真模式，在轻载时提升效率，重载时保证瞬态响应。
- I2C/I3C接口：支持I2C和I3C Basic，开漏（I2C）和推挽（I3C）IO支持，提供完整寄存器访问。
- ADC监测：支持VIN_Bulk电压、各通道输出电压、电流和功率的实时监测。
- 非易失错误日志：持久记录故障事件，便于系统故障诊断。
- 保护机制：VIN_Bulk OVP/UVLO、各通道OVP/UVP/OCP/HCW、过温保护（OTP）和过温预警（OTW）。
- 智能保护单元：提供最优保护关断时序控制，确保系统安全。
- 自动输入电源切换：LDO支持自动输入电源切换，提高系统灵活性。
3. 技术参数与电气特性
| 符号 | 参数 | 最小值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| VIN_Bulk | 主输入电压 | -0.3 | 16 | V |
| VIN_MGMT | 管理输入电压 | -0.3 | 4 | V |
| SWA/B/C/D | 开关节点（DC） | -0.3 | VIN+0.3 | V |
| BOOT-SW | 自举电压 | -0.3 | 6 | V |
| 其他I/O | — | -0.3 | 6 | V |
| TJ | 结温 | -40 | 150 | °C |
| ESD (HBM) | 人体模型 | — | 2 | kV |
| 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| VIN_Bulk 输入电压 | 4.25 | — | 15 | V |
| VIN_MGMT 输入电压 | 3.0 | 3.3 | 3.6 | V |
| 环境温度范围 | -40 | — | 85 | °C |
| 结温范围 | -40 | — | 125 | °C |
| 参数 | 条件 | 典型值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| VIN_Bulk 电压范围 | — | 4.25~15 | V |
| VIN_MGMT 电压范围 | — | 3.0~3.6 | V |
| SWA/SWB 持续/峰值电流 | — | 8.5 / 10 | A |
| SWC 持续/峰值电流 | — | 10 / 11.5 | A |
| SWD 持续/峰值电流 | — | 3 / 3.5 | A |
| VLDO_1.8V 输出电流 | — | 25 | mA |
| VLDO_1.0V 输出电流 | — | 20 | mA |
| 输出精度 | — | ±0.75 | % |
| 效率 | 各Buck | 92 | % |
| I2C 速率 | — | 1 | MHz |
| I3C 速率 | — | 12.5 | MHz |
4. 应用场景
- Gen1 DDR5 MRDIMM：多列寄存式DDR5内存模组电源管理。
- 服务器内存系统：高性能计算和服务器DDR5 MRDIMM电源方案。
- 数据中心内存模组：面向数据中心的大容量DDR5内存电源管理。
5. 功能框图
图1. CXDC65238 内部功能方框图
内部集成：4路同步降压控制器（SWA：8.5A，SWB：8.5A，SWC：10A，SWD：3A）、3路LDO（VLDO_1.8V、VLDO_1.0V、VBIAS）、A²RCOT控制逻辑、双相/单相可编程控制、I2C/I3C接口、非易失错误日志、ADC监测、智能保护单元、保护电路（OVP/UVP/OCP/OTP/UVLO/HCW）等。
6. 典型应用电路
图2. CXDC65238 典型应用电路（Gen1 DDR5 MRDIMM）
典型应用电路包括：VIN_Bulk输入电容（4.25V-15V），VIN_MGMT输入电容（3.0V-3.6V），SWA/SWB/SWC/SWD的输出电感和电容，VLDO_1.8V/1.0V的输出电容（4.7μF），BOOT自举电容（0.1μF），I2C/I3C上拉电阻，PWR_GOOD和GSI_n输出等。推荐电感值根据各通道电流规格选择。
7. 引脚配置与功能描述
图3. CXDC65238 引脚配置图（VQFN-35L 5×5 FC封装）
35引脚 VQFN 5×5（FC）封装，底部散热焊盘。
主要引脚包括：VIN_Bulk（主输入）、VIN_MGMT（管理输入）、SWA/B/C/D（开关节点）、BOOT_SWA/B/C/D（自举）、LDO输出（VLDO_1.8V/1.0V）、I2C/I3C（SDA/SCL）、PWR_GOOD（电源正常指示）、GSI_n/CAMP（中断/故障指示）等。
8. 工作原理与设计指导
8.1 A²RCOT控制架构
CXDC65238采用A²RCOT（Accurate Adaptive Ramp Constant On-Time）控制架构，这是在传统COT控制基础上的重大改进。通过内部产生自适应斜坡信号，实现了：① 使用低ESR陶瓷输出电容时保持稳定，无需外部补偿；② 反馈电压平均值精确跟踪参考电压，获得优异的负载调整率和线性调整率；③ 频率锁定环路实时监测开关频率并调整导通时间，确保恒定频率。
8.2 双相DEM与单相/双相可编程
双相DEM（二极管仿真模式）在轻载时自动降低开关频率以提升效率，同时在重载时快速切换到连续导通模式，确保瞬态性能。SWA和SWB支持单相/双相可编程配置，通过I2C/I3C寄存器可灵活选择工作模式，适配不同电流需求。
8.3 I2C/I3C接口与可编程性
芯片支持I²C（开漏）和I3C Basic（推挽）双模通信。通过总线可编程实现输出电压、开关频率、工作模式、软启/软停时间、保护阈值以及上电/断电时序等配置。
8.4 非易失错误日志
芯片内置非易失错误日志寄存器，可持久记录故障事件（如OVP、UVP、OCP、OTP等），即使掉电后仍可保存，便于系统故障诊断和分析。
8.5 保护与故障管理
CXDC65238提供全面的保护机制：VIN_Bulk OVP/UVLO、各通道OVP/UVP/OCP/HCW、过温保护（OTP）和过温预警（OTW）。智能保护单元提供最优保护关断时序控制，PWR_GOOD和GSI_n/CAMP开漏指示器用于故障信号输出。
9. 外部元件选型与布局建议
9.1 电感选择
- SWA/SWB（8.5A）：需选用低DCR、高饱和电流的电感，建议饱和电流>12A。
- SWC（10A）：需选用低DCR、高饱和电流的电感，建议饱和电流>14A。
- SWD（3A）：选用饱和电流>4.5A的电感。
9.2 输入/输出电容
- VIN_Bulk：根据输入电压选择合适耐压的陶瓷电容，建议总容量≥22μF。
- VIN_MGMT：建议1μF-4.7μF陶瓷电容。
- 各通道输出：根据负载需求选择合适容量的陶瓷电容（建议X7R/X6S）。
- VLDO_1.8V/1.0V：4.7μF（6.3V，0402）。
9.3 PCB布局
- 高电流路径走线需足够宽，最小化电阻和电感。
- 输入电容尽量靠近各VIN引脚，改善滤波效果。
- SW节点面积最小化，降低EMI辐射。
- 敏感信号（反馈、I2C）远离SW节点。
- PGND连接至大面积地平面，多过孔散热。
- 散热焊盘必须焊接至大面积地平面，确保最大功耗散热。
10. 热性能信息
| 热参数 | VQFN-35L 5×5（FC） | 单位 |
|---|---|---|
| θJA（JEDEC标准） | 27（典型） | °C/W |
| θJC | 6（典型） | °C/W |
最大功耗计算（TA=25°C）：PD(MAX) ≈ (125°C - 25°C) / (27°C/W) ≈ 3.7W
11. 订购信息与技术支持
CXDC65238采用VQFN-35L 5×5（FC）封装，无铅、RoHS合规，符合JEDEC DDR5 PMIC5020规范。嘉泰姆电子提供工程样品、量产芯片及全面的技术支持，包括评估板、参考设计、I2C配置工具和FAE现场支持。
技术邮件: ouamo18@jtm-ic.com | 技术热线: 13823140578
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