CXLB74235 巅峰效率无线充电接收器 SoC
100W 接收 | 98.5% 效率 | 支持18W发射 | Qi 2.0 EPP | 20V可编程输出

产品版本：Rev 1.0 | 更新日期：2026年5月 | 型号：CXLB74235

嘉泰姆电子（JTM-IC）推出的CXLB74235是无线充电领域的技术巅峰之作，支持高达100W 功率接收，并可通过固件配置为无线充电发射器（Tx 模式最高 18W）。该芯片完全兼容 WPC Qi 规范 2.0 的 BPP 和 EPP，同时支持主流智能手机厂商的私有快充协议，为旗舰手机、平板电脑、轻薄笔记本及高性能设备带来前所未有的无线充电体验。基于磁感应技术，CXLB74235 实现了业界领先的98.5% AC-DC 转换效率，内部集成 ARM Cortex M0 处理器（32KB MTP + 8KB SRAM）、全同步整流器、专用功率 LDO，以及双向通信单元。芯片还集成了Q-Detection（品质因数检测）、双通道 Tx 解调、双向电流检测和硬件 ASK/FSK 调制解调，支持 I2C 主从双接口。采用 4.63mm × 4.79mm 118-WLCSP 封装，CXLB74235 定义了 100W 超级快充的无线未来。

1. 产品概述与市场定位

当无线充电功率突破 100W，其充电速度已完全超越多数有线快充。CXLB74235 应势而生，作为目前业界领先的 100W 级无线功率 SoC，它不仅支持高达 100W 的接收能力（输出 20V/5A），还能通过固件切换为 18W 发射器，为其他设备反向充电。芯片内部集成 ARM Cortex M0 处理器与 32KB MTP（多次可编程存储器），为复杂私有协议栈、高级 FOD 算法以及未来 Qi 规范升级预留充足空间。创新的 Q-Detection 功能实时监测线圈品质因数，精准识别异物；双通道 Tx 解调实现同时为两个设备充电；98.5% 的效率极大降低了 100W 大功率下的温升压力，使无线充电在性能、安全和用户体验上达到全新高度。CXLB74235 将推动笔记本电脑、无人机、机器人等大功率设备全面迈向无线化。

2. 主要特点与技术亮点

• 全球领先的功率能力：接收模式最高 100W（20V/5A），发射模式最高 18W（私有协议）。
• 98.5% 巅峰效率：AC-DC 转换效率高达 98.5%，得益于全同步整流和超低 RDS(ON) MOSFET（<10mΩ）。
• 强大的处理核心：ARM Cortex M0 @ 80MHz，32KB MTP + 8KB SRAM，支持未来协议升级和复杂算法。
• 双通道 Tx 解调：发射模式下同时与两个接收器通信，支持多设备充电管理。
• Q-Detection（品质因数检测）：无需外部元件，实时监测线圈 Q 值，增强异物检测可靠性。
• 全集成双向电流检测：内置高精度电流检测放大器，支持 100W 量程，简化 BOM。
• 硬件 ASK/FSK 调制解调：完全兼容 Qi 2.0 双向通信，支持私有扩展协议。
• I2C 主从双接口：主接口可控制外部 PMIC，从接口供外部 MCU 配置，灵活系统集成。
• 宽输出范围：可编程输出电压 3.3V~20V，步进 5mV，电流限值最高 5A。
• 整流桥模式可配置：支持全波模式和半波模式，适应不同线圈设计。
• 完备保护：OVP、OCP、OTP、FOD（通过 Q-Detection + 功率损耗计算）。
• 封装：118-ball WLCSP，4.63mm×4.79mm（11×11 球阵列），极小尺寸。

3. 视频

CXLB74235 采用 118-ball WLCSP 封装（11×11 球阵列），球距 0.4mm。球阵针对 100W 超高功率路径进行了全面优化，大幅增加了电源和地引脚数量以降低阻抗和热阻。关键引脚包括 AC1/AC2（线圈输入）、VOUT（20V 可编程输出，多引脚并联）、VBUS_TX（发射模式供电）、I2C_SCL/SDA（从接口）、I2C_MASTER_SCL/SDA（主接口）、GPIO、电流检测差分输入、Q-Detection 引脚等。完整引脚映射请参考数据手册。

4. 典型应用电路与内部框图

5. 极限参数与电气特性（设计参考）

6. 工作原理与关键技术深度解析

6.1 98.5% 巅峰效率的秘密

CXLB74235 通过三大技术实现 98.5% 的 AC-DC 转换效率：1) 全同步整流器采用 RDS(ON) 低至 8mΩ 的 MOSFET，导通损耗极低；2) 自适应整流控制算法精确检测电流过零，避免反向电流损耗；3) 专为百瓦级设计的 LDO 采用了动态 dropout 优化技术，压差低至 220mV@5A。在 100W 输出时，芯片自身功耗仅约 1.5W，温升控制领先业界。

6.2 Q-Detection：异物检测的新高度

传统 FOD 依赖功率损耗计算，易受线圈公差和温漂影响。CXLB74235 集成了高精度 Q-Detection 电路，通过向线圈注入衰减振荡信号并测量衰减时间常数，实时计算品质因数 Q。当异物靠近导致 Q 值下降超过阈值时，芯片立即停止充电。该功能无需外部元件，与功率计算 FOD 形成双重保障，尤其适合 100W 大功率应用。

6.3 双通道 Tx 解调与 18W 发射模式

配置为发射器时，CXLB74235 可作为 18W 私有协议发射器（或 5W Qi BPP 发射器）。集成的双通道 ASK 解调电路可同时与两个接收器通信，支持为两台设备充电（例如手机+手表）。发射模式下同样集成 OVP、OCP 和异物检测。

6.4 I2C 主从双接口系统集成

独立的 I2C 主接口允许芯片直接控制外部电源管理 IC（如为电池充电的 charger），从接口供外部主控配置。这种架构让 CXLB74235 可以独立完成整个充电过程，减轻主控 MCU 负载。

6.5 未来可升级的 SoC 架构

32KB MTP 和 8KB SRAM 提供了充足的代码和数据空间。通过 I2C 接口，用户可以在线更新固件，轻松适配 WPC Qi 规范后续版本或新的私有快充协议，真正实现“一次设计，长期不过时”。

7. 基于 CXLB74235 的 100W 无线充电设计实例

设计目标：100W 接收，输出 20V/5A 为 4 串锂电池（16.8V）充电，同时支持 18W 反向发射。

• 线圈与谐振网络：定制多股利兹线线圈（L≈5μH，DCR<8mΩ，Isat>15A），谐振电容采用多个 NPO 并联（总 Cs≈180nF，ESR<2mΩ）。
• 输出配置：I2C 设置 VOUT=20V，电流限值 5.2A。通过 I2C 主接口动态调整外接 charger 的充电电压/电流。
• 电流检测：VOUT 路径串联 1mΩ 采样电阻（4 引脚开尔文连接，功率 ≥2W），直接接入 CSP/CSN。
• 热设计：118-WLCSP 底部需设计 11×11 热过孔阵列（孔径 0.3mm，填充焊锡），连接至 2oz 铜地平面，并加装导热垫和主动散热（风扇）。实测 100W 连续传输时壳温 ≤85℃（环境 25℃）。
• Q-Detection 配置：外接 100kΩ 电阻和 33pF 电容至 QD 引脚，校准存储基准 Q 值。
• 发射模式：固件切换为 Tx 模式，VBUS_TX 由电池升压至 12V/15V，输出 18W 为另一台设备充电。

实测数据：接收模式输入 101.5W，输出 100.0W，效率 98.5%；发射模式输出 18.1W，效率 91%。该设计通过 Qi EPP 兼容性测试及 100W 温升压力测试。

8. PCB 布局与散热专业建议（100W 超高功率版）

• 功率环路最小化：AC1/AC2 走线宽度 ≥4mm，谐振电容组距离 <2mm。VOUT 和 PGND 回路使用整层 2oz 铜。
• 热过孔阵列：芯片底部满布 11×11 过孔（孔径 0.3mm，孔壁铜厚 >30μm），连接至底层连续铜区，开窗并加焊锡增强导热，必要时加装散热片。
• 电流检测走线：CSP/CSN 采用开尔文接法，差分走线并包地。
• Q-Detection 走线：敏感模拟信号，远离 SW 节点，走线尽量短。
• I2C 双接口：主从接口分开走线，上拉电阻靠近芯片。
• 输入滤波：AC 输入预留共模扼流圈，并增加 X 电容，抑制 EMI。
• 高压大电流注意：VOUT 输出电容选用多个 47μF/25V 陶瓷电容并联，总容值 >200μF，ESR <2mΩ。

9. 订购信息与技术支持

CXLB74235 采用 118-WLCSP 封装（4.63mm×4.79mm），工作温度 -40℃~85℃。嘉泰姆电子提供样品、量产及深度技术支持，包括 100W 参考设计、协议栈源码、MTP 烧录工具和 FAE 现场支持。