CXLB74241 Qi 2.2 无线充电发射器 SoC | 80W 支持 MPP | 16 通道 ASK/PSK | 高精度 FOD - 嘉泰姆电子

CXLB74241 Qi 2.2 无线充电发射器 SoC | 80W 支持 MPP | 16 通道 ASK/PSK | 高精度 FOD - 嘉泰姆电子

产品型号:CXLB74241
产品类型:无线充电IC
产品系列:无线充电IC 发射端
产品状态:量产
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产品简介

嘉泰姆电子(JTM-IC)推出的CXLB74241是一款面向新一代无线充电发射应用的旗舰级 SoC,完全符合 WPC Qi 规范 2.2,支持基线功率协议(BPP)、扩展功率协议(EPP)和磁功率协议(MPP)(即苹果 MagSafe 兼容模式),最高可实现 80W 的无线输出功率。芯片内部集成 ARM Cortex M0 处理器(64kB MTP + 32kB ROM + 16kB SRAM)、高压 BUCK 转换器(4V~24V 宽输入)、三对 N-MOSFET 驱动器、16 通道 ASK/PSK 解调 DSP、高侧电流检测电路、12 位 ADC/DAC、双通道 Q 值检测等丰富模拟前端。支持 USB PD、QC、FCP、SCP、AFC、UFCS 及 TRANSSION 等多种快充适配器协议。采用 6mm×6mm QFN48 封装,CXLB74241 为高端无线充电底座、车载无线充电、多合一磁吸充电板等应用提供顶级的单芯片解决方案。核心优势: Qi 2.2 全协议支持

技术参数

输出电压 (VOUT)4V-24V
输出电流 (IOUT)100W
工作频率100kHz
转换效率95%
封装类型QFN48 (6×6)
Iq1uA
Type无线充电发射端
Features异物检测/过温保护
Coil type单线圈/多线圈
Protection过压/过流/过热
ApplicationTX,集成USB-PD
Output power100W
CommunicationI2C/UART
Charge protocolQi/BPP/EPP

产品详细介绍

CXLB74241 Qi 2.2 全兼容无线充电发射器 SoC
80W 输出 | 支持 MPP 磁功率协议 | 16 通道 ASK/PSK 解调 | 高压 BUCK 集成

产品版本:Rev 1.0 | 更新日期:2026年5月 | 型号:CXLB74241

嘉泰姆电子(JTM-IC)推出的CXLB74241是一款面向新一代无线充电发射应用的旗舰级 SoC,完全符合 WPC Qi 规范 2.2,支持基线功率协议(BPP)、扩展功率协议(EPP)和磁功率协议(MPP)(即苹果 MagSafe 兼容模式),最高可实现 80W 的无线输出功率。芯片内部集成 ARM Cortex M0 处理器(64kB MTP + 32kB ROM + 16kB SRAM)、高压 BUCK 转换器(4V~24V 宽输入)、三对 N-MOSFET 驱动器、16 通道 ASK/PSK 解调 DSP、高侧电流检测电路、12 位 ADC/DAC、双通道 Q 值检测等丰富模拟前端。支持 USB PD、QC、FCP、SCP、AFC、UFCS 及 TRANSSION 等多种快充适配器协议。采用 6mm×6mm QFN48 封装,CXLB74241 为高端无线充电底座、车载无线充电、多合一磁吸充电板等应用提供顶级的单芯片解决方案。

核心优势: Qi 2.2 全协议支持(BPP/EPP/MPP)+ 80W 大功率 + 集成高压 BUCK + 三对 NMOS 驱动 + 16 通道 ASK/PSK 解调 + 高侧电流检测 + 双通道 Q 值检测 + 多协议快充适配器。满足未来 MPP 磁吸无线充电生态需求。

1. 产品概述与市场定位

随着 Qi 2.2 规范的发布,MPP(磁功率协议)成为高端无线充电设备的标配。CXLB74241 应势而生:它不仅完全兼容 Qi 2.2 的 BPP 和 EPP,更原生支持 MPP 协议所需的硬件加速功能,包括高精度 Q 值检测、专用解调通道和优化的 PWM 控制。芯片集成高压 BUCK 转换器,可直接从 4V~24V 宽输入电压取电(如 12V/24V 车载电源或 QC/PD 适配器),内部降压后为系统供电,大幅降低高压差下的功耗。三对 NMOS 驱动器可直接驱动外置全桥 MOSFET,支持单线圈或多线圈配置。16 通道 ASK/PSK 解调 DSP 配合专用模拟前端,确保在 MPP 磁吸模式下通信的可靠性。芯片还集成了动态功率限制(DPL)功能,当输入功率不足时自动降功率,防止系统欠压复位。CXLB74241 是下一代磁吸无线充电发射端、多设备无线充电板、车载无线充电等应用的理想选择。

2. 主要特点与技术亮点

  • 最新的 Qi 2.2 兼容性:符合 WPC Qi V2.2 规范,支持 BPP、EPP 及 MPP(磁功率协议),同时兼容主流私有快充协议。
  • 大功率发射能力:最高 80W 输出功率,满足手机、平板等大功率设备快速无线充电。
  • 宽输入电压范围:4V ~ 24V,支持直接连接 12V/24V 车载电源或 QC/PD 适配器。
  • 集成高压 BUCK 转换器:在高压输入时内部高效降压,降低芯片及系统功耗,提高整体效率。
  • 三对 N-MOSFET 驱动器:可直接驱动外置全桥 MOSFET,支持可编程死区时间和相移控制,优化 EMI。
  • 强大的处理核心:ARM Cortex M0,64kB MTP + 32kB ROM + 16kB SRAM,支持客户定制固件及在线升级。
  • 16 通道 ASK/PSK 解调 DSP:配合多通道 AFE,实现电压/电流模式解调,抗干扰能力极强。
  • 高精度异物检测(FOD):高侧电流检测(2 通道)+ 12 位 ADC + 12 位 DAC,结合双通道 Q 值检测,实现行业领先的 FOD 精度。
  • 动态功率限制(DPL):当输入电压跌落时自动降低输出功率,防止系统进入欠压锁定。
  • 灵活的外设与调试:2 个 UART、2 个 I2C、SWD 调试接口,丰富的 GPIO。
  • 高级定时器:4 个高级定时器(PWM 生成与捕获),1 个基础定时器(2 通道),6 对 PWM 发生器支持 FSK 调制和频率抖动。
  • 硬件加速与安全:浮点 ln(x) 运算硬件加速、CRC 硬件单元。
  • 低功耗模式:支持低功耗模式和超低功耗模式,待机功耗极低。
  • 完备保护:OVP、OCP、UVP、OTP,输入欠压检测和锁定。
  • 封装:QFN48L(6mm×6mm),无卤素,RoHS 合规。

3. 引脚封装说明(占位图)

CXLB74241 采用 QFN48L 封装(6mm×6mm,48 引脚),底部外露散热焊盘。主要引脚包括:宽输入 VIN(4V~24V)、BUCK 输出、三对 NMOS 栅极驱动输出(PWM_AH/AL, PWM_BH/BL, PWM_CH/CL)、ASK/PSK 解调输入(电压/电流采样)、高侧电流检测输入、双通道 Q 值检测输入、I2C/UART 接口、GPIO、外部晶振输入等。完整引脚映射请参考数据手册。

图1. CXLB74241 QFN48 引脚封装图(顶视图)

[ 封装外形示意图 ] 详细引脚间距及尺寸请联系嘉泰姆电子获取。

4. 典型应用电路与内部框图占位

典型应用电路与内部框图占位
图2. CXLB74241 80W 无线充电发射典型应用电路(支持 MPP 磁功率)

电路组成:输入电源(4V~24V) → 芯片 VIN → 内部高压 BUCK 产生 VDD_System → 内部 LDO 产生 3.3V/1.5V → 三对 NMOS 驱动外置全桥 MOSFET(也可配置为多线圈切换) → 发射线圈及谐振电容(MPP 专用磁吸线圈)。高侧电流检测电阻(2mΩ~5mΩ)串联在输入母线上;双通道 Q 值检测网络连接至两个线圈(支持多线圈或单线圈 Q 值测量)。ASK/PSK 解调通过电压分压和电流互感器接入芯片。外围元件精简,参考设计可向 FAE 索取。

* 80W MPP 发射参考设计(原理图/PCB/物料清单)可向嘉泰姆 FAE 申请。

图3. CXLB74241 内部功能方框图

内部集成:ARM Cortex M0(64kB MTP/32kB ROM/16kB SRAM)、高压 BUCK 转换器、3.3V LDO、1.5V LDO、三对 NMOS 驱动器、16 通道 ASK/PSK 解调 DSP、多通道 AFE、高侧电流检测(2 通道)、12 位 ADC、12 位 DAC、双通道 Q 值检测电路、4 个高级定时器(PWM)、6 对 PWM 发生器(支持 FSK/抖动)、2 个 UART、2 个 I2C、GPIO、DPL 比较器、温度传感器、硬件 CRC 及浮点加速单元。

5. 极限参数与电气特性(设计参考)

极限参数表 (Absolute Maximum Ratings)
符号 参数 最小值 最大值 单位
VIN_MAX 输入电源电压 -0.3 28 V
VDRV_MAX 栅极驱动器电源电压(内部 BUCK 输出) -0.3 12 V
VIO_MAX I/O 引脚电压 -0.3 5.5 V
TJ 结温范围 -40 150
TSTG 存储温度 -55 150
ESD_HBM 人体模式静电等级 - ±2000 V
关键电气特性 (典型值,TA=25℃)
参数 条件 典型值 单位
输入电压范围 支持车载及快充 4 ~ 24 V
最大输出功率 EPP/MPP 及私有协议 80 W
高压 BUCK 输出电压 可编程 5 / 5.5 / 6 / 6.5 / 7 / 7.5 / 8 V
系统效率(DC-AC) VIN=12V, POUT=80W ≥88 %
待机功耗(睡眠模式) 32kHz 时钟,无接收器 <50 mW
PWM 分辨率 高性能 PWM 模块 16 bits
PWM 频率范围 可编程 20k ~ 500k Hz
死区时间可编程范围 步进 4ns 0 ~ 1020 ns
ADC 分辨率/采样率 SAR 型 12 bits / 100k sps
ASK/PSK 解调通道 DSP 通道 16 -
高侧电流检测增益 可编程 10/20/40/80 V/V
MTP 寿命 擦写次数 100k cycles
过温保护阈值 关断/恢复 150 / 110

6. 工作原理与关键技术深度解析

6.1 Qi 2.2 全协议支持与 MPP 磁功率优化

CXLB74241 是首批完全符合 Qi 2.2 规范的发射端 SoC。MPP(磁功率协议)要求发射器与接收器通过磁吸精确对齐,并支持更复杂的通信和异物检测。芯片集成双通道 Q 值检测电路,可独立测量两个线圈(或多线圈系统中轮流测量),实时监测磁吸状态和异物影响。专用 FSK 调制器和 PWM 相移控制帮助实现 MPP 所需的高精度功率传输和通信。

6.2 高压 BUCK + 多级电源管理

集成的高压 BUCK 转换器可直接从 24V 输入取电,降压至 5~8V(可编程)供栅极驱动器和系统使用。相比传统线性稳压,BUCK 方案在高压差时效率提升 40% 以上,显著降低芯片温升。芯片内部还集成了 3.3V LDO(I/O 和模拟电路)和 1.5V LDO(内核),实现完整电源树。

6.3 16 通道 ASK/PSK 解调与高侧电流检测

芯片集成了 16 通道专用 DSP,可同时处理来自电压、电流、高侧检测等多个通道的 ASK/PSK 信号。高侧电流检测电路(2 通道)可直接测量输入母线电流,无需低侧电阻带来的地弹噪声,尤其适合大电流应用。结合 12 位 ADC 和 DAC,系统可实现极为精确的输入功率测量和 FOD 计算。

6.4 动态功率限制(DPL)与欠压保护

当适配器功率不足(例如使用 5V/2A 适配器尝试输出 15W)时,输入电压会下降。DPL 比较器监测 VIN,一旦低于阈值,芯片自动降低输出功率,防止系统进入 UVLO 复位。该功能保证用户体验的连续性。

6.5 灵活的 PWM 与 EMI 优化

4 个高级定时器提供多达 6 对 PWM 输出,支持可编程死区时间、相移控制和频率抖动。频率抖动功能可将基波能量分散,显著降低 EMI,有助于通过 EMC 认证。FSK 调制器用于发射器向接收器发送指令,满足 MPP 双向通信要求。

关键公式:效率 η = POUT / PIN × 100%;FOD 损耗 Ploss = PIN - POUT;Q = ωL/R;DPL 触发阈值可编程。

7. 基于 CXLB74241 的 80W MPP 无线充电发射器设计实例

设计目标:80W MPP 兼容发射器,支持 USB PD 快充输入,单线圈(磁吸),用于高端手机无线充电座。

  • 输入适配器:支持 USB PD 3.1 的适配器,芯片自动请求 20V 输入(VIN=20V)。
  • 全桥功率级:外置 4 颗 60V/5mΩ NMOS,由芯片内部驱动器直接驱动;栅极电阻 10Ω。
  • BUCK 配置:BUCK 输出设置为 7.5V,为栅极驱动器和系统供电,电感 6.8μH(饱和电流 >5A),电容 47μF。
  • 高侧电流检测:输入母线上串联 2mΩ 采样电阻,差分信号接入 HSCSP/HSCSN,增益设为 40V/V。
  • Q 值检测:两个 QD 引脚分别外接 1MΩ 电阻和 15pF 电容至线圈抽头,用于双通道 Q 值测量。
  • ASK/PSK 解调:线圈电压分压网络(100kΩ/1kΩ)接 ASK_V;电流互感器(1:100)接 ASK_I。
  • 保护配置:通过 I²C 设置 OCP 阈值(6A),OVP 阈值(24V),UVP 阈值(4V)。
  • MPP 线圈:使用标准 MPP 磁吸线圈(L≈6.3μH,DCR<30mΩ),并增加磁铁环。

实测数据:输入 20V/4.5A(90W),输出 80W(接收端 20V/4A),系统效率约 89%(含线圈损耗);待机功耗 <50mW;双通道 Q 值检测可精准识别金属异物;MPP 模式下通信稳定,通过 Qi 2.2 预测试。

设计支持: 嘉泰姆电子提供 CXLB74241 评估板、参考固件(含 Qi 2.2 EPP/MPP 协议栈)、80W 参考设计(原理图/BOM/Gerber)以及定制开发支持。联系 FAE 获取。

8. PCB 布局专业建议(80W MPP 发射端)

  • 功率环路最小化:VIN 电容、全桥 MOSFET、谐振电容、线圈形成的环路面积尽可能小,使用多边形敷铜和宽走线(>3mm)。
  • BUCK 转换器布局:输入电容、电感、输出电容应靠近芯片 SW 引脚,SW 节点走线短而宽,减少 EMI。
  • 栅极驱动走线:PWM 输出到 MOSFET 栅极的走线尽量短(<10mm),并远离解调和检测走线。
  • 高侧电流检测走线:HSCSP/HSCSN 采用开尔文接法直接从采样电阻两端引出,差分走线且包地。
  • Q 值检测走线:QD 引脚外接 RC 网络靠近芯片,走线远离功率节点。
  • ASK 解调网络:电压分压电阻和 CT 次级负载电阻需靠近芯片,避免引入噪声。
  • 散热设计:QFN 底部散热焊盘需打过孔阵列(0.3mm 孔径,间距 0.6mm)连接至地平面,并增加顶层和底层铺铜。80W 大功率建议加装散热片或强制风冷。
  • MPP 磁铁影响:磁铁下方避免铺设敏感信号线,防止磁场干扰。

9. 订购信息与技术支持

CXLB74241 采用 QFN48L 封装(6mm×6mm),工作温度 -40℃~105℃(满足车规温度范围)。嘉泰姆电子提供样品、量产及深度技术支持,包括参考设计、固件库、MTP 烧录服务和 FAE 现场支持。

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