
CXLB74241 Qi 2.2 无线充电发射器 SoC | 80W 支持 MPP | 16 通道 ASK/PSK | 高精度 FOD - 嘉泰姆电子
| 产品型号: | CXLB74241 |
| 产品类型: | 无线充电IC |
| 产品系列: | 无线充电IC 发射端 |
| 产品状态: | 量产 |
| 浏览次数: | 2 次 |
产品简介
技术参数
| 输出电压 (VOUT) | 4V-24V |
|---|---|
| 输出电流 (IOUT) | 100W |
| 工作频率 | 100kHz |
| 转换效率 | 95% |
| 封装类型 | QFN48 (6×6) |
| Iq | 1uA |
| Type | 无线充电发射端 |
| Features | 异物检测/过温保护 |
| Coil type | 单线圈/多线圈 |
| Protection | 过压/过流/过热 |
| Application | TX,集成USB-PD |
| Output power | 100W |
| Communication | I2C/UART |
| Charge protocol | Qi/BPP/EPP |
产品详细介绍
CXLB74241 Qi 2.2 全兼容无线充电发射器 SoC
80W 输出 | 支持 MPP 磁功率协议 | 16 通道 ASK/PSK 解调 | 高压 BUCK 集成
产品版本:Rev 1.0 | 更新日期:2026年5月 | 型号:CXLB74241
技术咨询:ouamo18@jtm-ic.com 或致电 13823140578 (嘉泰姆电子)
嘉泰姆电子(JTM-IC)推出的CXLB74241是一款面向新一代无线充电发射应用的旗舰级 SoC,完全符合 WPC Qi 规范 2.2,支持基线功率协议(BPP)、扩展功率协议(EPP)和磁功率协议(MPP)(即苹果 MagSafe 兼容模式),最高可实现 80W 的无线输出功率。芯片内部集成 ARM Cortex M0 处理器(64kB MTP + 32kB ROM + 16kB SRAM)、高压 BUCK 转换器(4V~24V 宽输入)、三对 N-MOSFET 驱动器、16 通道 ASK/PSK 解调 DSP、高侧电流检测电路、12 位 ADC/DAC、双通道 Q 值检测等丰富模拟前端。支持 USB PD、QC、FCP、SCP、AFC、UFCS 及 TRANSSION 等多种快充适配器协议。采用 6mm×6mm QFN48 封装,CXLB74241 为高端无线充电底座、车载无线充电、多合一磁吸充电板等应用提供顶级的单芯片解决方案。
1. 产品概述与市场定位
随着 Qi 2.2 规范的发布,MPP(磁功率协议)成为高端无线充电设备的标配。CXLB74241 应势而生:它不仅完全兼容 Qi 2.2 的 BPP 和 EPP,更原生支持 MPP 协议所需的硬件加速功能,包括高精度 Q 值检测、专用解调通道和优化的 PWM 控制。芯片集成高压 BUCK 转换器,可直接从 4V~24V 宽输入电压取电(如 12V/24V 车载电源或 QC/PD 适配器),内部降压后为系统供电,大幅降低高压差下的功耗。三对 NMOS 驱动器可直接驱动外置全桥 MOSFET,支持单线圈或多线圈配置。16 通道 ASK/PSK 解调 DSP 配合专用模拟前端,确保在 MPP 磁吸模式下通信的可靠性。芯片还集成了动态功率限制(DPL)功能,当输入功率不足时自动降功率,防止系统欠压复位。CXLB74241 是下一代磁吸无线充电发射端、多设备无线充电板、车载无线充电等应用的理想选择。
2. 主要特点与技术亮点
- 最新的 Qi 2.2 兼容性:符合 WPC Qi V2.2 规范,支持 BPP、EPP 及 MPP(磁功率协议),同时兼容主流私有快充协议。
- 大功率发射能力:最高 80W 输出功率,满足手机、平板等大功率设备快速无线充电。
- 宽输入电压范围:4V ~ 24V,支持直接连接 12V/24V 车载电源或 QC/PD 适配器。
- 集成高压 BUCK 转换器:在高压输入时内部高效降压,降低芯片及系统功耗,提高整体效率。
- 三对 N-MOSFET 驱动器:可直接驱动外置全桥 MOSFET,支持可编程死区时间和相移控制,优化 EMI。
- 强大的处理核心:ARM Cortex M0,64kB MTP + 32kB ROM + 16kB SRAM,支持客户定制固件及在线升级。
- 16 通道 ASK/PSK 解调 DSP:配合多通道 AFE,实现电压/电流模式解调,抗干扰能力极强。
- 高精度异物检测(FOD):高侧电流检测(2 通道)+ 12 位 ADC + 12 位 DAC,结合双通道 Q 值检测,实现行业领先的 FOD 精度。
- 动态功率限制(DPL):当输入电压跌落时自动降低输出功率,防止系统进入欠压锁定。
- 灵活的外设与调试:2 个 UART、2 个 I2C、SWD 调试接口,丰富的 GPIO。
- 高级定时器:4 个高级定时器(PWM 生成与捕获),1 个基础定时器(2 通道),6 对 PWM 发生器支持 FSK 调制和频率抖动。
- 硬件加速与安全:浮点 ln(x) 运算硬件加速、CRC 硬件单元。
- 低功耗模式:支持低功耗模式和超低功耗模式,待机功耗极低。
- 完备保护:OVP、OCP、UVP、OTP,输入欠压检测和锁定。
- 封装:QFN48L(6mm×6mm),无卤素,RoHS 合规。
3. 引脚封装说明(占位图)
CXLB74241 采用 QFN48L 封装(6mm×6mm,48 引脚),底部外露散热焊盘。主要引脚包括:宽输入 VIN(4V~24V)、BUCK 输出、三对 NMOS 栅极驱动输出(PWM_AH/AL, PWM_BH/BL, PWM_CH/CL)、ASK/PSK 解调输入(电压/电流采样)、高侧电流检测输入、双通道 Q 值检测输入、I2C/UART 接口、GPIO、外部晶振输入等。完整引脚映射请参考数据手册。
图1. CXLB74241 QFN48 引脚封装图(顶视图)
[ 封装外形示意图 ] 详细引脚间距及尺寸请联系嘉泰姆电子获取。
4. 典型应用电路与内部框图占位

图2. CXLB74241 80W 无线充电发射典型应用电路(支持 MPP 磁功率)
电路组成:输入电源(4V~24V) → 芯片 VIN → 内部高压 BUCK 产生 VDD_System → 内部 LDO 产生 3.3V/1.5V → 三对 NMOS 驱动外置全桥 MOSFET(也可配置为多线圈切换) → 发射线圈及谐振电容(MPP 专用磁吸线圈)。高侧电流检测电阻(2mΩ~5mΩ)串联在输入母线上;双通道 Q 值检测网络连接至两个线圈(支持多线圈或单线圈 Q 值测量)。ASK/PSK 解调通过电压分压和电流互感器接入芯片。外围元件精简,参考设计可向 FAE 索取。
* 80W MPP 发射参考设计(原理图/PCB/物料清单)可向嘉泰姆 FAE 申请。
图3. CXLB74241 内部功能方框图
内部集成:ARM Cortex M0(64kB MTP/32kB ROM/16kB SRAM)、高压 BUCK 转换器、3.3V LDO、1.5V LDO、三对 NMOS 驱动器、16 通道 ASK/PSK 解调 DSP、多通道 AFE、高侧电流检测(2 通道)、12 位 ADC、12 位 DAC、双通道 Q 值检测电路、4 个高级定时器(PWM)、6 对 PWM 发生器(支持 FSK/抖动)、2 个 UART、2 个 I2C、GPIO、DPL 比较器、温度传感器、硬件 CRC 及浮点加速单元。
5. 极限参数与电气特性(设计参考)
| 符号 | 参数 | 最小值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| VIN_MAX | 输入电源电压 | -0.3 | 28 | V |
| VDRV_MAX | 栅极驱动器电源电压(内部 BUCK 输出) | -0.3 | 12 | V |
| VIO_MAX | I/O 引脚电压 | -0.3 | 5.5 | V |
| TJ | 结温范围 | -40 | 150 | ℃ |
| TSTG | 存储温度 | -55 | 150 | ℃ |
| ESD_HBM | 人体模式静电等级 | - | ±2000 | V |
| 参数 | 条件 | 典型值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 输入电压范围 | 支持车载及快充 | 4 ~ 24 | V |
| 最大输出功率 | EPP/MPP 及私有协议 | 80 | W |
| 高压 BUCK 输出电压 | 可编程 | 5 / 5.5 / 6 / 6.5 / 7 / 7.5 / 8 | V |
| 系统效率(DC-AC) | VIN=12V, POUT=80W | ≥88 | % |
| 待机功耗(睡眠模式) | 32kHz 时钟,无接收器 | <50 | mW |
| PWM 分辨率 | 高性能 PWM 模块 | 16 | bits |
| PWM 频率范围 | 可编程 | 20k ~ 500k | Hz |
| 死区时间可编程范围 | 步进 4ns | 0 ~ 1020 | ns |
| ADC 分辨率/采样率 | SAR 型 | 12 bits / 100k | sps |
| ASK/PSK 解调通道 | DSP 通道 | 16 | - |
| 高侧电流检测增益 | 可编程 | 10/20/40/80 | V/V |
| MTP 寿命 | 擦写次数 | 100k | cycles |
| 过温保护阈值 | 关断/恢复 | 150 / 110 | ℃ |
6. 工作原理与关键技术深度解析
6.1 Qi 2.2 全协议支持与 MPP 磁功率优化
CXLB74241 是首批完全符合 Qi 2.2 规范的发射端 SoC。MPP(磁功率协议)要求发射器与接收器通过磁吸精确对齐,并支持更复杂的通信和异物检测。芯片集成双通道 Q 值检测电路,可独立测量两个线圈(或多线圈系统中轮流测量),实时监测磁吸状态和异物影响。专用 FSK 调制器和 PWM 相移控制帮助实现 MPP 所需的高精度功率传输和通信。
6.2 高压 BUCK + 多级电源管理
集成的高压 BUCK 转换器可直接从 24V 输入取电,降压至 5~8V(可编程)供栅极驱动器和系统使用。相比传统线性稳压,BUCK 方案在高压差时效率提升 40% 以上,显著降低芯片温升。芯片内部还集成了 3.3V LDO(I/O 和模拟电路)和 1.5V LDO(内核),实现完整电源树。
6.3 16 通道 ASK/PSK 解调与高侧电流检测
芯片集成了 16 通道专用 DSP,可同时处理来自电压、电流、高侧检测等多个通道的 ASK/PSK 信号。高侧电流检测电路(2 通道)可直接测量输入母线电流,无需低侧电阻带来的地弹噪声,尤其适合大电流应用。结合 12 位 ADC 和 DAC,系统可实现极为精确的输入功率测量和 FOD 计算。
6.4 动态功率限制(DPL)与欠压保护
当适配器功率不足(例如使用 5V/2A 适配器尝试输出 15W)时,输入电压会下降。DPL 比较器监测 VIN,一旦低于阈值,芯片自动降低输出功率,防止系统进入 UVLO 复位。该功能保证用户体验的连续性。
6.5 灵活的 PWM 与 EMI 优化
4 个高级定时器提供多达 6 对 PWM 输出,支持可编程死区时间、相移控制和频率抖动。频率抖动功能可将基波能量分散,显著降低 EMI,有助于通过 EMC 认证。FSK 调制器用于发射器向接收器发送指令,满足 MPP 双向通信要求。
关键公式:效率 η = POUT / PIN × 100%;FOD 损耗 Ploss = PIN - POUT;Q = ωL/R;DPL 触发阈值可编程。
7. 基于 CXLB74241 的 80W MPP 无线充电发射器设计实例
设计目标:80W MPP 兼容发射器,支持 USB PD 快充输入,单线圈(磁吸),用于高端手机无线充电座。
- 输入适配器:支持 USB PD 3.1 的适配器,芯片自动请求 20V 输入(VIN=20V)。
- 全桥功率级:外置 4 颗 60V/5mΩ NMOS,由芯片内部驱动器直接驱动;栅极电阻 10Ω。
- BUCK 配置:BUCK 输出设置为 7.5V,为栅极驱动器和系统供电,电感 6.8μH(饱和电流 >5A),电容 47μF。
- 高侧电流检测:输入母线上串联 2mΩ 采样电阻,差分信号接入 HSCSP/HSCSN,增益设为 40V/V。
- Q 值检测:两个 QD 引脚分别外接 1MΩ 电阻和 15pF 电容至线圈抽头,用于双通道 Q 值测量。
- ASK/PSK 解调:线圈电压分压网络(100kΩ/1kΩ)接 ASK_V;电流互感器(1:100)接 ASK_I。
- 保护配置:通过 I²C 设置 OCP 阈值(6A),OVP 阈值(24V),UVP 阈值(4V)。
- MPP 线圈:使用标准 MPP 磁吸线圈(L≈6.3μH,DCR<30mΩ),并增加磁铁环。
实测数据:输入 20V/4.5A(90W),输出 80W(接收端 20V/4A),系统效率约 89%(含线圈损耗);待机功耗 <50mW;双通道 Q 值检测可精准识别金属异物;MPP 模式下通信稳定,通过 Qi 2.2 预测试。
8. PCB 布局专业建议(80W MPP 发射端)
- 功率环路最小化:VIN 电容、全桥 MOSFET、谐振电容、线圈形成的环路面积尽可能小,使用多边形敷铜和宽走线(>3mm)。
- BUCK 转换器布局:输入电容、电感、输出电容应靠近芯片 SW 引脚,SW 节点走线短而宽,减少 EMI。
- 栅极驱动走线:PWM 输出到 MOSFET 栅极的走线尽量短(<10mm),并远离解调和检测走线。
- 高侧电流检测走线:HSCSP/HSCSN 采用开尔文接法直接从采样电阻两端引出,差分走线且包地。
- Q 值检测走线:QD 引脚外接 RC 网络靠近芯片,走线远离功率节点。
- ASK 解调网络:电压分压电阻和 CT 次级负载电阻需靠近芯片,避免引入噪声。
- 散热设计:QFN 底部散热焊盘需打过孔阵列(0.3mm 孔径,间距 0.6mm)连接至地平面,并增加顶层和底层铺铜。80W 大功率建议加装散热片或强制风冷。
- MPP 磁铁影响:磁铁下方避免铺设敏感信号线,防止磁场干扰。
9. 订购信息与技术支持
CXLB74241 采用 QFN48L 封装(6mm×6mm),工作温度 -40℃~105℃(满足车规温度范围)。嘉泰姆电子提供样品、量产及深度技术支持,包括参考设计、固件库、MTP 烧录服务和 FAE 现场支持。
技术邮件: ouamo18@jtm-ic.com | 技术热线: 13823140578

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