
CXLD64458 36V高输入电压LDO稳压器 | 2μA静态电流 | AEC-Q100 | 固定输出2.5V-12V - 嘉泰姆电子
| 产品型号: | CXLD64458 |
| 产品类型: | LDO线性稳压器 |
| 产品系列: | 线性稳压器单通道输出 |
| 产品状态: | 量产 |
| 浏览次数: | 11 次 |
产品简介
技术参数
| 输入电压范围 (VIN) | 3.5 - 36V |
|---|---|
| 输出电压 (VOUT) | 2.5~12V |
| 输出电流 (IOUT) | 200mA |
| 工作频率 | 1000kHz |
| 转换效率 | 95% |
| 封装类型 | WDFN3x3-8 |
| Dropout voltage | 200 @ 0.01A |
| Quiescent current | 2 |
| Psrr. | 60dB@1kHz |
| Noise | 30μVRMS |
| Protection | 过流/过温 |
| Features | AEC-Q100;Enable Input;OCP;Stable with Ceramic Capacitor |
| Application | 线性稳压器单通道输出 |
| Temperature range | -40℃~125℃ |
| Output capacitor | Ceramic |
| Precision | ±2% |
| Bias Rail | Yes |
| Charge Pump | Yes |
| Output Adj. Method | Fixed |
产品详细介绍
CXLD64458 36V高输入电压LDO稳压器
2μA静态电流 | AEC-Q100 Grade 1 | 固定输出2.5V-12V | 峰值200mA
产品版本:Rev 1.0 | 更新日期:2026年7月 | 型号:CXLD64458 | 封装:WDFN-8L 3x3
技术咨询:ouamo18@jtm-ic.com 或致电 13823140578 (嘉泰姆电子)
嘉泰姆电子(JTM-IC)推出的 CXLD64458 是一款高输入电压(36V)、超低静态电流(2μA)的低压差线性稳压器,可提供 100mA 连续输出电流(峰值 200mA)。器件通过 AEC-Q100 Grade 1 车规认证,支持 3.5V 至 36V 的宽输入电压范围,固定输出电压可选 2.5V 至 12V(0.1V 步进),精度高达 ±2%。CXLD64458 采用 PMOS 调整管,压差低至 200mV@10mA,关断电流小于 0.2μA(典型 0.01μA),非常适合汽车常电、电池供电、便携设备、智能电表等对功耗和耐压要求苛刻的应用。器件集成 使能控制(EN)、过流保护 和 过温保护,采用 WDFN-8L 3x3 封装,工作结温范围 -40°C~125°C。
1. 产品概述与市场定位
在汽车电子(车身控制、T-Box、传感器、仪表盘)、工业控制和电池供电设备中,电源轨需要承受 高输入电压(如 12V/24V 电池系统)并保持 超低功耗,以延长电池寿命并满足严苛的可靠性要求。CXLD64458 凭借 36V 高耐压 和 2μA 的超低静态电流,可直接从 12V/24V 汽车总线取电,为微控制器、CAN 收发器、传感器等提供稳定电源,且自身功耗极低。器件通过 AEC-Q100 Grade 1 认证,确保在 -40°C~125°C 宽温度范围内稳定工作,满足汽车应用的可靠性需求。内置 使能控制 方便系统级电源管理,过流和过温保护 确保安全。CXLD64458 是汽车常电、电池备份、便携设备等应用的理想选择。
2. 主要特点与技术亮点
- 高输入电压:最大工作电压 36V,适用于汽车 12V/24V 电池系统、工业 24V 总线等高压应用。
- 超低静态电流:典型值仅 2μA(空载),关断电流低至 0.01μA,极大延长电池待机时间,适合常电应用。
- 车规级认证:通过 AEC-Q100 Grade 1 认证,结温范围 -40°C~125°C,满足汽车环境严苛要求。
- 宽输出电压选择:固定输出电压 2.5V 至 12V,以 0.1V 步进,覆盖常见系统电压(3.3V、5V、8V、12V 等)。
- 低压差:10mA 负载时典型压差仅 200mV,有效降低功耗。
- 高精度:输出电压精度 ±2%(全温范围),保证系统稳定。
- 使能控制:EN 引脚高电平使能,低电平关断,关断电流极低,方便系统级电源管理。
- 全面保护:过流保护和过温保护(150°C 关断,20°C 迟滞),确保器件在异常条件下安全。
- 小型封装:WDFN-8L 3x3 超小封装,适合高密度 PCB 布局。
3. 引脚配置与功能描述
图1. CXLD64458 引脚封装图(WDFN-8L 3x3)
(此处预留封装外形及引脚排列示意图位置,编辑时可替换为实际封装图纸)
引脚 1=VCC(VIN),2=GND,3=EN,4=NC,5=NC,6=NC,7=NC,8=VOUT,9=Exposed Pad(GND)
| 引脚号 | 名称 | 功能描述 |
|---|---|---|
| 1 | VCC(VIN) | 电源输入(3.5V~36V),需靠近放置 ≥1μF 陶瓷电容。 |
| 2 | GND | 地,散热焊盘需焊接至大面积地平面。 |
| 3 | EN | 使能(高有效),高电平(>1.7V)使能,低电平(<0.5V)关断,可接 VIN 常开。 |
| 4-7 | NC | 无内部连接,可悬空或接地。 |
| 8 | VOUT | 稳压输出,需靠近放置 ≥1μF 陶瓷电容(有效容值需满足稳定性)。 |
| 9(EP) | GND | 散热焊盘,需焊接至大面积地平面。 |
4. 电气特性(设计参考)
| 符号 | 参数 | 最小值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| VCC, EN | 电压范围 | -0.3 | 40 | V |
| VOUT | 输出电压(低输出版本) | -0.3 | 6 | V |
| VOUT | 输出电压(高输出版本) | -0.3 | 15 | V |
| PD (TA=25°C) | 功耗 | — | 1.38 | W |
| θJA | 热阻 | — | 72.5 | °C/W |
| TJ | 结温 | -40 | 150(最大) | °C |
| TSTG | 存储温度 | -65 | 150 | °C |
| ESD (HBM) | 人体模型 | — | 2 | kV |
| 参数 | 最小值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 输入电压(VCC) | 3.5 | 36 | V |
| 输出电压(固定版本) | 2.5 | 12(按型号) | V |
| 输出电流(连续) | 0 | 100(峰值200) | mA |
| 结温范围 | -40 | 125 | °C |
| 参数 | 测试条件 | 典型值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 输入电压范围 | — | 3.5 – 36 | V |
| 输出电压范围 | 固定版本 | 2.5 – 12 | V |
| 输出电压精度 | VCC=15V, ILOAD=10mA | ±2(最大) | % |
| 压差电压 | ILOAD=10mA, VOUT<3.5V | 200(最大360) | mV |
| 压差电压 | ILOAD=10mA, VOUT≥3.5V | 200(典型) | mV |
| 静态电流(空载) | VCC=VEN=15V, VOUT≤5.5V | 2(最大3.5) | μA |
| 静态电流(空载) | VCC=VEN=15V, VOUT>5.5V | 3.5(最大5) | μA |
| 关断电流 | VCC=36V, VEN=0V, -40~105°C | 0.01(最大0.2) | μA |
| EN 高电平阈值 | — | 1.7(最小) | V |
| EN 低电平阈值 | — | 0.5(最大) | V |
| EN 输入电流 | VEN=36V | 0.01(最大0.1) | μA |
| 过温关断阈值 | — | 150 | °C |
| 过温迟滞 | — | 20 | °C |
5. 典型应用电路
CXLD64458 典型应用仅需输入和输出电容。EN 引脚可由逻辑控制或接 VIN 常开。输入电压最高 36V,输出固定为预设值(2.5V~12V)。

图2. CXLD64458 典型应用电路
图3. CXLD64458 内部功能方框图
内部集成:带隙基准、误差放大器、PMOS调整管、使能逻辑、过流保护、过温保护、内部反馈分压网络(固定输出)。
| 位号 | 描述 | 推荐值 | 备注 |
|---|---|---|---|
| CIN | 输入陶瓷电容(X7R/X5R) | ≥1μF(50V) | 靠近VIN引脚 |
| COUT | 输出陶瓷电容(X7R/X5R) 有效容值≥1μF |
1μF~66μF(推荐1μF) | 靠近VOUT引脚 |
注意:输出电容的有效容值需在整个工作温度和 DC 偏压下保持 ≥1μF,建议使用 X7R/X5R 介质电容。
6. 工作原理与设计指导
6.1 使能与关断
EN 引脚高电平(>1.7V)使能,低电平(<0.5V)关断,关断电流典型 0.01μA。EN 可接 VIN 实现自动启动(注意 VIN 范围 ≤36V)。建议先上 VCC 再给 EN 信号以确保正确启动,若 VCC 低于 2.5V 时 EN 阈值会变化,需注意上电时序。
6.2 压差电压
压差由 PMOS 调整管的 RDS(ON) 决定,典型值 200mV@10mA。正常工作时建议 VCC > VOUT + VDROP 以保证良好瞬态响应和 PSRR。
6.3 输出电容与稳定性
CXLD64458 稳定于 ≥1μF 陶瓷输出电容(有效容值),最大稳定电容 66μF。推荐 X7R/X5R 介质,注意 DC 偏压效应会导致容值下降,建议选用更高额定电压或更大封装。
6.4 电流限制与过温保护
过流保护在过载或短路时限制输出电流,防止损坏;过温保护在结温超过 150°C 时关断,降温 20°C 后自动恢复。
7. 应用信息与设计指导
7.1 输入/输出电容选型
- CIN:≥1μF 陶瓷(X5R/X7R),靠近 VCC 引脚,改善瞬态响应和 PSRR。
- COUT:1μF 至 66μF 陶瓷,有效容值 ≥1μF 确保稳定。
7.2 输出电压设定(固定版本)
CXLD64458 提供固定输出电压版本(2.5V~12V,0.1V 步进),无需外部电阻。订货时选择相应电压型号。
7.3 热设计
最大功耗 PD(MAX) = (TJ(MAX) - TA) / θJA,TJ(MAX)=125°C,WDFN-8L θJA=72.5°C/W,TA=25°C 时 PD=1.38W。实际功耗 = (VIN - VOUT)×IOUT,需保证结温 ≤125°C,尤其在高压差大电流下注意散热。
7.4 PCB 布局建议
- 输入输出电容紧靠 IC 引脚,走线短而宽。
- GND 引脚/散热焊盘连接至大面积地平面,多过孔散热。
- 避免长走线和过孔连接输入输出电容,减少寄生电感。
图4. CXLD64458 PCB 布局参考(WDFN-8L)
(此处预留布局示意图位置,编辑时可替换为实际布局图纸)
8. 订购信息与技术支持
CXLD64458 采用 WDFN-8L 3x3 封装,通过 AEC-Q100 Grade 1 认证,固定输出电压 2.5V~12V(0.1V 步进),无铅、RoHS 合规。嘉泰姆电子提供工程样品、评估板、参考设计及 FAE 技术支持,助力客户快速完成高耐压低功耗 LDO 电源设计。
技术邮件: ouamo18@jtm-ic.com | 技术热线: 13823140578

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