CXLD64462 / CXLD64462A 双路300mA低噪声LDO | POR上电复位 | 开漏驱动 - 嘉泰姆电子

CXLD64462 / CXLD64462A 双路300mA低噪声LDO | POR上电复位 | 开漏驱动 - 嘉泰姆电子

产品型号:CXLD64462
产品类型:LDO线性稳压器
产品系列:线性稳压器多通道输出
产品状态:量产
浏览次数:17 次
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产品简介

CXLD64462 / CXLD64462A 是一款双通道300mA低噪声LDO稳压器,集成POR上电复位、150mA开漏驱动器,输入电压2.5V-5.5V,输出电压1.2V-3.5V,静态电流27μA/LDO,短路热折返保护,采用WDFN-10L 3x3封装。嘉泰姆电子提供双路LDO方案。

技术参数

输入电压范围 (VIN)2.5V~5.5V
输出电压 (VOUT)1.2V~3.5V
输出电流 (IOUT)0.3A
工作频率1000kHz
转换效率95%
封装类型WDFN3x3-10
Dropout voltage240 @ 0.3A
Quiescent current58mA
Psrr.60dB@1kHz
Noise30μVRMS
Protection过流/过温
FeaturesEnable Input;OCP;SCP
Application线性稳压器多通道输出
Temperature range-40℃~125℃
Output capacitorCeramic
Precision±2%
Fixed Vout Option (V)1.2;1.3;1.5;1.6;1.8;1.85;1.9;2.0;2.1;2.5;2.6;2.65;2.7;2.8;2.85;2.9;3.0;3.1;3.2;3.3;3.5
Number of Outputs2
Cout (min) (uF)1
Current Limit (typ) (mA)450
Output Adj. MethodFixed

产品详细介绍

CXLD64462 / CXLD64462A 双路低噪声LDO稳压器
300mA x 2 | POR上电复位 | 开漏驱动 | 短路热折返保护

产品版本:Rev 1.0 | 更新日期:2026年7月 | 型号:CXLD64462 / CXLD64462A | 封装:WDFN-10L 3x3

嘉泰姆电子(JTM-IC)推出的 CXLD64462 / CXLD64462A 是一款双通道、低噪声、低压差线性稳压器,每通道可提供高达 300mA 的输出电流。器件支持 2.5V 至 5.5V 的输入电压,输出电压范围为 1.2V 至 3.5V(多种固定电压版本)。CXLD64462/A 集成 上电复位(POR) 功能和 开漏驱动器(DRV)(可灌入150mA电流,适用于LED背光驱动),每路 LDO 静态电流仅 27uA,关断电流低于 1uA,非常适合电池供电设备。器件内置 电流限制过温保护输出短路保护,并采用专利 短路热折返保护 技术(短路时 OTP 阈值从 165°C 降至 110°C),提供最高级别的安全性。稳定于 1uF 陶瓷输出电容,无需额外的噪声旁路电容。采用 WDFN-10L 3x3 超小封装,适用于 CDMA/GSM 手机、电池供电设备、笔记本电脑、手持仪器、PCMCIA 卡等便携应用。

核心优势: 双通道独立LDO | 每路300mA | 集成POR上电复位 | 开漏驱动150mA | 低静态电流27uA/通道 | 低压差240mV@300mA | 2%精度 | 低噪声(无需旁路电容) | 短路热折返保护 | 稳定于1uF陶瓷电容 | WDFN-10L 3x3封装。

1. 产品概述与市场定位

在 CDMA/GSM 手机、智能手机、便携式信息设备等电池供电产品中,多路电源轨需要 小尺寸低功耗高可靠性 的供电方案。CXLD64462/A 双路 LDO 将两路独立稳压器集成在 WDFN-10L 3x3 小型封装内,每路可输出 300mA,同时集成 上电复位(POR) 功能,可在 VOUT2 欠压时向系统提供复位信号,简化系统电源时序设计。集成 开漏驱动器(DRV) 可灌入 150mA 电流,可直接驱动 LED 背光,无需额外驱动 IC。器件 27uA/通道 的超低静态电流低于 1uA 的关断电流 显著延长电池续航时间。专利 短路热折返保护 在输出短路时将 OTP 阈值从 165°C 降至 110°C,将 IC 外壳温度限制在 100°C 以下,为用户提供最高级别的安全保护。CXLD64462/A 是功能丰富、高度集成的双路电源管理解决方案。

CXLD64462 与 CXLD64462A 的主要区别在于 使能引脚配置:CXLD64462 为单使能(EN)同时控制两路 LDO;CXLD64462A 为双使能(EN1、EN2)独立控制两路 LDO,提供更灵活的电源管理。其他电气特性相同。

2. 主要特点与技术亮点

双通道 LDO两路独立输出
每路 300mA满足中等负载
集成 POR上电复位输出
开漏驱动器150mA 灌电流
宽输入电压2.5V - 5.5V
低静态电流27uA/通道
低压差240mV@300mA
短路热折返专利保护技术
  • 双路独立 LDO:两路 LDO 可分别输出不同电压(1.2V~3.5V 固定版本),CXLD64462A 支持独立使能控制(EN1/EN2),电源管理更灵活。
  • 集成 POR(上电复位):开漏输出,监测 VOUT2 电压,当 VOUT2 欠压时输出低电平复位信号,可用于系统级上电时序控制。通过 SET 引脚外接电容可设定复位延迟时间。
  • 开漏驱动器(DRV):可灌入 150mA 电流,由 SW 引脚控制,适用于 LED 背光驱动等应用,无需额外外部驱动器件。
  • 超低功耗:每路静态电流仅 27uA(典型),关断时总电流 < 1uA,适合电池供电的常备电源应用。
  • 低压差:300mA 负载时典型压差 240mV,在输入电压接近输出电压时仍能保持稳压。
  • 低噪声:无需外部噪声旁路电容,即可满足射频应用的噪声要求,PSRR 在 100Hz 时高达 65dB。
  • 短路热折返保护(专利技术):当输出短路(VOUT < 0.4V)时,OTP 关断阈值从 165°C 降至 110°C,将 IC 外壳温度限制在 100°C 以下,提供最大程度的安全保护。
  • 全面保护:每路独立限流(典型 450mA)、过温保护、输出短路保护。
  • 小型封装:WDFN-10L 3x3 超小封装,适合高密度 PCB 布局。

3. 引脚配置与功能描述

图1. CXLD64462 / CXLD64462A 引脚封装图(WDFN-10L 3x3)

(此处预留封装外形及引脚排列示意图位置,编辑时可替换为实际封装图纸)

引脚 1=VIN,2=EN(CXLD64462)或 EN1(CXLD64462A),3=NC(CXLD64462)或 EN2(CXLD64462A),4=SW,5=SET,6=GND,7=DRV,8=POR,9=VOUT2,10=VOUT1,11(EP)=GND

引脚功能表
引脚号 CXLD64462 CXLD64462A 功能描述
1 VIN VIN 电源输入(2.5V~5.5V),需靠近放置 ≥1uF 陶瓷电容。
2 EN EN1 使能控制(高有效):CXLD64462单使能同时控制两路;CXLD64462A独立控制通道1。
3 NC EN2 CXLD64462:无内部连接;CXLD64462A:通道2使能(高有效)。
4 SW SW 开漏驱动器控制输入:高电平(>1.5V)使能 DRV 输出,低电平(<0.4V)关断。
5 SET SET POR 延迟设定:外接电容至 GND 设定延迟时间,悬空则无延迟,不可接地。
6 GND GND 地,散热焊盘需焊接至大面积地平面。
7 DRV DRV 开漏输出,可灌入 150mA 电流(用于 LED 背光驱动)。
8 POR POR 上电复位输出,开漏,低有效。当 VOUT2 欠压时输出低电平。
9 VOUT2 VOUT2 通道2稳压输出,需靠近放置 ≥1uF 陶瓷电容。
10 VOUT1 VOUT1 通道1稳压输出,需靠近放置 ≥1uF 陶瓷电容。
11(EP) GND GND 散热焊盘,需焊接至大面积地平面。

4. 输出电压版本

CXLD64462 / CXLD64462A 提供多种固定输出电压版本,两路 LDO 输出电压相同(同一型号),具体电压代码及对应值如下:

代码 电压 (V) 代码 电压 (V) 代码 电压 (V)
A 3.5 B 1.3 C 1.2
D 1.85 E 2.1 F 1.5
G 1.8 H 2.0 J 2.5
K 2.6 L 2.7 M 2.8
N 2.85 P 3.0 Q 3.1
R 3.2 S 3.3 T 2.65
V 2.9 W 1.6 Y 1.9

例如:CXLD64462-G 表示 VOUT1 = VOUT2 = 1.8V。

5. 电气特性(设计参考)

极限参数 (Absolute Maximum Ratings)
符号 参数 最小值 最大值 单位
VIN 输入电压 -0.3 6 V
I/O引脚 其他引脚电压 -0.3 6 V
PD (TA=25°C) 功耗 0.926 W
θJA 热阻 108 °C/W
TJ 结温 150 °C
TSTG 存储温度 -65 150 °C
ESD (HBM) 人体模型 2 kV
推荐工作条件
参数 最小值 最大值 单位
输入电压(VIN) 2.5 5.5 V
使能输入电压 0 5.5 V
结温范围 -40 125 °C
环境温度 -40 85 °C
关键电气特性(VIN = VOUT + 1V, VEN = VIN, CIN = COUT = 1uF, TA=25°C,典型值)
参数 测试条件 典型值 单位
输入电压范围 2.5 - 5.5 V
输出电压范围 固定版本 1.2 - 3.5 V
压差电压(VDROP) IOUT = 150mA 120 mV
压差电压(VDROP) IOUT = 300mA 240 mV
输出电压精度 IOUT = 1mA ±2(最大) %
线性调整率 VIN=(VOUT+0.3)~5.5V 0.2(最大) %/V
负载调整率 1mA < IOUT < 300mA 0.6(最大) %
电流限制(每路) RLOAD = 1Ω 450(典型) mA
静态电流(每路) VEN > 1.5V, 空载 27(最大80) uA
关断电流 VEN < 0.4V < 1 uA
EN 高电平阈值 VIN=2.5V~5.5V 1.5(最小) V
EN 低电平阈值 VIN=2.5V~5.5V 0.4(最大) V
输出电压温漂 100 ppm/°C
PSRR(ILOAD=10mA) f=100Hz 65 dB
PSRR(ILOAD=10mA) f=1kHz 60 dB
PSRR(ILOAD=150mA) f=100Hz 65 dB
过温关断阈值(正常) 170 °C
过温关断阈值(短路) VOUT < 0.4V 110 °C
过温迟滞 40 °C
POR(上电复位)特性
参数 测试条件 典型值 单位
复位阈值(低) VOUT2 下降,POR 有效 88% VOUT(标称)
复位阈值(高) VOUT2 上升,POR 释放 95% VOUT(标称)
POR 输出低电平 IOL = 250uA 0.02(最大0.1) V
POR 漏电流 POR 高阻 0.01(最大1) uA
SET 引脚充电电流 VSET = 0V 0.6 - 1.7 uA
SET 引脚阈值 POR = 高 1.4 V
DRV(开漏驱动器)特性
参数 测试条件 典型值 单位
输出低电平 IDRV = 150mA 0.2(最大0.5) V
漏电流 VDRV = 5V, SW = 0V 0.01(最大1) uA
SW 输入高电平 1.5(最小) V
SW 输入低电平 0.4(最大) V

6. 典型应用电路

CXLD64462/A 典型应用需要输入电容、输出电容,EN/EN1/EN2 控制使能,SET 引脚可选外接电容设定 POR 延迟,SW 控制 DRV 输出。

典型应用电路
图2. CXLD64462 / CXLD64462A 典型应用电路

图3. CXLD64462 / CXLD64462A 内部功能方框图

内部集成:两路独立带隙基准、误差放大器、PMOS调整管、使能逻辑、过流保护、过温保护(含短路热折返)、POR比较器及延迟、SW逻辑控制、开漏驱动器。

推荐外部元件
位号 描述 推荐值 备注
CIN 输入陶瓷电容(X7R/X5R) ≥1uF(10V) 靠近VIN引脚,<0.5英寸
COUT1, COUT2 输出陶瓷电容(X7R/X5R)
ESR > 20mΩ
≥1uF(6.3V) 靠近各VOUT引脚
CSET POR延迟电容(可选) 外接至GND,悬空无延迟
RPULL(POR) POR上拉电阻 10kΩ~100kΩ 接逻辑电源(≤5.5V)

7. 工作原理与设计指导

7.1 使能(EN)与关断

CXLD64462 使用单使能(EN)同时控制两路 LDO;CXLD64462A 使用独立使能(EN1、EN2)分别控制通道1和通道2。高电平(>1.5V)使能,低电平(<0.4V)关断。关断时总电流低于 1uA。

7.2 POR(上电复位)功能

POR 引脚为开漏输出,监测 VOUT2 电压。当 VOUT2 低于复位阈值(典型 88% 标称电压)时,POR 输出低电平;当 VOUT2 恢复至高于 95% 标称电压时,POR 释放(高阻)。通过 SET 引脚外接电容可设定 POR 释放延迟时间(内部 1.4uA 电流源对电容充电)。

7.3 开漏驱动器(DRV)

DRV 为开漏输出,可灌入 150mA 电流,由 SW 引脚控制(高电平使能,低电平关断),适用于 LED 背光驱动等应用。注意 DRV 导通时电流不经过 LDO 功率路径,独立于 VOUT1/VOUT2。

7.4 短路热折返保护(专利技术)

当输出短路(VOUT < 0.4V)时,OTP 关断阈值从 165°C 降至 110°C,将 IC 外壳温度限制在 100°C 以下,防止用户接触烫伤,同时保护 IC 免受热损坏。短路条件解除后自动恢复正常 OTP 阈值。

7.5 压差与功耗

压差 VDROP = RDS(ON) x IOUT,典型值 240mV@300mA。功耗 PD = (VIN - VOUT)xIOUT + VINxIQ(两路之和),需保证结温 ≤125°C。

7.6 输出电容与稳定性

CXLD64462/A 稳定于 ≥1uF 陶瓷输出电容(ESR > 20mΩ),低 ESR 陶瓷电容(如 X7R/X5R)推荐使用。增大输出电容可改善瞬态响应和 PSRR。

8. 应用信息与设计指导

8.1 输入/输出电容选型

  • CIN:≥1uF 陶瓷(X5R/X7R),靠近 VIN 引脚,距 IC < 0.5 英寸。
  • COUT:≥1uF 陶瓷(ESR > 20mΩ),靠近各 VOUT 引脚。

8.2 POR 延迟设定

SET 引脚外接电容 CSET 至 GND,内部 1.4uA 电流源为其充电。延迟时间 t = (1.4V x CSET) / 1.4uA。悬空则无延迟。注意 SET 引脚不可接地。

8.3 DRV 使用注意事项

DRV 为开漏输出,需外接上拉电阻或负载(如 LED 串联电阻)至 VIN。最大灌电流 150mA,注意功耗和散热。SW 输入高电平 >1.5V 使能,低电平 <0.4V 关断,SW 悬空时建议接 100kΩ 下拉电阻。

8.4 热设计

最大功耗 PD(MAX) = (125°C - TA) / θJA。WDFN-10L θJA=108°C/W,TA=25°C时 PD=0.926W。实际功耗需考虑两路 LDO 和 DRV 的总功耗,注意散热焊盘焊接。

8.5 PCB 布局建议

  • 输入输出电容紧靠 IC 引脚,走线短而宽。
  • GND 引脚/散热焊盘连接至大面积地平面,多过孔散热。
  • SET 引脚走线尽量短,避免噪声耦合。
  • DRV 输出走线需承载 150mA 电流,注意线宽。
  • POR 上拉电阻靠近 IC,走线短。

图4. CXLD64462 / CXLD64462A PCB 布局参考(WDFN-10L)

(此处预留布局示意图位置,编辑时可替换为实际布局图纸)

9. 订购信息与技术支持

CXLD64462 / CXLD64462A 采用 WDFN-10L 3x3 封装,提供多种固定输出电压版本(1.2V~3.5V),无铅、RoHS 合规。CXLD64462 为单使能版本,CXLD64462A 为双使能版本。嘉泰姆电子提供工程样品、评估板、参考设计及 FAE 技术支持,助力客户快速完成双路 LDO 电源设计。

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