CXLE83262H 高精度LED恒流驱动芯片
内置整流桥+续流二极管+500V MOSFET · 双GND支持π型滤波 · CRM临界导通模式 · ASOP7封装

版本：2026年5月更新 | 产品型号：CXLE83262H | 封装：ASOP7

嘉泰姆电子（JTM-IC）推出的CXLE83262H 是一款工作于电感电流临界导通模式（CRM，Critical Conduction Mode）的高精度LED恒流驱动芯片，主要应用于非隔离降压型LED电源系统。该芯片内部集成了整流桥、超快恢复续流二极管以及500V高压功率MOS管，同时采用创新的高压片内供电方案，无需VCC电容及启动电阻，外围电路达到极致精简，显著降低系统BOM成本和PCB面积。CXLE83262H适用于85Vac~265Vac全电压输入范围，支持高频开关应用（可使用贴片电感），尤其突出的是其双GND设计，支持π型滤波全贴片DOB方案，极大提升了EMI性能。采用ASOP7增强散热封装，为LED球泡灯、射灯、灯管等照明应用提供超高集成度的单芯片解决方案。

1. 产品概述与市场优势

CXLE83262H是嘉泰姆电子为LED照明驱动领域设计的革命性高集成度恒流控制芯片，专为非隔离降压型架构优化。与传统方案需要外部整流桥、续流二极管、启动电阻、VCC电容等众多元件不同，CXLE83262H内部集成了整流桥、超快恢复续流二极管和500V高压功率MOSFET，交流输入可直接接入芯片，无需外部整流桥堆。芯片采用临界导通模式（CRM），电感电流在每个开关周期复位为零后开启下一周期，实现高功率因数且输出电流不随电感感量变化，批量生产一致性极佳。内部高压供电技术直接取自母线，无需外部VCC电容和启动电阻，使得整个驱动电路仅需一个电感、一个CS采样电阻和输入滤波电容即可工作。此外，双GND引脚设计允许使用π型滤波器（C-L-C结构），有效抑制传导和辐射EMI，满足更严格的电磁兼容标准，特别适合DOB（Driver on Board）全贴片方案。这种超高集成度与EMI优化设计，大幅简化了LED驱动设计，缩小了PCB面积，尤其适合空间受限、对EMI要求高的球泡灯、射灯及灯管内置驱动。

2. 主要特点与技术亮点

• 内部集成整流桥：直接接入交流输入，省去外部整流桥堆，降低成本与体积。
• 双GND应用，支持π型滤波：独立的功率地和信号地，可外接π型滤波器（C-L-C），优化EMI性能，实现全贴片DOB方案。
• 内置超快恢复续流二极管：无需外部续流管，简化电路，提高可靠性。
• 内置500V高压功率MOSFET：满足全电压输入要求，耐压余量充足。
• 无VCC电容及启动电阻：创新的高压片内供电方案，彻底省去外围供电元件。
• 临界导通模式(CRM)：电感电流零检测导通，减小开关损耗；输出电流不随电感量变化，生产一致性好。
• 全电压范围高精度恒流：内置高精度快速电流采样电路，输出电流精度±5%，线性调整率优异，低母线电压下不闪灯。
• 支持高频开关应用：可使用小型贴片电感，降低系统高度，适应紧凑型灯具结构。
• 多重保护功能：LED短路保护、欠压锁定保护(UVLO)、过温自动调节(输出电流随温度升高自动降低，确保系统安全)。
• ASOP7封装：增强散热型小尺寸封装，底部散热片便于焊接，提高热性能。

3. 引脚功能描述与封装占位图

CXLE83262H 采用ASOP7封装，具有双GND引脚以支持π型滤波，引脚定义如下：

4. 典型应用电路与非隔离降压架构（支持π型滤波DOB方案）

CXLE83262H 由于内置了整流桥和续流二极管，且提供双GND引脚，典型应用电路可实现极高集成度的全贴片DOB方案：交流输入直接接入芯片AC引脚，母线整流在内部完成；在整流输出后可接入π型滤波器（C1-L-C2）以抑制EMI；电感、LED灯串、芯片内部MOSFET和CS采样电阻形成主功率回路；续流二极管已集成在芯片内部。芯片通过内部高压供电单元直接从母线取电，无需启动电阻和VCC电容。双GND设计使得功率回路和控制回路分离，进一步提高抗干扰能力。以下为原理框图占位，完整设计可参考嘉泰姆提供的参考设计文档。

5. 极限参数与电气特性（工程师设计依据）

为确保系统长期可靠性，设计时必须遵循以下极限参数。CXLE83262H内置MOSFET漏源耐压500V，内置续流二极管耐压亦为500V，内置整流桥耐压足够覆盖全电压输入。工作结温范围-40℃~125℃（过温调节点内部设定）。

极限参数表

关键电气特性 (Ta=25℃, 除非特殊说明)

6. 工作原理与关键设计要点

6.1 临界导通模式(CRM)与电感设计

CXLE83262H 通过检测电感电流过零信号，实现临界导通。在每个开关周期，内部MOSFET导通时电感电流线性上升，CS检测达到内部阈值(典型400mV)后关断MOSFET，电感通过内置续流二极管向LED提供能量，电流线性下降至零后，芯片重新开启下一周期。这种CRM模式带来两大优势：输出电流与电感量基本无关，批量生产只需保证电感饱和电流足够；同时系统无需复杂补偿，动态响应快。设计时，电感值根据输入电压、输出电流和开关频率选择，通常工作频率在几十kHz，高频化支持贴片电感。

6.2 内置整流桥与双GND π型滤波设计

传统方案需要外部整流桥堆或四颗二极管，不仅占用PCB面积，还增加成本。CXLE83262H内部集成了高压整流桥，交流输入直接接入芯片AC引脚，输出直流母线供芯片内部和LED负载使用。双GND引脚（GND1和GND2）允许将功率地和控制地分开：GND1连接母线电容负极和CS采样电阻，GND2作为信号地，两者之间可接入磁珠或0Ω电阻。在此基础上，可在整流输出后加入π型滤波器（C1-L-C2），其中电感和电容连接在GND1和整流正之间，极大地抑制了传导EMI，非常容易通过EN55015等标准，特别适合DOB全贴片方案。

6.3 内置续流二极管与电流采样

CS引脚外接低阻值采样电阻，逐周期限制峰值电流。内置续流二极管省去了外部快恢复管，但设计时仍需注意其功耗：平均电流Io乘正向压降即为损耗，需确保芯片结温不超限。内置二极管具有快速反向恢复特性，适用于CRM高频工作。

6.4 保护功能与系统可靠性

• LED短路保护： 输出短路时，电感续流时间极短，芯片检测到异常状态后自动进入低功耗保护模式，故障移除后自动恢复。
• 欠压锁定(UVLO)： VCC电压低于欠压阈值(典型4.5V)时芯片停止工作，避免振荡。
• 过温调节(OTR)： 芯片结温超过约135℃时逐渐降低输出电流，防止过热损坏，提高灯具在高温环境下的寿命。温度回滞恢复正常。

7. 基于CXLE83262H的12W DOB LED球泡灯设计实例（带π型滤波）

设计目标： 全电压输入85-265VAC，输出36V/300mA (约10.8W)，用于LED球泡灯DOB方案，要求EMI满足家用标准。设计关键步骤：
1) 选择CS采样电阻：设定峰值电流Ipk=2*Io=600mA，Vcs_th=0.4V，Rcs=0.4/0.6≈0.667Ω，实际采用0.68Ω。
2) 电感设计：最低输入电压Vin_min=100V（考虑整流后纹波），输出LED电压Vled=36V，Ipk=0.6A。取L=1.5mH，Ton=1.5e-3*0.6/(100-36)≈14μs，频率约55kHz，符合要求。
3) π型滤波器设计：输入电容C1=0.22μF（X电容），串联电感Lf=1mH（工字磁芯），输出电容C2=4.7μF/400V电解。滤波器放置于整流桥输出之后，芯片AC引脚之前。
4) 双GND连接：GND1为功率地，连接CS电阻和C2负极；GND2为信号地，通过磁珠（100Ω@100MHz）连接至GND1，提升抗干扰。
5) 无需外部续流二极管和整流桥，但需注意芯片散热：ASOP7封装底部散热片应可靠焊接在PCB地铜箔上，并增加过孔和铺铜面积。
6) 输出电容可根据纹波要求选择，通常并联10-22μF电解。

8. PCB布局及热设计指南（提升可靠性和EMI）

CXLE83262H 集成度高，且支持π型滤波，优化PCB布局尤为重要：

• AC输入走线： AC引脚应直接连接交流输入，建议在AC引脚间并联X电容（0.1-0.22μF）减小差模干扰。π型滤波元件应靠近芯片整流输出端。
• 接地处理： GND1（功率地）作为主回路地，连接CS采样电阻、π型滤波C2负极和母线电容负极。GND2（信号地）通过磁珠或0Ω电阻单点连接至GND1，走线独立，避免功率电流流过信号地。
• CS采样电阻靠近芯片： CS引脚和GND1引脚之间的走线应短且宽，减少寄生电感引起的采样误差。
• 电感与芯片的功率回路： 电感、芯片DRAIN、内部续流二极管、输出电容形成的功率环路面积尽量小，以降低辐射EMI。
• 散热设计： ASOP7封装底部散热片必须焊接在PCB上，并连接到大面积GND1铜箔，同时增加过孔导热到背面。建议输出电流大于200mA时，加大铜箔面积并留出通风空间。
• 内置高压供电无需外部VCC电容： 但为了高频去耦，可在VCC与GND2之间并联100nF陶瓷电容提升抗干扰。

9. 订购信息与封装标识