CXSD61136A 3A同步降压DC-DC转换器
2.7V-5.5V输入 | 1MHz固定频率 | 电流模式控制 | WDFN-10L 3×3封装

产品版本：Rev 1.0 | 更新日期：2026年8月 | 型号：CXSD61136A | 封装：WDFN-10L (3×3mm)

嘉泰姆电子（JTM-IC）推出的 CXSD61136A 是一款高效率、同步降压 DC-DC 转换器，输入电压范围 2.7V 至 5.5V，可提供可调输出电压（0.6V 至 VIN），输出电流高达 3A。芯片内部集成了低导通电阻的同步功率 MOSFET（高侧 69mΩ，低侧 49mΩ），无需外部肖特基二极管，显著提高效率并减小 PCB 面积。开关频率固定为 1MHz，支持 100% 占空比 以实现低压差运行，非常适合电池供电的便携系统。采用 电流模式控制 并内置补偿，可在宽负载和输出电容范围内优化瞬态响应。该器件提供全面的保护功能，包括过流保护（OCP）、欠压保护（UVP）、过压保护（OVP）和过温保护（OTP），采用 WDFN-10L 3×3mm 封装，是便携仪器、电池供电设备、笔记本电脑、分布式电源系统、IP 电话及数码相机的理想选择。

1. 主要特点与技术亮点

• 高效率同步整流：集成 69mΩ 高侧和 49mΩ 低侧 MOSFET，效率高达 95%，无需外部肖特基二极管。
• 电流模式控制：提供快速瞬态响应，内部补偿简化设计，支持多种输出电容。
• 固定 1MHz 开关频率：允许使用小型电感器和电容器，减小整体方案尺寸。
• 100% 占空比：在输入电压接近输出电压时保持低压差，延长电池供电设备的工作时间。
• 0.6V 参考电压：支持低输出电压应用，精度 ±1%。
• 内部软启动：防止启动浪涌电流和输出电压过冲。
• 电源良好指示（PGOOD）：开漏输出，指示输出电压是否在正常范围内。
• 多重保护：过流保护（逐周期峰值限流）、欠压保护（66% VREF 触发）、过压保护（锁存）和过温保护。

2. 极限参数与电气特性（设计参考）

3. 引脚功能说明

CXSD61136A 采用 WDFN-10L 3×3mm 封装，底部带有散热焊盘（Exposed Pad），需焊接到 PCB 地平面以增强散热。具体引脚定义如下：

4. 典型应用电路

CXSD61136A 典型应用电路如下图所示，外部仅需输入电容、输出电容、电感、反馈电阻分压器以及可选的 PGOOD 上拉电阻。推荐输入电容 ≥ 20μF（X5R/X7R），输出电容建议 22μF×2，电感值根据输出电压和负载选择，典型值为 1.5μH 或 2.2μH。

输出电压通过反馈电阻分压器设置，推荐 RFB1 和 RFB2 取值如下表所示。对于 3.3V 输出，RFB1=229kΩ，RFB2=55.1kΩ；对于 2.5V 输出，RFB1=161kΩ，RFB2=55.1kΩ。

5. 引脚封装图

CXSD61136A 采用 WDFN-10L 3×3mm 封装，高度仅 0.8mm，适合薄型化设计。底部散热焊盘有效改善热性能，建议在 PCB 上设计多个导热过孔连接至内层地平面。

6. 工作原理与设计指导

6.1 电流模式控制与内部补偿

CXSD61136A 采用 峰值电流模式控制，具有单反馈环路，提供快速瞬态响应和内置补偿，简化外部电路设计。内部 0.6V 精密参考电压确保低输出电压应用的精准调节。固定 1MHz 开关频率允许使用小型电感器和陶瓷电容，减小整体方案尺寸。

6.2 软启动与使能控制

芯片内置 软启动 功能，在使能后内部软启动电容线性充电，钳位 FB 电压，使 PWM 脉宽缓慢增加，有效抑制启动浪涌电流和输出电压过冲。EN 引脚提供逻辑电平控制，低电平关断（< 400mV），高电平使能。UVLO 功能确保输入电压低于阈值时停止开关，防止误操作。

6.3 100% 占空比与低压差运行

CXSD61136A 支持 100% 占空比，在输入电压接近输出电压时，高侧 MOSFET 持续导通，实现低压差运行，尤其适合电池供电设备在电池电压下降时仍能维持稳定输出，延长系统运行时间。

6.4 保护功能详解

• 过流保护（OCP）：通过检测高侧 MOSFET 峰值电感电流实现，限流阈值典型 4A。触发后芯片保持电流限制，直到过载消除。
• 欠压保护（UVP）：当 FB 电压低于参考电压的 66% 时，UVP 被触发，高侧和低侧驱动均被强制拉低。UVP 在启动后约 3ms 内被忽略，故障锁存需通过 EN 或 VIN 复位。
• 过压保护（OVP）：当 FB 电压超过参考电压的 120% 时，OVP 触发并进入锁存模式，需通过 EN 或 VIN 复位，内置 10μs 防误触发延迟。
• 过温保护（OTP）：当结温超过 150°C 时，芯片停止开关，待温度下降 20°C 后自动重启。

6.5 电源良好指示（PGOOD）

PGOOD 为开漏输出，需外接上拉电阻（推荐 100kΩ）。在软启动、待机和关断期间保持低电平。当输出电压升至目标值 90% 以上时释放为高阻抗；当输出电压低于 90% 或关断时拉低。

7. 应用信息

7.1 电感选择

电感值由开关频率、输入输出电压和允许的纹波电流（LIR，通常选 20%~40%）决定。计算公式：

以 3.3V 输出、5V 输入、3A 负载、LIR=0.3 为例，计算得 L ≈ 2.2μH。电感峰值电流：

建议电感饱和电流 ≥ 4A（限流阈值），并选用低 DCR 的磁屏蔽型电感以降低损耗和 EMI。

7.2 输入电容选择

推荐使用 X5R/X7R 陶瓷电容，容值 ≥ 20μF，耐压 1.5 倍以上。输入电容需承受 RMS 电流，近似计算：

输入电压纹波近似：

例如，3A 负载、20μF 电容、1MHz 频率下，纹波约 37.5mV，满足要求。建议在 PVIN 和 SVIN 引脚附近分别放置 4.7μF 和 1μF 陶瓷电容。

7.3 输出电容选择

输出电容与电感构成低通滤波器。输出纹波电压：

负载瞬态时的电压跌落主要由 ESR 引起：

推荐使用低 ESR 的陶瓷电容（如 X5R/X7R），总容值建议 44μF（如两个 22μF 并联），以获得良好的瞬态响应和低纹波。

7.4 输出电压设置

通过外部电阻分压器设置输出电压：

建议使用 ±1% 精度的电阻，并确保 FB 引脚走线短且远离噪声源。可并联前馈电容 CFF 改善瞬态响应。

8. PCB 布局建议

• 主功率路径最短化：输入电容 → 高侧 MOSFET → 电感 → 输出电容 的环路应尽量短而宽，减少寄生电感。
• 输入电容放置：PVIN 和 SVIN 的去耦电容应紧靠芯片引脚，尤其是 PVIN 的 4.7μF 和 SVIN 的 1μF 电容。
• LX 节点面积最小化：LX 是高频电压摆幅节点，应保持小面积以减少辐射，并远离敏感模拟信号（如 FB、PGOOD）。
• 反馈网络：FB 电阻分压器应靠近芯片，走线远离 LX 和电感，避免噪声耦合。
• 地平面与散热：Exposed Pad 必须焊接到大面积地平面，并在焊盘下添加多个导热过孔至内层地，以降低热阻（θJA 典型 70°C/W）。
• PGOOD 上拉：上拉电阻（100kΩ）可接至 VOUT 或外部 3.3V/5V 电源（< 6V）。

9. 订购信息与技术支持

CXSD61136A 采用 WDFN-10L 3×3mm 封装，无铅、RoHS 合规，兼容 SnPb 或无铅焊接工艺。嘉泰姆电子提供工程样品、量产芯片及全面的技术支持，包括评估板、参考设计（原理图、BOM、PCB 布局）及 FAE 现场支持。