CXSD61158E 2.5A同步降压DC-DC转换器
4.5V-24V宽输入 | ACOT控制 | 500kHz开关频率 | TSOT-23-8封装

产品版本：Rev 1.0 | 更新日期：2026年8月 | 型号：CXSD61158E | 封装：TSOT-23-8 (FC)

嘉泰姆电子（JTM-IC）推出的 CXSD61158E 是一款高效、单片同步降压 DC-DC 转换器，输入电压范围 4.5V 至 24V，可提供高达 2.5A 的输出电流，输出电压可调（0.791V 至 6V）。芯片内部集成了低导通电阻的功率 MOSFET（高侧 85mΩ，低侧 40mΩ），在 TSOT-23-8 (FC) 封装中实现高功率密度设计。采用 先进恒定导通时间（ACOT） 控制架构，提供超快速瞬态响应，支持小型陶瓷输出电容，无需复杂的外部补偿网络，开关频率固定为 500kHz。

CXSD61158E 提供 MODE 引脚，可灵活选择工作模式：接地时进入 脉冲跳跃模式（PSM），在轻载条件下维持高效率；接高电平时进入 连续导通模式（CCM），满足对输出电压纹波和调节精度有严格要求的应用。芯片具备全面的保护功能，包括高低侧 FET 逐周期过流保护、输入欠压锁定（UVLO）、输出欠压打嗝保护（UVP）以及过温保护（OTP），确保系统在各类异常条件下安全可靠运行。该系列产品是机顶盒、便携电视、接入点路由器、DSL 调制解调器、LCD TV、笔记本系统等应用的理想选择。

1. 主要特点与技术亮点

• ACOT 控制架构：先进的恒定导通时间控制，实现超快速瞬态响应，无需外部补偿网络，支持低 ESR 陶瓷输出电容，减少外部元件数量。
• MODE 引脚模式选择：接地时进入脉冲跳跃模式（PSM），轻载高效；接高电平时进入连续导通模式（CCM），满足对输出电压纹波和调节精度有严格要求的应用。
• 集成低 RDS(ON) MOSFET：高侧 85mΩ、低侧 40mΩ，降低导通损耗，提升转换效率。
• 内部软启动：典型软启动时间 1.5ms，有效抑制启动浪涌电流，支持预偏置输出启动。
• 高低侧 FET 逐周期过流保护：同时监测高侧峰值电流（典型 5.5A）和低侧谷值电流（典型 3.2A），提供稳健的过流保护。
• 打嗝模式输出欠压保护：当反馈电压低于 50% 参考电压时进入打嗝模式，降低短路功耗，故障移除后自动恢复。
• 低静态电流：典型值仅 150μA，适合电池供电和待机应用。
• 外部自举二极管支持：在低输入电压或高占空比应用下，可外接自举二极管提升效率。

2. 极限参数与电气特性（设计参考）

3. 引脚功能说明

CXSD61158E 采用 TSOT-23-8 (FC) 封装，共 8 个引脚。该封装在紧凑的尺寸内集成了完整的 2.5A/24V 降压转换器，并提供了 MODE 引脚用于模式选择。

4. 典型应用电路

CXSD61158E 典型应用电路如下图所示，外部仅需输入电容、输出电容、电感、反馈电阻分压器以及 MODE 引脚配置电阻即可构成完整的 2.5A/24V 同步降压电源方案。建议输入电容 ≥ 22μF（X7R），输出电容 22μF×2（44μF），电感值推荐 1.5μH~4.7μH。

输出电压通过反馈电阻分压器设置，RFB1 和 RFB2 推荐取值如下表所示（VREF=0.791V）：

注：对于低输出电压应用，可通过添加前馈电容（CFF，22pF~68pF）优化负载瞬态响应。

5. 引脚封装图

CXSD61158E 采用 TSOT-23-8 (FC) 表面贴装封装，尺寸小巧，适合空间受限的便携设备和模块化产品。θJA 典型值为 70°C/W（四层 1oz 铜测试板）。

6. 工作原理与设计指导

6.1 ACOT 控制架构

CXSD61158E 采用 先进恒定导通时间（ACOT） 控制架构，提供超快速负载瞬态响应，无需外部补偿网络，支持低 ESR 陶瓷输出电容。反馈电压叠加虚拟电感电流斜坡后与参考电压比较，当组合信号低于参考电压且最小关断时间已过、电感电流低于限流阈值时，触发导通时间单稳态电路。导通时间与输入/输出电压成比例调整，实现伪固定频率（500kHz）工作。ACOT 架构无需外部补偿，提供超快瞬态响应。

6.2 MODE 引脚模式选择

CXSD61158E 提供 MODE 引脚 用于灵活选择工作模式：

• 脉冲跳跃模式（PSM）：MODE 引脚接低电平时，轻载时自动进入脉冲跳跃模式，降低开关频率，减少开关损耗，提高轻载效率。
• 连续导通模式（CCM）：MODE 引脚接高电平时，在整个负载范围内保持固定频率工作，满足对输出电压纹波和调节精度有严格要求的应用。

MODE 引脚不可悬空，建议通过 100kΩ 电阻接 VIN 或直接接地。

6.3 内部软启动（SS）

芯片内置 内部软启动，典型软启动时间 1.5ms，有效抑制启动浪涌电流。上电时内部电容由电流源充电产生软启动斜坡电压，输出电压平滑上升至目标值。

6.4 过流保护（OCP）

芯片提供 高低侧 FET 逐周期过流保护。高侧峰值电流限值典型 5.5A，低侧谷值电流限值典型 3.2A。当感测的电流超过限值时，OCP 被触发，防止输出短路或过载损坏。

6.5 打嗝模式输出欠压保护（UVP）

当反馈电压 VFB 低于参考电压的 50% 时触发 UVP。芯片进入 打嗝模式，关断一段时间后自动尝试恢复。若故障消除则恢复正常工作；否则重复打嗝循环，有效降低短路功耗。

6.6 过温保护（OTP）

芯片包含 过温保护电路，当结温超过 160°C 时停止开关，待温度下降 25°C 后重新启动。

7. 应用信息

7.1 电感选择

推荐峰峰值纹波电流为负载电流的 20%~50%。电感值计算公式：

以 1.05V 输出、12V 输入、2.5A 负载为例：

电感峰值电流：

建议电感饱和电流额定值 ≥ 芯片电流限值（高侧 5.5A），以确保瞬态条件下安全。

7.2 输入/输出电容选择

推荐使用 X5R/X7R 陶瓷电容。输入电容建议 ≥ 22μF，耐压 35V 以上。输出电容建议 22μF×2（44μF），需考虑 DC 偏置效应导致的有效容值下降。输出纹波电压：

7.3 前馈电容（CFF）

对于高输出电压应用（VOUT > 2.5V），建议在 RFB1 上并联前馈电容 CFF（22pF~68pF），可加快瞬态响应。

7.4 输出电压设置

通过外部反馈电阻分压器设置输出电压：

建议 R2 在 10kΩ~100kΩ 之间，使用 ±1% 精度电阻。

8. PCB 布局建议

• 高电流路径最短化：输入电容 → 高侧 FET → 电感 → 输出电容 的路径应尽可能短而宽，减少寄生电感和电阻。
• 输入电容放置：VIN 旁路电容应紧靠 VIN 和 GND 引脚放置，与 IC 在同一层。建议使用 ≥ 22μF (1206) 陶瓷电容。
• SW 节点：高频电压摆幅节点，应保持最小面积，减少 EMI 辐射。反馈网络等模拟元件应远离 SW 节点。
• 反馈网络：反馈电阻分压器应放置在输出电容之后，靠近 FB 引脚。FB 引脚走线应短而直，避免与 SW 节点平行。
• 地线处理：GND 应直接连接到低阻抗地平面，通过宽走线或过孔连接到内层地平面。
• 散热设计：TSOT-23-8 (FC) 封装 θJA 典型值为 70°C/W（四层板），最大功耗 1.428W（TA=25°C）。建议增加铜箔面积和导热过孔改善散热。

9. 订购信息与技术支持

CXSD61158E 采用 TSOT-23-8 (FC) 封装，无铅、RoHS 合规，兼容 SnPb 或无铅焊接工艺。嘉泰姆电子提供工程样品、量产芯片及全面的技术支持，包括评估板、参考设计（原理图、BOM、PCB 布局）及 FAE 现场支持。