CXSD61328A/CXSD61328B 1.5A/6V同步降压转换器
3V-6V输入 | 0.45V至VIN可调输出 | 2.7MHz | ACOT控制 | AEC-Q100 | WDFN-8L

产品版本：Rev 1.0 | 更新日期：2026年8月 | 型号：CXSD61328A / CXSD61328B | 封装：WDFN-8L（3×3mm）

嘉泰姆电子（JTM-IC）推出的 CXSD61328A 和 CXSD61328B 是两款1.5A、高效率、先进恒定导通时间（ACOT）同步降压DC/DC转换器，采用 AEC-Q100 Grade 1 汽车级认证，适用于车载信息娱乐、仪表集群、抬头显示以及通用负载点（POL）应用。芯片输入电压范围 3V至6V，输出电压可调范围为 0.45V至VIN，集成低导通电阻功率MOSFET（高侧110mΩ，低侧90mΩ），静态电流低至 30μA，在宽负载范围内实现高效率。

CXSD61328A和CXSD61328B采用 ACOT（Advanced Constant On-Time） 控制架构，提供超快速瞬态响应，无需外部补偿，优化了低ESR陶瓷输出电容的稳定性。固定 2.7MHz 开关频率允许使用小尺寸电感和陶瓷电容，显著减小方案面积。芯片在轻载时自动进入 省电模式（PSM），提高轻载效率。内置 软启动（启动时间150μs）、逐周期过流保护（高侧/低侧）、输入欠压锁定（UVLO）、输出欠压保护（打嗝模式） 以及 过温保护（OTP）。芯片提供 功率良好指示（PGOOD） 开漏输出，便于系统时序监控。CXSD61328A和CXSD61328B的主要区别在于PGOOD引脚逻辑：CXSD61328A的PGOOD在关断或故障时为高阻态，而CXSD61328B的PGOOD在同样条件下为低电平，用户可根据系统需求选择。

CXSD61328A/CXSD61328B 采用 WDFN-8L（3×3mm） 小型封装，是手机、手持设备、机顶盒、电缆调制解调器、xDSL平台、WLAN ASIC电源以及汽车信息娱乐等应用的理想选择。

1. 主要特点与技术亮点

• AEC-Q100 Grade 1 认证：满足汽车电子可靠性要求，适用于车载信息娱乐、仪表集群、HUD等严苛环境。
• 高效率同步整流：集成低导通电阻MOSFET（高侧110mΩ，低侧90mΩ），无需外部肖特基二极管，效率高。
• 宽输入电压范围（3V-6V）：兼容5V和3.3V电源轨，适用于多种应用场景。
• 可调输出电压（0.45V至VIN）：通过外部电阻分压器灵活设定，反馈参考电压0.45V（典型值），支持低电压输出。
• ACOT控制架构：先进恒定导通时间控制，提供超快瞬态响应，内部补偿简化设计，无需外部补偿元件，优化低ESR陶瓷输出电容。
• 2.7MHz固定开关频率：允许使用小尺寸电感和电容（推荐0.47μH或1μH），降低BOM成本和PCB面积。
• 自动省电模式（PSM）：轻载时自动进入PSM，降低开关频率，提高轻载效率。
• 内部软启动（150μs）：抑制启动浪涌电流，支持预偏置输出启动，确保系统安全上电。
• 功率良好指示（PGOOD）：开漏输出，监控输出电压状态。CXSD61328A在关断或故障时为高阻态；CXSD61328B为低电平，便于不同系统时序需求。
• 保护功能：
  • 逐周期过流保护（高侧/低侧）：检测高侧峰值电流和低侧谷值电流，防止过流损坏。
  • 输入欠压锁定（UVLO）：上升阈值2.35V，迟滞400mV，防止低电压误动作。
  • 输出欠压保护（打嗝模式）：FB低于参考电压66%时触发打嗝模式，自动重启，降低短路功耗。
  • 过温保护（OTP）：结温超过150°C时停止开关，温度下降20°C后自动恢复。
• 最大占空比接近100%：支持低压差（LDO）运行，适用于输入电压接近输出电压的场景。
• 输出放电功能：关断时内部1kΩ放电电阻快速泄放输出电容能量。
• RoHS合规：无铅、无卤素，环保设计。

2. 引脚配置与功能描述

CXSD61328A/CXSD61328B 采用 WDFN-8L（3×3mm） 封装，底部裸露焊盘增强散热性能，需焊接至大面积地铜。

引脚封装图（WDFN-8L 3x3）

3. 典型应用电路

CXSD61328A/CXSD61328B 的典型应用电路非常精简，只需少量外部元件。输入电容推荐10μF陶瓷电容，输出电容推荐22μF，电感推荐0.47μH（VOUT≤1.2V）或1μH（VOUT>1.2V）。反馈网络由两个电阻构成分压器，参考下表推荐的元件值。芯片内部补偿简化了设计。

图2. 典型应用电路（CXSD61328A）

图3. 典型应用电路（CXSD61328B）

3.1 输出电压设定

输出电压通过外部电阻分压器设定，公式如下：

其中 VREF = 0.45V（典型值），RFB1 为连接至VOUT的上拉电阻，RFB2 为连接至GND的下拉电阻。下表提供了常用输出电压的推荐元件值。

4. 极限参数与电气特性

5. 工作原理与设计指导

5.1 ACOT控制架构

CXSD61328A/CXSD61328B 采用 先进恒定导通时间（ACOT） 控制架构。与传统COT相比，ACOT内置虚拟电感电流斜坡发生器，替代了输出电容ESR提供的斜坡，从而实现了对低ESR陶瓷输出电容的稳定控制。在稳态下，反馈电压与虚拟斜坡叠加后与参考电压比较，当组合信号低于参考电压且满足最小关断时间条件时，触发导通时间单稳态电路，高侧MOSFET导通固定时间（由输入/输出电压决定，Ton ≈ VOUT/VIN × 1/fosc）。导通结束后，低侧MOSFET导通，直至下一次触发。ACOT提供超快瞬态响应，无需外部补偿，简化了设计。

5.2 轻载省电模式（PSM）

在轻载条件下，芯片自动进入PSM模式。当电感电流谷值降至零时，低侧MOSFET关断，防止反向电感电流，输出电容仅由负载放电，开关频率降低，从而减少开关损耗，提高轻载效率。

5.3 软启动与预偏置启动

内部软启动电路在EN拉高后激活，内部电容充电产生斜坡参考电压。FB电压跟踪该斜坡，使占空比缓慢增加，启动时间典型150μs（从10%至90% VOUT）。芯片支持预偏置输出启动，确保输出电压从现有电压平稳上升。

5.4 功率良好指示（PGOOD）

PGOOD为开漏输出，需外接上拉电阻。当VFB高于参考电压的90%时，PGOOD呈高阻抗；当VFB低于85%时，PGOOD被拉低。CXSD61328A与CXSD61328B的区别在于关断或故障状态下的逻辑：CXSD61328A在关断或过温时为高阻态；CXSD61328B为低电平。用户可根据系统时序要求选择合适型号。

5.5 保护功能

• 逐周期过流保护（OCP）：高侧峰值电流限制（典型3.2A）和低侧谷值电流限制（典型2.4A）共同作用，防止过流损坏。
• 输入欠压锁定（UVLO）：VIN低于UVLO阈值时停止开关，上升阈值2.35V，迟滞400mV。
• 输出欠压保护（打嗝模式）：VFB低于参考电压66%时触发，关断MOSFET，间隔一段时间后自动重启，降低短路功耗。
• 过温保护（OTP）：结温超过150°C时停止开关，温度下降20°C后自动恢复。

5.6 电感选型

电感值影响纹波电流，计算公式为：

推荐的纹波电流为最大输出电流的30%-40%（ΔIL = 0.3-0.4 × IMAX）。最大纹波电流出现在最高输入电压下。推荐电感值：VOUT≤1.2V时使用0.47μH，VOUT>1.2V时使用1μH。电感的饱和电流应高于峰值电流，DCR尽可能低。

5.7 输入输出电容选型

输入电容：推荐使用10μF X7R陶瓷电容，额定电压≥10V，RMS电流计算公式：

最恶劣条件出现在VIN = 2×VOUT时，IRMS = IOUT(MAX) / 2。

输出电容：推荐使用22μF X7R陶瓷电容，有效容值应大于14μF，输出纹波电压估算：

6. PCB布局建议

对于CXSD61328A/CXSD61328B，良好的PCB布局对性能和EMI至关重要，建议遵循以下原则：

• 输入电容就近放置：10μF输入陶瓷电容尽可能靠近VIN和GND引脚。
• SW走线短而宽：LX节点连接电感，走线应短而宽，敏感元件远离该走线。
• 反馈网络靠近芯片：FB分压电阻靠近IC放置（5mm以内），反馈走线远离LX和电感。
• VOUT检测引脚：VOUT引脚应直接连接至输出电容正端，进行远程电压采样。
• 裸露焊盘散热：Exposed Pad必须焊接至大面积地铜，并通过过孔连接内层地平面，以降低热阻。
• 主功率回路小环路：VIN → 高侧MOSFET → LX → 电感 → COUT → GND 的回路应尽量小。
• PGOOD上拉电阻：上拉电阻靠近PGOOD引脚，走线远离噪声源。

7. 热设计考虑

CXSD61328A/CXSD61328B 的最大功耗取决于封装热阻和PCB布局。WDFN-8L在特定EVB上的θJA为47.7°C/W（两层板）。在TA=25°C时，最大功耗为：

实际应用中需确保结温不超过125°C，建议在PCB上为裸露焊盘提供足够的铜箔面积和过孔以改善散热。

8. 订购信息与技术支持

CXSD61328A 和 CXSD61328B 均采用 WDFN-8L（3×3mm） 封装，无铅、RoHS合规。两款型号主要区别在于PGOOD逻辑，用户可根据系统需求选择。嘉泰姆电子提供工程样品、评估板、参考设计及FAE技术支持。