CXSD61363T 1A 高性能同步降压 DC-DC 转换器
2.5V-6V 宽输入 | ACOT 控制 | 2.2MHz | 低静态电流

产品版本：Rev 1.0 | 更新日期：2026年8月 | 型号：CXSD61363T | 封装：SOT-563 (FC)

嘉泰姆电子（JTM-IC）推出的 CXSD61363T 是一款简单易用、高效率的 1A 同步降压 DC-DC 转换器，采用先进的 Advanced Constant On-Time（ACOT）控制架构。芯片支持 2.5V 至 6V 的宽输入电压范围，输出电压可低至 0.6V，内部基准电压 0.6V ±1%，并集成了低 RDS(ON) 功率 MOSFET（高侧 120mΩ，低侧 80mΩ），提供极为紧凑的 SOT-563（FC）封装解决方案。

CXSD61363T 采用 ACOT 控制架构，提供超快速瞬态响应，仅需少量外部元件即可工作，并在输入电压、负载和输出电压范围内保持近乎恒定的开关频率（2.2MHz 典型值）。芯片支持 自动省电模式（PSM），在轻载时自动降低开关频率，维持高效率，静态电流低至 25μA（典型值）。芯片内置 软启动 功能，有效限制启动浪涌电流。CXSD61363T 提供 使能控制、电源良好指示（PG），并集成了 逐周期过流保护、输入欠压锁定（UVLO）、Hiccup 模式输出欠压保护（UVP） 和 过温保护（OTP），确保系统安全可靠运行。CXSD61363T 采用超小型 SOT-563（FC） 封装，是移动电话、手持设备、机顶盒、xDSL 平台、WLAN ASIC 电源、SSD/HDD 存储以及通用 POL 低压降压转换器的理想选择。

1. 产品概述与市场定位

在移动电话、手持设备、机顶盒、xDSL 平台、WLAN ASIC 电源以及固态硬盘（SSD）/机械硬盘（HDD）存储等应用中，系统需要从 3.3V 或 5V 总线获取稳定的低压电源，同时要求小尺寸、高效率和低待机功耗。CXSD61363T 作为一款 1A 级高性能同步降压 DC-DC 转换器，凭借 ACOT（Advanced Constant On-Time）控制架构，提供超快速瞬态响应，同时保持近乎恒定的开关频率，简化 EMI 滤波器设计。

芯片的 宽输入电压范围（2.5V-6V） 使其兼容 3.3V 和 5V 电源总线，输出电压可调范围为 0.6V 至 VIN，覆盖了从低压核心电压到 I/O 电压的广泛需求。CXSD61363T 的 2.2MHz 开关频率 允许使用小尺寸电感和电容，减小 PCB 面积，而 自动省电模式（PSM） 在轻载时降低开关频率，静态电流仅 25μA，非常适合电池供电的便携设备。

芯片集成完整的保护功能，包括 逐周期高侧/低侧电流限制、输入欠压锁定（UVLO）、Hiccup 模式输出欠压保护（UVP） 和 过温保护（OTP），确保系统在异常条件下安全运行。CXSD61363T 采用超小型 SOT-563（FC） 封装，占板面积小，适合高密度 PCB 布局。

2. 主要特点与技术亮点

• ACOT 控制架构：专有的 Advanced Constant On-Time 控制，提供超快瞬态响应，支持陶瓷输出电容，仅需少量外部元件。
• 2.2MHz 典型开关频率：高频操作允许使用小尺寸电感和电容，减小 PCB 面积，适合空间受限的应用。
• 自动省电模式（PSM）：轻载时自动降低开关频率，维持高效率，静态电流低至 25μA，延长电池寿命。
• 100% 占空比操作：支持最低压差操作，输入电压接近输出电压时保持输出稳定。
• 内部软启动（0.6ms）：内置软启动电路，有效限制启动浪涌电流，支持预偏置启动。
• 电源良好指示（PG）：开漏 PG 输出提供电源状态指示，支持系统上电时序监控。
• 逐周期过流保护：高侧和低侧 MOSFET 均具备逐周期电流限制，防止输出短路、过流或电感饱和造成损坏。
• Hiccup 模式 UVP：输出欠压时进入 Hiccup 模式，自动尝试恢复，降低故障功耗。
• 输出主动放电：关断时通过内部放电电阻快速泄放输出电容能量，确保安全关断。

3. 典型应用电路

CXSD61363T 的典型应用电路包含输入电容 CIN、输出电容 COUT、功率电感 L、反馈电阻分压网络（RFB1/RFB2）以及可选的前馈电容 CFF。芯片的 VIN 引脚连接输入电源，SW 引脚连接电感，FB 引脚通过分压电阻设置输出电压，EN 引脚控制使能，PG 引脚提供电源状态指示。

图1. CXSD61363T 典型应用电路

4. 极限参数与电气特性

符号	参数	最小值	最大值	单位
VIN	电源输入电压	-0.3	6.5	V
VSW	开关节点电压	-0.3	6.5	V
VSW（t ≤ 50ns）	开关节点瞬态	-2.5	9	V
其他引脚	其他引脚电压	-0.3	6.5	V
PD @ TA=25°C	功耗	—	1	W
θJA	结到环境热阻（JEDEC）	—	109.4	°C/W
θJA(EVB)	结到环境热阻（EVB）	—	100	°C/W
TJ	结温	—	150	°C
TSTG	存储温度	-65	150	°C
ESD（HBM）	人体模型	—	2	kV

参数	最小值	最大值	单位
VIN 输入电压	2.5	6	V
输出电压	0.6	VIN	V
结温范围	-40	125	°C

参数	条件	典型值	单位
输入电压范围	—	2.5 – 6	V
关断电流（ISHDN）	VEN = 0V，TA = 25°C	0.3	μA
静态电流（IQ）	VEN = 2V，VFB = 0.63V	25	μA
内部基准电压（VREF）	—	0.6	V
基准精度	—	±1	%
高侧 RDS(ON)	—	120	mΩ
低侧 RDS(ON)	—	80	mΩ
高侧电流限制（ILIM_H）	VIN = 3.6V，VOUT = 1.2V	2.65	A
低侧电流限制（ILIM_L）	L = 1μH，TA = 25°C	1.55	A
开关频率（fSW）	—	2.2	MHz
最小关断时间（tOFF_MIN）	—	80	ns
软启动时间（tss）	10% 至 90% VOUT	0.6	ms
EN 上升阈值（VEN_R）	—	0.82	V
EN 下降阈值（VEN_F）	—	0.76	V
UVLO 上升阈值	VIN 上升	2.3	V
UVLO 迟滞	—	300	mV
UVP 触发阈值	VREF 百分比	50	%
PG 上升阈值	VFB 上升（良好）	90	%VREF
热关断阈值	—	150	°C
热恢复迟滞	—	30	°C

5. 工作原理与设计指导

5.1 ACOT 控制与 PWM 操作

CXSD61363T 采用 Advanced Constant On-Time（ACOT） 控制架构，提供超快瞬态响应，仅需少量外部元件，并支持低 ESR MLCC 输出电容。当反馈电压低于内部基准电压（0.6V），且最小关断时间（80ns，典型值）超时、电感电流低于电流限制阈值时，内部导通单稳态电路被触发，高侧开关导通。导通时间与输入电压成反比、与输出电压成正比，在输入电压范围内实现伪固定频率。导通时间结束后，高侧开关关断，低侧开关导通，直到下一个导通周期被触发。

5.2 自动省电模式（PSM）

在轻载条件下，芯片自动进入 省电模式（PSM），维持高效率。当负载电流减小，电感电流纹波谷值触及零电流（连续导通与断续导通模式的边界）时，零电流检测电路关断低侧开关。负载电流进一步减小时，输出电容放电至需要下一个导通周期的时间延长，开关频率降低并与负载电流成比例，在轻载时维持高效率。

5.3 使能控制

EN 引脚控制芯片的开启和关断。当 EN 电压低于逻辑低阈值（VEN_F）时，芯片关断，开关停止，即使 VIN 高于 UVLO 阈值。关断模式下供电电流降至 ISHDN（1μA 或更低）。当 EN 电压高于逻辑高阈值（VEN_R）且 VIN 高于 UVLO 阈值时，芯片使能并启动软启动序列。EN 引脚不可悬空。

5.4 软启动（SS）

芯片内置 软启动 功能，用于浪涌电流控制。上电时，内部电流源为内部电容充电，生成软启动斜坡电压作为 PWM 比较器的参考电压。仅当斜坡电压高于反馈电压 VFB 时，芯片才开始开关，输出电压平滑上升至目标电压。从 EN 上升到输出电压开始上升约 0.1ms，软启动斜坡时间（10%VOUT 至 90%VOUT）为 0.6ms，支持预偏置输出启动。

5.5 最大占空比操作

芯片设计支持接近 100% 占空比 的跌落操作。当工作占空比较大且所需关断时间小于最小关断时间时，芯片启用跳过关断时间功能，高侧开关持续导通，实现接近 100% 的占空比，输出电压接近最小输入电压。

5.6 电源良好指示（PG）

PG 引脚为开漏输出，需外接上拉电阻。当 VIN 高于 UVLO 阈值后，PG 功能激活。软启动完成后，PG 由反馈信号 VFB 控制。当 VFB 高于 PG 高阈值（典型值 90% VREF）时，PG 为高阻抗；当 VFB 低于 PG 低阈值（典型值 85% VREF）时，PG 被拉低。保护触发时 PG 也被拉低。

5.7 保护机制

• 逐周期过流保护：高侧和低侧 MOSFET 均具备逐周期电流限制。高侧过流保护通过内部电流比较器监测每个导通周期的高侧电流，超过峰值电流限制（ILIM_H）时关断高侧开关。低侧过流保护通过监测低侧导通期间的电流，超过谷值电流限制（ILIM_L）时禁止导通，直到电流降至限制值以下。
• 输入欠压锁定（UVLO）：监测 VIN 电压，低于 UVLO 下降阈值时停止开关，高于 UVLO 上升阈值时恢复。
• Hiccup 模式 UVP：VFB 低于 UVP 触发阈值（典型值 50% VREF）时，进入 Hiccup 模式（关断 2.4ms，尝试恢复 1.2ms），故障移除后自动恢复。
• 过温保护（OTP）：结温超过 150°C 时关断，温度下降 30°C 后重启。
• 输出主动放电：关断时通过内部 150Ω 放电电阻快速泄放输出电容能量。

6. 基于 CXSD61363T 的 5V 转 1.2V POL 供电设计实例

设计目标：一款机顶盒 SoC 核心供电，需要从 5V 电源总线产生 1.2V/0.8A 电源，要求小尺寸、高效率。

• 系统配置：选用 CXSD61363T，VIN = 5V，VOUT = 1.2V，IOUT = 0.8A。开关频率 2.2MHz，自动 PSM 模式。
• 电感选择：根据公式 L = VOUT × (VIN - VOUT) / (VIN × fsw × ΔIL)，取 ΔIL = 40% × 1A = 0.4A，计算得 L ≈ 1.0μH。选用 1.0μH/2A 饱和电流的屏蔽电感（如 DFE252010F-1R0M）。
• 输入电容：选用 10μF/6.3V/X5R 陶瓷电容 + 0.1μF 高频去耦，靠近 VIN 引脚。
• 输出电容：选用 10μF/6.3V/X5R 陶瓷电容（有效电容 ≥4μF），满足纹波和瞬态要求。
• 反馈电阻：根据 VOUT = 0.6V × (1 + RFB1/RFB2)，选 RFB2 = 10kΩ，RFB1 = 10kΩ（1.2V）。
• PG 上拉：PG 引脚通过 100kΩ 电阻上拉至 VOUT。
• 效率：5V 转 1.2V/0.8A 时效率约 86%，轻载时 PSM 模式维持高效率。

7. PCB 布局建议

• 主功率回路：输入电容、高侧 FET、电感、输出电容形成的高电流路径应尽可能短而宽，减少寄生电感和电阻。
• 输入电容放置：MLCC 输入电容尽可能靠近 VIN 和 GND 引脚，与 IC 同一层放置。
• SW 节点：SW 为高频开关节点，走线面积尽可能小，避免耦合噪声。模拟元件远离 SW 节点。
• 反馈网络：FB 分压电阻靠近 FB 引脚，反馈走线从输出电容后端引出，远离噪声源。
• 地平面：GND 引脚通过宽平面或多个过孔连接到地平面，改善散热和噪声性能。
• 散热设计：芯片底部焊盘必须焊接至 PCB 地平面，通过多个热过孔连接至内层和底层地平面，有效降低 θJA。4 层 1oz 铜 PCB 可实现 θJA(EVB) ≈ 100°C/W。

8. 引脚封装图

CXSD61363T 采用 SOT-563（FC） 封装，6 引脚，1.6mm × 1.6mm 超小尺寸，适合高密度 PCB 布局，支持标准 SMT 工艺。

图2. CXSD61363T 引脚封装图（SOT-563 FC）

9. 订购信息与技术支持

CXSD61363T 采用 SOT-563（FC） 封装，无铅、RoHS 合规，支持 -40°C 至 +125°C 结温范围。嘉泰姆电子提供工程样品、量产芯片及全面的技术支持，包括评估板、参考设计和 FAE 现场支持。