系列选型： CXSU63326A（50V OVP，反馈参考电压典型 104mV）| CXSU63326B（50V/20V OVP，反馈参考电压典型 300mV）| 输入 2.5V-5.5V | 1MHz 固定频率 | 内置开关管 | PWM 调光 100Hz-200kHz | 内部补偿与软启动 | TSOT-23-6 / WDFN-8L 封装。

 

1. 产品概述与市场定位

在智能手机、数码相机、便携式媒体播放器等设备中，LCD 背光驱动和 OLED 屏供电需要高效、紧凑且成本优化的升压方案。CXSU63326A/B 作为一款 1MHz 固定频率异步升压转换器，以 高达 50V 的输出耐压 和 内置功率 MOSFET 满足串联 WLED 驱动需求。其 PWM 调光接口（通过 EN 引脚或外部滤波）支持 100Hz 至 200kHz 的调光频率，适应不同应用场景。该系列提供两种 OVP 版本：A 版（50V OVP） 适用于需要高压输出的应用，B 版（50V/20V OVP） 则在输出过压时先触发 20V 阈值，允许使用耐压较低的输出电容，降低 BOM 成本。芯片内部集成 软启动 和 补偿网络，简化外围设计。采用 TSOT-23-6 和 WDFN-8L 2×2mm 小封装，为 PCB 空间有限的便携设备提供最佳解决方案。

2. 主要特点与技术亮点

• 两种反馈参考电压：A 版 VREF≈104mV（适合较高电流设定），B 版 VREF≈300mV（适合较低电流设定，抗噪性更好）。
• 灵活的调光方式：直接 PWM 调光（通过 EN 引脚）或外部滤波 PWM 信号调光，适应不同系统需求。
• 低成本 BOM：仅需少量外部元件（电感、二极管、输入/输出电容、设定电阻）。
• 小尺寸封装：TSOT-23-6 和 WDFN-8L 2×2mm，适合紧凑布局。
• 效率优化：1MHz 开关频率允许使用小尺寸电感，同时保持较高效率。
• 过压保护：B 版双 OVP 阈值允许输出电容耐压降至 20V，显著降低成本。

3. 引脚配置与功能描述

CXSU63326A/B 提供 TSOT-23-6 和 WDFN-8L 2×2mm 两种封装。主要引脚包括：LX（开关节点）、GND（地）、FB（反馈，接设定电阻）、EN（使能/PWM 调光）、VOUT（输出）、VIN（输入）、NC（无连接，仅 WDFN 版本）。详细引脚分布请参考数据手册。

图1. 引脚封装图（TSOT-23-6 与 WDFN-8L）

4. 典型应用电路

CXSU63326A/B 的典型应用电路包含输入电容 CIN（2.2μF）、功率电感 L（22μH 至 47μH）、续流二极管 D1（肖特基）、输出电容 COUT（1μF）、电流设定电阻 RSET。EN 引脚可接 PWM 信号实现调光。电路简洁，适用于驱动 10 颗串联 WLED。

图2. 典型应用电路（CXSU63326A/B）

5. 极限参数与电气特性

符号	参数	最大值	单位
VIN	输入电压	6	V
LX	开关节点电压	50	V
VOUT	输出端电压	50	V
其他引脚	（EN、FB）	6	V
PD（TSOT-23-6）	功耗（TA=25°C）	392	mW
PD（WDFN-8L）	功耗（TA=25°C）	606	mW
θJA（TSOT-23-6）	热阻	255	°C/W
θJA（WDFN-8L）	热阻	165	°C/W
TJ	结温	150	°C
TSTG	存储温度	-65 至 150	°C
ESD（HBM）	人体模型	2	kV
ESD（MM）	机器模型	200	V

参数	最小值	最大值	单位
VIN 输入电压	2.5	5.5	V
VOUT 输出电压	—	50	V
环境温度	-40	85	°C
结温	-40	125	°C

参数	条件	典型值	单位
VIN 工作范围	—	2.5-5.5	V
UVLO 阈值	—	2.2	V
UVLO 滞回	—	0.1	V
静态电流（非开关）	FB=1.5V	400	μA
开关供电电流	FB=0V，开关	12	mA
关断电流	EN<0.4V	1	μA
开关频率	—	1	MHz
最大占空比	—	92	%
反馈参考电压（A版）	—	104	mV
反馈参考电压（B版）	—	300	mV
PWM 调光频率范围	—	0.1-200	kHz
输出过压保护（A版）	—	50	V
输出过压保护（B版）	—	50 / 20	V
过温保护	—	160	°C

6. 工作原理与设计指导

6.1 LED 电流设定

CXSU63326A/B 的升压环路将 FB 引脚电压调节至内部参考电压 VREF（A 版约 104mV，B 版约 300mV）。因此，通过 FB 与 GND 之间的电阻 RSET 设定电流：
I_LED = V_REF / R_SET
例如，B 版若需 20mA LED 电流，则 R_SET = 0.3V / 20mA = 15Ω。

6.2 PWM 调光控制

芯片支持三种调光方式：

• EN 引脚直接 PWM 调光：PWM 信号加在 EN 引脚，内部低通滤波器（-3dB≈500Hz）将 PWM 转换为直流参考电压，实现亮度调节。调光频率低于 500Hz 时，LED 电流直接跟随 PWM 开关；高于 500Hz 时，LED 电流为直流，无音频噪声。B 版在低频时最小占空比 4%，高频时最小占空比 10%。
• 外部 DC 电压调光：通过电阻网络将可变 DC 电压叠加到 FB 节点，改变有效参考电压。
• 滤波 PWM 调光：PWM 信号经 RC 滤波后作为 DC 电压控制 LED 电流。

6.3 恒定输出电压模式

也可通过 FB 外部分压电阻将芯片配置为恒定输出电压源，适用于 OLED 供电等场景。输出电压计算：
V_OUT = V_REF × (R1+R2) / R2，R2 > 10kΩ。

6.4 保护机制

• 欠压锁定（UVLO）：VIN 低于 2.2V 时关闭芯片。
• 过流保护（OCP）：逐周期监测电感电流，限制峰值电流。
• 过压保护（OVP）：A 版 50V，B 版 50V/20V 双阈值（20V 触发后关闭开关，直到输出电压回落）。
• 过温保护（OTP）：结温超过 160°C 时关闭功率管。

6.5 元件选型指导

• 电感 L：推荐 22μH-47μH（典型 22μH），饱和电流需覆盖峰值电流，低 DCR 提升效率。
• 输入电容 CIN：2.2μF 陶瓷电容（X5R/X7R，耐压 ≥6.3V）。
• 输出电容 COUT：1μF 陶瓷电容（耐压 ≥50V 或 ≥20V 视 OVP 版本），低 ESR。
• 续流二极管 D1：肖特基二极管，反向耐压 ≥VOUT，正向电流 ≥电感峰值电流（如 SR26）。
• 电流设定电阻 RSET：根据所需 LED 电流计算，建议 1% 精度。

7. 基于 CXSU63326B 的手机背光驱动设计实例

设计目标：一款 4G 智能手机，需要驱动 6 颗串联 WLED（每颗 3.2V，总压降约 19.2V），LED 电流 20mA，要求 PWM 调光频率 20kHz，使用 3.7V 锂电池供电。

• 系统配置：选用 CXSU63326B（50V/20V OVP，VREF=300mV），VIN=3.7V，VOUT≈19.2V+余量（约 21V），IOUT=20mA。
• 电感：22μH，饱和电流 >0.8A（如 Taiyo Yuden NR4018T220M）。
• 输入电容：2.2μF/10V X5R（0603）。
• 输出电容：1μF/25V X5R（0603）（因为 B 版 OVP 可触发 20V，25V 电容足够）。
• 二极管：肖特基 SR26（60V/2A）。
• RSET：0.3V / 20mA = 15Ω（1%）。
• PWM 调光：EN 引脚接 20kHz PWM 信号，占空比 10%-100% 控制亮度。
• 效率：典型效率约 85%（参考数据手册曲线）。

8. PCB 布局建议

• 功率回路最小化：输入电容、电感、二极管、输出电容和 IC 的 GND 形成的回路应尽可能短，降低 EMI。
• LX 节点面积最小化：LX 引脚连接电感和二极管，该节点高频高压，铜皮应尽量小。
• 输入电容靠近 VIN：CIN 紧靠 VIN 和 GND 引脚，提供低阻抗旁路。
• 输出电容靠近 VOUT：COUT 紧靠 VOUT 和 GND。
• FB 走线远离噪声：RSET 应靠近 FB 和 GND，避免噪声耦合。
• 地平面：建议使用完整地平面，WDFN 封装的 Exposed Pad 必须焊接至大面积地平面以散热。
• 散热设计：WDFN 封装热阻 165°C/W，在 TA=25°C 时最大功耗 606mW；TSOT-23-6 热阻 255°C/W，最大功耗 392mW。

9. 订购信息与技术支持

CXSU63326A/B 提供 TSOT-23-6 和 WDFN-8L 2×2mm 两种封装，无铅、RoHS 合规。A 版（50V OVP，VREF≈104mV），B 版（50V/20V OVP，VREF≈300mV）。嘉泰姆电子提供工程样品、量产芯片及全面的技术支持，包括评估板、参考设计和 FAE 现场支持。如需获取完整数据手册、应用笔记或设计咨询，请通过以下方式联系。