核心优势： 6A 输出电流 | 4.5V-23V 宽输入 | ACOT 超快瞬态响应 | 30mΩ/15mΩ 超低 RDS(ON) | 超声波模式（USM）| 可编程电流限制（4/6/8A）| 可调/固定输出电压可选 | 内部 LDO（C型号）| 300kHz CLK 输出（C型号）| 逐周期过流保护 | 锁存模式 UVP/OVP/OTP | PGOOD 指示 | UQFN-12HL 3×3 封装 | 无铅/RoHS 合规。

 

1. 型号对比与选型指南

CXSD61165 系列提供三种型号，覆盖可调输出和固定输出电压应用，具体差异如下表所示：

参数	CXSD61165A	CXSD61165B	CXSD61165C
输入电压范围	4.5V – 23V	4.5V – 23V	5.1V – 23V
输出电压	可调（0.6V – 5.1V）	固定 3.3V	固定 5.1V
开关频率	500kHz	500kHz	750kHz
电流限制设置	ILMT 引脚（4/6/8A）	ILMT 引脚（4/6/8A）	固定 7A
内置 LDO	—	—	3.3V / 100mA
CLK 输出	—	—	300kHz
VCC 旁路功能	✓（BYP 引脚）	✓（BYP 引脚）	—
封装	UQFN-12HL 3×3	UQFN-12HL 3×3	UQFN-12HL 3×3

2. 主要特点与技术亮点

• ACOT 控制架构：先进的恒定导通时间控制，实现超快速瞬态响应，无需外部补偿网络，支持低 ESR 陶瓷输出电容，减少外部元件数量。
• 超声波模式（USM）：独特的轻载工作模式，最小开关周期 30μs（典型），消除音频频率范围内的脉冲跳跃噪声，适合对音频敏感的应用（如音响设备、麦克风供电等）。
• 可编程电流限制：通过 ILMT 引脚可设定谷值电流限制为 4A、6A 或 8A（CXSD61165A/B），灵活适配不同负载和保护需求。
• 集成超低 RDS(ON) MOSFET：高侧 30mΩ、低侧 15mΩ，显著降低导通损耗，提升转换效率。
• 内置 3.3V LDO（CXSD61165C）：可提供 100mA 输出电流，为外部电路供电，当 VOUT 高于 4.7V 时自动切换至 VOUT 供电，降低功耗。
• 300kHz CLK 输出（CXSD61165C）：可用于驱动外部电荷泵电路，产生更高电压，满足特殊应用需求。
• VCC 旁路功能（CXSD61165A/B）：当 BYP 引脚电压高于 4.7V 时，内部 3Ω 开关将 VCC 连接至 BYP，同时关闭内部 LDO，降低功耗。
• 内部软启动：典型软启动时间 0.6ms，有效抑制启动浪涌电流，支持预偏置输出启动。
• 逐周期谷值电流限制：通过低侧 MOSFET 谷值电流检测实现精准限流，防止输出短路或过载损坏。
• 锁存模式保护：UVP、OVP 和 OTP 采用锁存模式，触发后需通过 EN 或 VIN 复位，确保系统安全。
• 电源良好指示（PGOOD）：开漏输出，实时监测输出电压状态（阈值 90%）。

3. 极限参数与电气特性（设计参考）

符号	参数	最小值	最大值	单位
VIN	电源输入电压	-0.3	27	V
EN	使能输入电压	-0.3	27	V
LX	开关节点电压（DC）	-0.3	VIN+0.3	V
LX (<30ns)	开关节点瞬态电压	-5	28	V
BOOT	自举电压	VLX-0.3	VLX+6	V
FB（A型号）	反馈电压	-0.3	4.5	V
VOUT（B/C型号）	输出电压	-0.3	4.5/6	V
其他引脚	逻辑/控制引脚	-0.3	6	V
PD	功耗 (TA=25°C)	—	2.45	W
TJ	结温范围	-40	150	°C
TSTG	存储温度	-65	150	°C
ESD (HBM)	人体模型	—	2	kV

参数	CXSD61165A/B	CXSD61165C	单位
VIN 输入电压	4.5 – 23	5.1 – 23	V
VOUT 输出电压	0.6 – 5.1（A型号）/ 3.3（B型号）	5.1	V
TJ 结温范围	-40 – 125		°C
TA 环境温度	-40 – 85		°C

参数	条件	典型值	单位
VIN 工作电压范围（A/B）	—	4.5 – 23	V
VIN 工作电压范围（C）	—	5.1 – 23	V
输出电流能力	—	6	A
反馈参考电压（A型号）	—	0.6	V
固定输出电压（B型号）	—	3.3	V
固定输出电压（C型号）	—	5.1	V
开关频率（A/B）	—	500	kHz
开关频率（C）	—	750	kHz
高侧导通电阻	—	30	mΩ
低侧导通电阻	—	15	mΩ
关断电流（A/B）	EN=0V	2.5	μA
关断电流（C）	EN=0V	40	μA
静态电流 (IQ)	IOUT=0	80-130	μA
谷值电流限值（C型号）	—	7.8	A
谷值电流限值（A/B，ILMT=0）	—	4.5	A
谷值电流限值（A/B，ILMT=浮空）	—	7.2	A
谷值电流限值（A/B，ILMT=1）	—	9.75	A
峰值电流限值	—	11	A
软启动时间	—	0.6	ms
最小导通时间	—	40-50	ns
最小关断时间（A/B）	—	300-400	ns
最小关断时间（C）	—	150-200	ns
UVLO 上升阈值（A/B）	—	4.5	V
UVLO 上升阈值（C）	—	5.4	V
EN 逻辑高阈值	—	0.8	V
EN 逻辑低阈值	—	0.4	V
USM 模式 EN 电压	—	2.3 – 23	V
正常模式 EN 电压	—	0.8 – 1.7	V
过温保护阈值	—	150	°C
OVP 触发阈值	—	120	%
UVP 触发阈值	—	60	%
LDO 输出电压（C型号）	—	3.3	V
LDO 输出电流（C型号）	—	100	mA
CLK 频率（C型号）	—	300	kHz

4. 引脚功能说明

CXSD61165A/B/C 采用 UQFN-12HL 3×3mm 封装。各型号引脚功能略有差异，详见下表：

引脚号	引脚名称（A/B）	引脚名称（C）	功能描述
1	BOOT	BOOT	自举电源，为高侧栅极驱动器供电，需外接 0.1μF 电容和 ≥10Ω 电阻至 LX 引脚。
2	LX	LX	开关节点，连接外部电感。
3	NC	NC	无内部连接，可悬空。
4	PGND	PGND	功率地，需焊接到大面积 PCB 铜区以增强散热。
5	VIN	VIN	电源输入，需外接 ≥10μF 陶瓷电容去耦。
6	EN	EN	使能控制输入/USM 模式选择。高电平使能；电压 2.3V-23V 为 USM 模式，0.8V-1.7V 为正常模式。
7	PGOOD	PGOOD	电源良好指示，开漏输出，需外接上拉电阻。
8	AGND	AGND	模拟地，为控制电路和内部参考提供地回路。
9	VCC	VCC	5V 线性稳压器输出，为内部电路供电，需外接 1μF 陶瓷电容去耦，不可外接负载。
10	FB（A型号） VOUT（B型号） VOUT（C型号）	FB（A型号） VOUT（B型号） VOUT（C型号）	A型号：反馈输入；B/C型号：输出电压检测，C型号同时为 LDO 提供旁路输入。
11	BYP（A/B型号）	LDO（C型号）	A/B型号：VCC 旁路输入；C型号：3.3V LDO 输出，可提供 100mA 电流。
12	ILMT（A/B型号）	CLK（C型号）	A/B型号：电流限制设置（低=4A，浮空=6A，高=8A）；C型号：300kHz CLK 输出，用于驱动外部电荷泵。
Exposed Pad	PGND	PGND	功率地焊盘，必须焊接到 PCB 地平面以散热和降低噪声。

5. 典型应用电路

CXSD61165A/B/C 典型应用电路如下图所示。以 CXSD61165A 为例，外部仅需输入电容、输出电容、电感、反馈电阻分压器、VCC 去耦电容、BOOT 电阻电容以及可选的 PGOOD 上拉电阻即可构成完整的 6A/23V 同步降压电源方案。建议输入电容 ≥ 20μF（X5R/X7R），输出电容 22μF×2（44μF），电感值根据开关频率和输出电压选择。

CXSD61165B（固定 3.3V 输出）和 CXSD61165C（固定 5.1V 输出，带 LDO 和 CLK）的典型应用电路与 A 型号类似，但 FB 引脚改为 VOUT 引脚（内部固定分压），且 C 型号增加 LDO 输出电容和 CLK 相关电路。

6. 引脚封装图

CXSD61165A/B/C 采用 UQFN-12HL 3×3mm 封装，底部散热焊盘有效改善热性能，θJA 典型值为 40.8°C/W（四层 2oz 铜测试板），散热性能优异。

7. 工作原理与设计指导

7.1 ACOT 控制架构

CXSD61165A/B/C 采用 先进恒定导通时间（ACOT） 控制架构，通过内部生成虚拟电感电流斜坡替代传统 ESR 斜坡，实现与低 ESR 陶瓷电容的稳定工作。反馈电压与虚拟斜坡叠加后与参考电压比较，当组合信号低于参考电压且最小关断时间已过、电感电流低于限流阈值时，触发导通时间单稳态电路。导通时间与输入/输出电压成比例调整，实现伪固定频率（A/B 型号 500kHz，C 型号 750kHz）工作。ACOT 架构无需外部补偿，提供超快瞬态响应。

7.2 超声波模式（USM）

CXSD61165A/B/C 支持独特的 超声波模式（USM），通过 EN 引脚电压设定：当 VEN 在 2.3V 至 23V 之间时进入 USM 模式；当 VEN 在 0.8V 至 1.7V 之间时为正常模式。USM 模式是一种特殊的二极管仿真模式，具有最小开关周期（典型 30μs），可消除轻载时传统脉冲跳跃模式产生的音频频率噪声，特别适合对音频敏感的应用（如音响设备、麦克风供电、便携音频设备等）。

7.3 可编程电流限制（A/B 型号）

通过 ILMT 引脚可设定谷值电流限制：

• ILMT 接低电平：电流限制 = 4A
• ILMT 悬空：电流限制 = 6A（默认）
• ILMT 接高电平：电流限制 = 8A

C 型号的电流限制固定为 7A。

7.4 内置 3.3V LDO（C 型号）

CXSD61165C 内置 3.3V/100mA LDO，可为外部电路供电。当 VOUT 电压高于 4.7V 时，LDO 的供电电源自动从 VIN 切换至 VOUT，显著降低功耗。LDO 输出需外接 ≥4.7μF 陶瓷电容。

7.5 CLK 输出与电荷泵（C 型号）

CXSD61165C 提供 300kHz CLK 输出，可用于驱动外部电荷泵电路，产生更高电压（如 14V）以满足特殊应用需求。CLK 信号在 PGOOD 拉高后有效，驱动能力由 VOUT 引脚供电。

7.6 VCC 旁路功能（A/B 型号）

当 BYP 引脚电压高于 4.7V 时，内部 3Ω P-MOSFET 开关将 VCC 连接至 BYP，同时 VCC 线性稳压器关闭，从而降低功耗。建议在 BYP 引脚添加 RC 滤波器以增强供电质量。

7.7 内部软启动与输出放电

芯片内置 内部软启动，典型软启动时间 0.6ms，有效抑制启动浪涌电流。当 OVP、UVP、OTP 触发或 EN 拉低时，内部约 50Ω 放电电阻对输出电容放电。

7.8 保护功能详解

• 逐周期谷值电流限制（OCP）：通过低侧 MOSFET 谷值电流检测实现精准限流，防止输出短路或过载损坏。
• 峰值电流限制：高侧 MOSFET 峰值电流限值约 11A，防止电感饱和或浪涌电流损坏。
• 输出欠压保护（UVP）：当 VOUT 低于设定值 60% 且持续 20μs 时触发，芯片进入锁存模式（需 EN 或 VIN 复位）。
• 输出过压保护（OVP）：当 VOUT 超过设定值 120% 且持续 20μs 时触发，芯片进入锁存模式。
• 输入欠压锁定（UVLO）：当 VIN 低于 UVLO 阈值时禁止开关，防止 MOSFET 不完全导通。
• 过温保护（OTP）：结温超过 150°C 时进入锁存模式，需复位后重新启动。

8. 应用信息

8.1 电感选择

推荐峰峰值纹波电流为负载电流的 20%~50%。电感值计算公式：

以 CXSD61165A 的 1.0V 输出、12V 输入、6A 负载为例，选用 0.68μH~1.0μH 电感。电感峰值电流需大于谷值电流限制值，建议饱和电流 ≥ 10A。

8.2 输入/输出电容选择

推荐使用 X5R/X7R 陶瓷电容。输入电容建议 ≥ 20μF（两个 10μF 并联），耐压 35V 以上。输出电容建议 22μF×2（44μF），需考虑 DC 偏置效应导致的有效容值下降。输出纹波电压：

8.3 前馈电容（CFF）设计（A 型号）

对于可调输出电压版本（CXSD61165A），可通过在 RFB1 上并联前馈电容 CFF 优化瞬态响应。CFF 值可通过以下公式计算：

建议通过负载瞬态响应测试确定最佳 CFF 值（典型 22pF~100pF）。

8.4 输出电压设置（A 型号）

通过外部反馈电阻分压器设置输出电压：

建议 R2 在 10kΩ~100kΩ 之间，使用 ±1% 精度电阻。

9. PCB 布局建议

• 高电流路径最短化：输入电容 → 高侧 FET → 电感 → 输出电容 的路径应尽可能短而宽，减少寄生电感和电阻。
• 输入电容放置：VIN 旁路电容应紧靠 VIN 和 PGND 引脚放置，与 IC 在同一层。建议使用两个 10μF (1206) 陶瓷电容并联。
• LX 节点：高频电压摆幅节点，应保持最小面积，减少 EMI 辐射。反馈网络等模拟元件应远离 LX 节点。LX 节点应布置在同一层以减少寄生电容耦合。
• 反馈网络：反馈电阻分压器应放置在输出电容之后，靠近 FB 引脚（A 型号）。FB 引脚走线应短而直，避免与 LX 节点平行。
• 地线处理：PGND 和 AGND 应分开走线，在 Exposed Pad 处单点连接。PGND 应直接连接到低阻抗地平面，通过宽走线或过孔连接到内层地平面。
• VCC 去耦：VCC 引脚需外接 1μF 陶瓷电容，紧靠 VCC 和 AGND 引脚。
• BOOT 电阻电容：BOOT 引脚与 LX 引脚之间的 0.1μF 电容和 ≥10Ω 电阻应尽量靠近芯片。
• 散热设计：UQFN-12HL 封装 θJA 典型值为 40.8°C/W（四层板），最大功耗 2.45W（TA=25°C）。建议增加铜箔面积和导热过孔改善散热。根据 IPC-2221 标准，对于 6A 电流和 1oz 铜厚，外层走线宽度建议 ≥ 120mil。

10. 订购信息与技术支持

CXSD61165A/B/C 采用 UQFN-12HL 3×3mm 封装，无铅、RoHS 合规，兼容 SnPb 或无铅焊接工艺。嘉泰姆电子提供工程样品、量产芯片及全面的技术支持，包括评估板、参考设计（原理图、BOM、PCB 布局）及 FAE 现场支持。

型号	输出电压	开关频率	电流限制	LDO	CLK	封装
CXSD61165A	可调（0.6-5.1V）	500kHz	4/6/8A 可编程	—	—	UQFN-12HL 3×3
CXSD61165B	固定 3.3V	500kHz	4/6/8A 可编程	—	—	UQFN-12HL 3×3
CXSD61165C	固定 5.1V	750kHz	固定 7A	3.3V/100mA	300kHz	UQFN-12HL 3×3