核心优势： 4A 输出电流 | 5V-23V 宽输入 | ACOT 超快瞬态响应 | 500kHz 固定频率 | 67mΩ/41mΩ 低 RDS(ON) | 二极管仿真模式（DEM）| VCC 开关切换 | 逐周期谷值电流限制 | 打嗝/锁存 UVP/OVP 可选 | 内部软启动 1.5ms | PGOOD 指示 | WDFN-10L 3×3 封装 | 无铅/RoHS 合规。

 

1. 主要特点与技术亮点

• ACOT 控制架构：先进的恒定导通时间控制，实现超快速瞬态响应，无需外部补偿网络，支持低 ESR 陶瓷输出电容，减少外部元件数量。
• 二极管仿真模式（DEM）：轻载时自动进入二极管仿真模式，降低开关频率，维持全负载范围的高效率，轻载纹波更低。
• 集成低 RDS(ON) MOSFET：高侧 67mΩ、低侧 41mΩ，降低导通损耗，提升转换效率。
• VCC 开关切换功能：当 VBPY 引脚电压高于 4.6V 时，内部 3Ω 开关将 VCC 切换至 VBPY，同时关闭内部 LDO，降低功耗。
• 内部软启动：典型软启动时间 1.5ms，有效抑制启动浪涌电流，支持预偏置输出启动。
• 逐周期谷值电流限制：通过低侧 MOSFET 谷值电流检测实现精准限流（典型 6.8A），防止输出短路或过载损坏。
• 输出欠压/过压保护（UVP/OVP）：可选打嗝模式（自动恢复）或锁存模式（需复位），灵活适配不同系统需求。
• 电源良好指示（PGOOD）：开漏输出，实时监测输出电压状态（阈值 90%），建议通过 100kΩ 电阻上拉至 VCC（5V）。

2. 极限参数与电气特性（设计参考）

符号	参数	最小值	最大值	单位
VIN	电源输入电压	-0.3	27	V
SW	开关节点电压（DC）	-0.3	VIN+0.3	V
SW (<30ns)	开关节点瞬态电压	-5	28	V
BOOT	自举电压	VSW-0.3	VSW+6	V
EN, FB	使能/反馈电压	-0.3	27	V
VBPY	开关切换输入电压	-0.3	5.3	V
VCC, PGOOD	逻辑/控制引脚	-0.3	6	V
PD	功耗 (TA=25°C)	—	3.28	W
TJ	结温范围	-40	150	°C
TSTG	存储温度	-65	150	°C
ESD (HBM)	人体模型	—	2	kV

参数	最小值	最大值	单位
VIN 输入电压	5	23	V
VOUT 输出电压	0.6	5	V
TJ 结温范围	-40	125	°C
TA 环境温度	-40	85	°C

参数	条件	典型值	单位
VIN 工作电压范围	—	5 – 23	V
VOUT 调节范围	—	0.6 – 5	V
开关频率	—	500	kHz
输出电流能力	—	4	A
反馈参考电压	—	0.6	V
反馈电压精度	—	±1	%
高侧导通电阻	—	67	mΩ
低侧导通电阻	—	41	mΩ
关断电流 (ISHDN)	EN=0V	2.5	μA
静态电流 (IQ) – A 型号	非开关	100	μA
静态电流 (IQ) – B 型号	非开关	110	μA
谷值电流限值	—	6.8	A
软启动时间	—	1.5	ms
最小关断时间	—	200	ns
UVLO 上升阈值（VCC）	—	4.2	V
EN 逻辑高阈值	—	1.35	V
EN 逻辑低阈值	—	1.15	V
过温保护阈值	—	150	°C
过温保护迟滞	—	25	°C
OVP 触发阈值	—	125	%
UVP 触发阈值	—	58	%
VCC 输出电压	—	5	V
VCC 开关切换阈值	VBPY 上升	4.6	V
PGOOD 上升阈值	VOUT 上升	91.5	%

3. 引脚功能说明

CXSD61161A/B 采用 WDFN-10L 3×3mm 封装，共 10 个引脚，底部带有散热焊盘（Exposed Pad）。该封装在紧凑的尺寸内集成了完整的 4A/23V 降压转换器。

引脚号	引脚名称	功能描述
1	PGOOD	电源良好指示，开漏输出，需通过 100kΩ 电阻上拉至 VCC（5V），不可上拉至高于 VCC 的外部电压。
2	VBPY	VCC 开关切换输入，当电压高于 4.6V 时 VCC 切换至 VBPY，需外接低通滤波器至 AGND；不用时接 AGND。
3	VIN	电源输入，输入电压范围 5V~23V，连接高侧 MOSFET 漏极。
4	EN	使能控制输入，高电平使能，低电平关断，不可悬空，上升斜率建议慢于 4.8V/μs。
5	FB	反馈电压输入，连接外部反馈电阻分压器中点以设置输出电压，反馈阈值 0.6V。
6	VCC	5V 线性稳压器输出，为内部电路供电，需外接 2.2μF 陶瓷电容去耦，不可外接负载。
7	BOOT	自举电源，为高侧栅极驱动器供电，需外接 0.1μF 电容至 SW 引脚。
8, 9, 10	SW	开关节点，连接外部电感。
Exposed Pad	PGND	功率地，必须焊接到 PCB 地平面以散热和降低噪声。

4. 典型应用电路

CXSD61161A/B 典型应用电路如下图所示。外部仅需输入电容、输出电容、电感、反馈电阻分压器、VCC 去耦电容、BOOT 电容以及可选的 PGOOD 上拉电阻即可构成完整的 4A/23V 同步降压电源方案。建议输入电容 ≥ 20μF（X5R/X7R），输出电容根据输出电压选择 22μF~44μF，电感值推荐 0.68μH~2.2μH。

输出电压通过反馈电阻分压器设置，RFB1 和 RFB2 推荐取值如下所示（VREF=0.6V，VBPY 为可选开关切换输入）：

VOUT (V)	RFB1 (kΩ)	RFB2 (kΩ)	L (μH)	COUT (μF)	CFF (pF)
1.0	6.8	10	0.68 – 1.0	22 – 44	—
1.2	10	10	0.68 – 1.0	22 – 44	—
1.8	20	10	1.0 – 1.5	22 – 44	22 – 68
2.5	31.6	10	1.5 – 2.2	22 – 44	22 – 68
3.3	45.3	10	1.5 – 2.2	22 – 44	22 – 68
5.0	73.2	10	1.5 – 2.2	22 – 44	22 – 68

5. 引脚封装图

CXSD61161A/B 采用 WDFN-10L 3×3mm 封装，底部散热焊盘有效改善热性能，θJA 典型值为 30.5°C/W（四层 1oz 铜测试板），散热性能优异。

6. 工作原理与设计指导

6.1 ACOT 控制架构

CXSD61161A/B 采用 先进恒定导通时间（ACOT） 控制架构，通过内部生成虚拟电感电流斜坡替代传统 ESR 斜坡，实现与低 ESR 陶瓷电容的稳定工作。反馈电压与虚拟斜坡叠加后与参考电压比较，当组合信号低于参考电压且最小关断时间已过、电感电流低于限流阈值时，触发导通时间单稳态电路。导通时间与输入/输出电压成比例调整，实现伪固定频率（500kHz）工作。ACOT 架构无需外部补偿，提供超快瞬态响应。

6.2 二极管仿真模式（DEM）

CXSD61161A/B 在轻载时自动进入 二极管仿真模式（DEM），维持高效率。当负载电流减小时，电感电流谷值触及零电流，低侧 MOSFET 关断，模拟二极管行为，避免负向电流。随着负载进一步减小，开关频率随负载电流降低而降低，在轻载条件下保持高效率。DEM 模式下的轻载纹波更低，适合对噪声敏感的应用。

6.3 VCC 开关切换功能

芯片内置 VCC 开关切换功能，当 VBPY 引脚电压高于 4.6V 时，内部 3Ω P-MOSFET 开关将 VCC 连接至 VBPY，同时 VCC 线性稳压器关闭，从而降低功耗。VBPY 需外接低通滤波器，不使用时接 AGND。

6.4 内部软启动（SS）

芯片内置 内部软启动，典型软启动时间 1.5ms，有效抑制启动浪涌电流。上电时内部参考电压斜坡上升，输出电压平滑上升至目标值。

6.5 过流保护（OCP）

芯片提供 低侧 MOSFET 谷值电流检测 的逐周期过流保护。当感测的谷值电感电流超过电流限值阈值（典型 6.8A）时，OCP 被触发，抑制导通时间触发直至电感电流降至限值以下，防止输出短路或过载损坏。

6.6 输出欠压/过压保护（UVP/OVP）

芯片具备 输出欠压保护（UVP） 和 输出过压保护（OVP）。CXSD61161A 采用 锁存模式（需通过 EN 或 VIN 复位），CXSD61161B 采用 打嗝模式（自动尝试恢复），灵活适配不同系统需求。UVP 触发阈值约为参考电压的 58%，OVP 触发阈值约为输出设定值的 125%。

6.7 电源良好指示（PGOOD）

PGOOD 为开漏输出，需通过 100kΩ 电阻上拉至 VCC（5V），不可上拉至高于 VCC 的外部电压。软启动期间 PGOOD 保持低电平，软启动完成后当 FB 电压高于参考电压的 91.5% 时，PGOOD 为高阻抗；当 FB 低于 81.5% 时，PGOOD 拉低。

6.8 过温保护（OTP）

芯片包含 过温保护电路，当结温超过 150°C 时停止开关，待温度下降 25°C 后重新启动。OTP 触发期间 VCC 稳压器保持工作。

7. 应用信息

7.1 电感选择

推荐峰峰值纹波电流为负载电流的 20%~50%。电感值计算公式：

以 1.2V 输出、12V 输入、4A 负载为例：

电感峰值电流：

建议电感饱和电流额定值 ≥ 芯片电流限值（典型 6.8A），以确保瞬态条件下安全。

7.2 输入/输出电容选择

推荐使用 X5R/X7R 陶瓷电容。输入电容建议 ≥ 20μF，耐压 35V 以上。输出电容建议 22μF~44μF，需考虑 DC 偏置效应导致的有效容值下降。输出纹波电压：

7.3 前馈电容（CFF）

对于高输出电压应用（VOUT > 1.8V），建议在 RFB1 上并联前馈电容 CFF（22pF~68pF），可加快瞬态响应。

7.4 输出电压设置

通过外部反馈电阻分压器设置输出电压：

建议 R2 在 10kΩ~100kΩ 之间，使用 ±1% 精度电阻。输出电压的谷值由反馈电阻和 CFF 共同决定，实际输出存在微小直流偏移。

8. PCB 布局建议

• 高电流路径最短化：输入电容 → 高侧 FET → 电感 → 输出电容 的路径应尽可能短而宽，减少寄生电感和电阻。
• 输入电容放置：VIN 旁路电容应紧靠 VIN 和 PGND 引脚放置，与 IC 在同一层。建议使用 ≥ 20μF (1206) 陶瓷电容。
• SW 节点：高频电压摆幅节点，应保持最小面积，减少 EMI 辐射。反馈网络等模拟元件应远离 SW 节点。
• 反馈网络：反馈电阻分压器应放置在输出电容之后，靠近 FB 引脚。FB 引脚走线应短而直，避免与 SW 节点平行。
• 地线处理：PGND 应直接连接到低阻抗地平面，通过宽走线或过孔连接到内层地平面。Exposed Pad 必须焊接到地平面，并添加多个导热过孔。
• VCC 去耦：VCC 引脚需外接 2.2μF 陶瓷电容，紧靠 VCC 和 PGND 引脚。
• 散热设计：WDFN-10L 封装 θJA 典型值为 30.5°C/W（四层板），最大功耗 3.28W（TA=25°C）。建议增加铜箔面积和导热过孔改善散热。

9. 订购信息与技术支持

CXSD61161A/B 采用 WDFN-10L 3×3mm 封装，无铅、RoHS 合规，兼容 SnPb 或无铅焊接工艺。嘉泰姆电子提供工程样品、量产芯片及全面的技术支持，包括评估板、参考设计（原理图、BOM、PCB 布局）及 FAE 现场支持。

型号	UVP/OVP 模式	轻载模式	封装
CXSD61161A	锁存模式	DEM（二极管仿真）	WDFN-10L 3×3
CXSD61161B	打嗝模式	DEM（二极管仿真）	WDFN-10L 3×3