核心优势： 3.5A 峰值输出电流 | 4.3V-18V 宽输入 | ACOT 超快瞬态响应 | 500kHz 固定频率 | 90mΩ/45mΩ 低 RDS(ON) | PSM/强制PWM可选 | 轻载低纹波 | 内部软启动 0.8ms | 逐周期过流保护 | 打嗝模式 UVP | TSOT-23-6 小型封装 | 无铅/RoHS 合规。

 

1. 主要特点与技术亮点

• ACOT 控制架构：先进的恒定导通时间控制，实现超快速瞬态响应，无需外部补偿网络，支持低 ESR 陶瓷输出电容，减少外部元件数量。
• 省电模式（PSM）— CXSD61164A：轻载时自动进入省电模式，降低开关频率，维持全负载范围的高效率，轻载输出纹波低。
• 强制 PWM 模式 — CXSD61164B：固定频率工作，满足对输出电压纹波和调节精度有严格要求的应用。
• 集成低 RDS(ON) MOSFET：高侧 90mΩ、低侧 45mΩ，降低导通损耗，提升转换效率。
• 内部软启动：典型软启动时间 0.8ms，有效抑制启动浪涌电流，支持预偏置输出启动。
• 高低侧 FET 逐周期过流保护：同时监测高侧峰值电流和低侧谷值电流，提供稳健的过流保护。
• 打嗝模式输出欠压保护：当反馈电压低于 75% 参考电压时进入打嗝模式（关断 4.5ms/恢复 1.5ms），降低短路功耗，故障移除后自动恢复。
• 外部自举二极管支持：在低输入电压或高占空比应用下，可外接自举二极管提升效率。
• 最大占空比 90%：支持宽输入输出电压范围，适合低压差应用。

2. 极限参数与电气特性（设计参考）

符号	参数	最小值	最大值	单位
VIN	电源输入电压	-0.3	20	V
SW	开关节点电压（DC）	-0.3	VIN+0.3	V
SW (<10ns)	开关节点瞬态电压	-5	25	V
BOOT	自举电压	VSW-0.3	VSW+6	V
其他引脚	逻辑/控制引脚	-0.3	6	V
PD	功耗 (TA=25°C)	—	1.429	W
TJ	结温范围	-40	150	°C
TSTG	存储温度	-65	150	°C
ESD (HBM)	人体模型	—	2	kV

参数	最小值	最大值	单位
VIN 输入电压	4.3	18	V
VOUT 输出电压	0.6	8	V
TJ 结温范围	-40	125	°C
TA 环境温度	-40	85	°C

参数	条件	典型值	单位
VIN 工作电压范围	—	4.3 – 18	V
VOUT 调节范围	—	0.6 – 8	V
开关频率	—	500	kHz
峰值输出电流	—	3.5	A
反馈参考电压	—	0.6	V
反馈电压精度	—	±1.5	%
高侧导通电阻	—	90	mΩ
低侧导通电阻	—	45	mΩ
关断电流 (ISHDN)	EN=0V	≤4	μA
静态电流 (IQ)	VFB=1V	0.5	mA
谷值电流限值	—	4.4	A
高侧电流限值	—	6.5	A
软启动时间	—	0.8	ms
最小导通时间	—	60	ns
最大占空比	—	90	%
UVLO 上升阈值	—	3.9	V
UVLO 迟滞	—	340	mV
EN 逻辑高阈值	—	1.5	V
EN 逻辑低阈值	—	0.4	V
过温保护阈值	—	160	°C
过温保护迟滞	—	20	°C
UVP 触发阈值	—	75	%VREF

3. 引脚功能说明

CXSD61164A/B 采用 TSOT-23-6 (FC) 封装，共 6 个引脚，在紧凑的尺寸内集成了完整的 3.5A 降压转换器。

引脚号	引脚名称	功能描述
1	BOOT	自举电源，为高侧栅极驱动器供电，需外接 0.1μF 电容至 SW 引脚。
2	GND	功率地，需焊接到大面积 PCB 铜区以增强散热。
3	FB	反馈电压输入，连接外部反馈电阻分压器中点以设置输出电压，反馈阈值 0.6V。
4	EN	使能控制输入，高电平使能，低电平关断，不可悬空。
5	VIN	电源输入，输入电压范围 4.3V~18V，需外接大容量陶瓷电容去耦。
6	SW	开关节点，连接外部 LC 滤波器。

4. 典型应用电路

CXSD61164A/B 典型应用电路如下图所示，外部仅需输入电容、输出电容、电感、反馈电阻分压器以及自举电容即可构成完整的 3.5A 同步降压电源方案。建议输入电容 ≥ 10μF（X7R），输出电容 22μF，电感值推荐 3.6μH~4.7μH。

输出电压通过反馈电阻分压器设置，RFB1 和 RFB2 推荐取值如下表所示（VREF=0.6V）：

VOUT (V)	RFB1 (kΩ)	RFB2 (kΩ)	L (μH)	COUT (μF)	CFF (pF)
5.0	110	15	4.7	22	39
3.3	115	25.5	3.6	22	33
2.5	25.5	8.06	3.6	22	NC
1.2	10	10	2.2	22	NC

注：所有输入/输出电容值为有效容值建议，需考虑 DC 偏置效应。

5. 引脚封装图

CXSD61164A/B 采用 TSOT-23-6 (FC) 表面贴装封装，尺寸小巧，适合空间受限的便携设备和模块化产品。θJA 典型值为 70°C/W（四层 1oz 铜测试板）。

6. 工作原理与设计指导

6.1 ACOT 控制架构

CXSD61164A/B 采用 先进恒定导通时间（ACOT） 控制架构，提供超快速负载瞬态响应，无需外部补偿网络，支持低 ESR 陶瓷输出电容。反馈电压叠加虚拟电感电流斜坡后与参考电压比较，当组合信号低于参考电压且最小关断时间已过、电感电流低于限流阈值时，触发导通时间单稳态电路。导通时间与输入/输出电压成比例调整，实现伪固定频率（500kHz）工作。ACOT 架构无需外部补偿，提供超快瞬态响应。

6.2 省电模式（PSM）— CXSD61164A

CXSD61164A 在轻载时自动进入 省电模式（PSM），维持高效率。当负载电流减小时，开关频率降低，从而减少开关损耗，提高轻载效率，同时保持低输出纹波。

6.3 强制 PWM 模式 — CXSD61164B

CXSD61164B 采用 强制 PWM 模式，在整个负载范围内保持固定频率工作，满足对输出电压纹波和调节精度有严格要求的应用。

6.4 内部软启动（SS）

芯片内置 内部软启动，典型软启动时间 0.8ms，有效抑制启动浪涌电流。上电时内部电容由电流源充电产生软启动斜坡电压，输出电压平滑上升至目标值。

6.5 过流保护（OCP）

芯片提供 高低侧 FET 逐周期过流保护。高侧峰值电流限值典型 6.5A，低侧谷值电流限值典型 4.4A。当感测的电流超过限值时，OCP 被触发，防止输出短路或过载损坏。

6.6 打嗝模式输出欠压保护（UVP）

当反馈电压 VFB 低于参考电压的 75% 时触发 UVP。芯片进入 打嗝模式，关断约 4.5ms 后尝试恢复约 1.5ms。若故障消除则恢复正常工作；否则重复打嗝循环，有效降低短路功耗。

6.7 过温保护（OTP）

芯片包含 过温保护电路，当结温超过 160°C 时停止开关，待温度下降 20°C 后重新启动。

7. 应用信息

7.1 电感选择

推荐峰峰值纹波电流为负载电流的 20%~40%。电感值计算公式：

以 1.2V 输出、12V 输入、3A 负载为例：

电感峰值电流：

建议电感饱和电流额定值 ≥ 芯片电流限值（低侧 4.4A），以确保瞬态条件下安全。

7.2 输入/输出电容选择

推荐使用 X5R/X7R 陶瓷电容。输入电容建议 ≥ 10μF，耐压 25V 以上。输出电容建议 22μF，需考虑 DC 偏置效应导致的有效容值下降。输出纹波电压：

7.3 前馈电容（CFF）

对于高输出电压应用（VOUT > 3.3V），建议在 RFB1 上并联前馈电容 CFF，可加快瞬态响应。CFF 值可通过以下公式估算，典型值参见推荐元件表。

7.4 输出电压设置

通过外部反馈电阻分压器设置输出电压：

建议 R2 在 10kΩ~100kΩ 之间，使用 ±1% 精度电阻。

8. PCB 布局建议

• 高电流路径最短化：输入电容 → 高侧 FET → 电感 → 输出电容 的路径应尽可能短而宽，减少寄生电感和电阻。
• 输入电容放置：VIN 旁路电容应紧靠 VIN 和 GND 引脚放置，与 IC 在同一层。建议使用 ≥ 10μF (0805/1206) 陶瓷电容。
• SW 节点：高频电压摆幅节点，应保持最小面积，减少 EMI 辐射。反馈网络等模拟元件应远离 SW 节点。
• 反馈网络：反馈电阻分压器应放置在输出电容之后，靠近 FB 引脚。FB 引脚走线应短而直，避免与 SW 节点平行。
• 地线处理：GND 应直接连接到低阻抗地平面，通过宽走线或过孔连接到内层地平面。
• 散热设计：TSOT-23-6 (FC) 封装 θJA 典型值为 70°C/W（四层板），最大功耗 1.429W（TA=25°C）。建议增加铜箔面积和导热过孔改善散热。

9. 订购信息与技术支持

CXSD61164A/B 采用 TSOT-23-6 (FC) 封装，无铅、RoHS 合规，兼容 SnPb 或无铅焊接工艺。嘉泰姆电子提供工程样品、量产芯片及全面的技术支持，包括评估板、参考设计（原理图、BOM、PCB 布局）及 FAE 现场支持。

型号	轻载模式	峰值电流	封装
CXSD61164A	PSM（省电模式）	3.5A	TSOT-23-6 (FC)
CXSD61164B	强制 PWM	3.5A	TSOT-23-6 (FC)