CXAC85275D 集成VCC电容与续流二极管的非隔离恒压驱动芯片
内置续流管 · 无需VCC电容 · 固定5V输出 · 200mA · 待机功耗低至50mW · SOP-7封装

更新时间：2026年4月 | 产品型号：CXAC85275D | 嘉泰姆电子 (JTM-IC)

嘉泰姆电子（JTM-IC）推出的CXAC85275D 是一款超高集成度的开关电源驱动芯片，适用于全电压范围 85~265VAC 输入的 Buck、Buck-Boost 等非隔离变换器拓扑。这颗芯片将传统方案中多个分立元件全部集成在一颗 SOP-7 封装内：内部不仅集成了 650V 高压 MOSFET、VCC 电容和输出电压采样电阻，还集成了 续流二极管和反馈二极管。VOUT 引脚内部连接反馈二极管阳极，GND 引脚内部连接续流二极管阳极。固定输出 5V/200mA，待机功耗低至 50mW@230VAC。芯片引入负载补偿技术优化负载调整率，内置抖频技术改善 EMI 性能。输出短路保护、过载保护、过压保护、反馈开路保护、逐周期限流及过温保护一应俱全，特别适合小家电、电机驱动、IoT 智能家居等对体积和成本极度敏感的 5V 辅助电源应用。

1. 产品概述与核心优势

CXAC85275D 是嘉泰姆 5V 非隔离驱动系列中注重负载调整率优化的型号。它内置了 650V MOSFET（导通电阻典型值 22Ω）、续流二极管（600V/300mA，trr=35ns）和反馈二极管。VOUT 引脚直接输出电压，FB 引脚内部完成全部采样和补偿，外部无需连接任何元件。芯片引入负载补偿技术，有效改善了传统非隔离恒压方案在重载时输出电压跌落的问题。内置抖频技术将开关频率的频谱能量分散，降低了 EMI 传导干扰的峰值。多模式 PWM/PFM 控制使开关频率在 0.6kHz 至 39kHz 间自适应，满载时混合模式运行，轻载降频至 0.6kHz，将待机功耗控制在 50mW 以内。软启动起始限流值为最大限流值的 70%，512 个开关周期后升至 100%，启动更加平缓。

2. 主要特点与技术亮点

• 内部集成 VCC 电容，无需任何外部 VCC 电容
• 内部集成续流二极管（600V/300mA，trr=35ns）和反馈二极管
• 内部集成 650V 高压 MOSFET，导通电阻典型值 22Ω
• 集成高压启动与自供电电路，无需辅助绕组或启动电阻
• 固定 5V 输出，内部集成采样电阻，无需外部反馈分压电阻
• 引入负载补偿技术，优化负载调整率
• 内置抖频技术，改善 EMI 传导干扰表现
• 待机功耗低至 50mW@230VAC，满足六级能效
• 多模式控制：满载混合模式 39kHz，中载 22kHz PWM，轻载降频至 0.6kHz
• 内置软启动，限流从 70% 起步，512 周期后升至 100%
• 输出短路保护：FB < 1.5V 持续 1024 周期触发
• 输出过载保护：FB < 2.75V 持续 4096 周期触发
• 输出过压保护：FB > 6.5V 持续 2 周期触发
• 反馈开路保护：VOUT 悬空或短路到地均可触发
• 自动重启：保护后间隔 0.5s 自动恢复
• 迟滞过温保护：150℃ 关断，40℃ 迟滞
• SOP-7 封装，体积紧凑，外围元件极少

3. 引脚封装与说明

CXAC85275D 采用 SOP-7 封装，引脚定义如下：

图1. CXAC85275D 引脚封装图 (SOP-7)
[ 封装外形示意图 ] 详细尺寸请参见数据手册机械图部分。

4. 内部功能框图与工作原理

图2. CXAC85275D 内部功能框图
[ 内部功能模块 ] 包含高压自供电、内置 VCC 电容、650V MOSFET、续流二极管、反馈二极管、电流采样、电压反馈、负载补偿、抖频、PWM/PFM 控制器、保护逻辑等。

高压启动与自供电

CXAC85275D 集成高压启动与自供电电路，无需外部 VCC 电容。系统上电后，母线电压上升，当 DRAIN 引脚电压达到最小启动电压 40V 时，内部高压启动电路对内置 VCC 电容充电。当 VCC 电压达到启动阈值约 11V 时，芯片开始工作。MOSFET 关断期间，自供电电路通过 DRAIN 引脚持续为内置 VCC 电容供电。当 VCC 电压降至约 5V 时触发欠压保护。

软启动与输出电压采样

芯片内置软启动功能，起始限流值为最大限流值的 70%，512 个开关周期后升至 100%。输出电压通过 VOUT 引脚经内置反馈二极管到达 FB 引脚，FB 电压经内部电阻分压后与基准电压运算实现恒压控制。采样仅在续流 3μs 时进行，电感续流时间需大于 7μs。芯片引入负载补偿技术，有效改善重载时的输出电压跌落。

多模式控制与抖频

芯片采用 PWM/PFM 多模式控制，开关频率在 0.6kHz 至 39kHz 间自适应。内置抖频技术将开关频率在一定范围内调制，分散谐波能量，降低 EMI 传导干扰的峰值和准峰值。

保护功能

芯片通过 FB 引脚检测输出状态：FB 低于 1.5V 持续 1024 周期触发短路保护；FB 低于 2.75V 持续 4096 周期触发过载保护；FB 高于 6.5V 持续 2 周期触发过压保护。VOUT 悬空也可触发保护。保护后 0.5s 自动重启。过温保护 150℃ 关断，40℃ 迟滞。

5. 极限参数与电气特性

设计时需确保不超过极限参数。工作结温范围 -40℃ ~ 150℃。

极限参数表

关键电气参数 (Ta=25℃)

6. 典型应用电路

图3. CXAC85275D 典型 Buck 应用电路
电路组成：交流输入经整流桥和 π 型滤波 → DRAIN 接母线 → 电感连接在 DRAIN 与 VOUT 之间 → VOUT 接输出电容正端 → GND 接输出电容负端 → IC-GND 接母线电容负端。FB 引脚悬空。外围仅需电感、输出电容和假负载电阻。

7. 设计指导

输出电感计算（Buck 拓扑）

CXAC85275D 可工作于 CCM 和 DCM 模式。5V/200mA 应用下，最大限流值下限 355mA，输出电流 200mA > 0.5×355=178mA，需按 CCM 模式设计：

同时需满足空载约束 L ≥ t_LEB × (V_{IN_MAX} - V_OUT) / I_{LIMIT_MIN} 和续流约束 L ≥ 5V × 7μs / 130mA。最终选取电感值取三者最大值并放大 1.1 倍裕量，通常选用 680μH~1mH 电感。

输出电容与假负载

输出电容推荐 220~470μF 低 ESR 电解电容。空载时需 1~3mA 假负载。

8. PCB Layout 设计指南

• VOUT 与 FB：VOUT 和 FB 引脚应避免铺铜，远离母线电压和输出电感，防止反馈信号受干扰。
• IC-GND 散热：IC-GND 可铺铜散热，但为电压动点，铺铜面积应尽量小，远离交流输入端。
• DRAIN 散热：DRAIN 为电压静点，建议铺铜提高散热能力。DRAIN 与其它引脚走线保持足够间距。
• 功率环路：母线电容、内置 MOSFET、内置续流二极管构成的回路面积应最小化。续流二极管、电感、输出电容构成的回路也需最小化。
• 电感布局：工字形电感为开放磁路，需远离 FB 和 VOUT 引脚，同时远离交流输入端。