CXAC85277DF 集成VCC电容与续流二极管的非隔离恒压驱动芯片
内置续流管 · 无需VCC电容 · 固定13.5V输出 · 待机功耗低至50mW · TSOP-7封装
更新时间:2026年4月 | 产品型号:CXAC85277DF | 嘉泰姆电子 (JTM-IC)
嘉泰姆电子(JTM-IC)推出的CXAC85277DF 是一款超高集成度的开关电源驱动芯片,适用于全电压范围 85~265VAC 输入的 Buck 变换器拓扑。这颗芯片将传统方案中多个分立元件全部集成在一颗 TSOP-7 封装内:内部不仅集成了 550V 高压 MOSFET、VCC 电容和输出电压采样电阻,还集成了 续流二极管和反馈二极管。VOUT 引脚内部连接反馈二极管阳极,GND 引脚内部连接续流二极管阳极。固定输出 13.5V/70mA,待机功耗低至 50mW@230VAC。内置输出过载保护、反馈开路保护、逐周期限流及过温保护,特别适合小家电、电机驱动、IoT 智能家居等对体积和成本极度敏感的辅助电源应用。
1. 产品概述与核心优势
CXAC85277DF 是一款专为小功率辅助电源设计的集成方案。它内置了 550V MOSFET(导通电阻 27~35Ω)、续流二极管(600V/300mA,trr=35ns)和反馈二极管(600V/300mA),VOUT 引脚直接输出电压。芯片采用 PWM+PFM 混合控制模式,限流点和开关频率同时随负载变化:重载时两者同时升高,最高频率 45kHz、最大限流值 280mA;轻载时两者同时降低,最低频率 0.7kHz、最低限流值 110mA。这种全范围混合调制策略在保证动态响应的同时,将待机功耗控制在 50mW 以内。推荐开关频率为 22kHz,由于输出功率仅约 1W,适当提高频率至 30~35kHz 也不会造成严重发热。
2. 主要特点与技术亮点
- 内部集成 VCC 电容,无需任何外部 VCC 电容
- 内部集成续流二极管(600V/300mA,trr=35ns)和反馈二极管(600V/300mA)
- 内部集成 550V 高压 MOSFET,导通电阻典型值 27~35Ω
- 集成高压启动与自供电电路,无需辅助绕组或启动电阻
- 固定 13.5V 输出,内部集成采样电阻,无需外部反馈分压电阻
- 待机功耗低至 50mW@230VAC,满足六级能效
- PWM+PFM 混合控制:满载 45kHz,轻载降频至 0.7kHz
- 内置软启动,限流阶梯上升(50% → 100%)
- 输出过载保护:FB < 2.6V 持续 2048 周期触发
- 反馈开路保护:VOUT 悬空或短路到地均可触发
- 自动重启:保护后间隔 1.2s 自动恢复
- 迟滞过温保护:150℃ 关断,40℃ 迟滞
- TSOP-7 封装,体积紧凑,外围元件极少
3. 引脚封装与说明
CXAC85277DF 采用 TSOP-7 封装,引脚定义如下:
| 管脚号 | 管脚名称 | 描述 |
|---|---|---|
| 1 | VOUT | 输出电压端,内置反馈二极管阳极。推荐外串 10.5kΩ 电阻,输出约 13.5V |
| 2 | GND | 输出电压参考地,内置续流二极管阳极 |
| 3 | NC | 无连接,悬空 |
| 4 | DRAIN | 内置 MOSFET 漏极,接输入直流母线,同时提供自供电电流 |
| 5、6 | IC-GND | 芯片地,内置 MOSFET 源极,内置续流二极管阴极 |
| 8 | FB | 反馈电压采样端,内置反馈二极管阴极,外部无需连接 |

图1. CXAC85277DF 引脚封装图 (TSOP-7)
[ 封装外形示意图 ] 详细尺寸请参见数据手册机械图部分。

4. 内部功能框图与工作原理

图2. CXAC85277DF 内部功能框图
[ 内部功能模块 ] 包含高压自供电、内置 VCC 电容、550V MOSFET、续流二极管、反馈二极管、电流采样、电压反馈、PWM+PFM 控制器、保护逻辑等。
高压启动与自供电
CXAC85277DF 集成高压启动与自供电电路,无需外部 VCC 电容。系统上电后,母线电压上升,当 DRAIN 引脚电压达到最小启动电压 40V 时,内部高压启动电路对内置 VCC 电容充电。当 VCC 电压达到启动阈值约 11V 时,芯片开始工作。MOSFET 关断期间,自供电电路通过 DRAIN 引脚持续为内置 VCC 电容供电。
软启动与输出电压采样
芯片内置软启动功能,起始限流值为最大限流值的 50%,32 个开关周期后升至 100%。输出电压通过 VOUT 引脚经内置反馈二极管到达 FB 引脚,FB 电压经内部电阻分压后与基准电压运算实现恒压控制。采样仅在续流 3μs 时进行,电感续流时间需大于 7μs。
多模式控制
CXAC85277DF 采用 PWM+PFM 混合控制模式,MOSFET 限流点和开关频率同时随负载变化:重载时两者同时升高,最高频率 45kHz、最大限流值 280mA;轻载时两者同时降低,最低频率 0.7kHz、最低限流值 110mA。推荐开关频率为 22kHz,输出功率较小,适当提高频率至 30~35kHz 也不会造成严重发热。
保护功能
芯片通过 FB 引脚检测输出状态:FB 低于 2.6V 持续 2048 周期触发过载保护;VOUT 悬空或短路到地也可触发保护。保护后 1.2s 自动重启。过温保护 150℃ 关断,40℃ 迟滞。
5. 极限参数与电气特性
设计时需确保不超过极限参数。工作结温范围 -40℃ ~ 150℃。
极限参数表
| 符号 | 参数 | 范围 | 单位 |
|---|---|---|---|
| VDRAIN | MOSFET 漏源电压 | -0.3 ~ 550 | V |
| VFB | FB 引脚电压 | -0.3 ~ 30 | V |
| VGND | GND 到 IC-GND 电压 | -600 ~ 0.3 | V |
| VOUT | VOUT 引脚电压 | -600 ~ 30 | V |
| PDMAX | 最大功耗 | 0.86 | W |
| θJA | 热阻 | 145 | ℃/W |
| TJ | 工作结温 | -40 ~ 150 | ℃ |
| TSTG | 储存温度 | -55 ~ 150 | ℃ |
关键电气参数 (Ta=25℃)
| 符号 | 描述 | 条件 | 典型值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| VFB | FB 调制电压 | - | 5.50 | V |
| fs_MAX | 最大开关频率 | - | 45 | kHz |
| fs_MIN | 最小开关频率 | - | 0.7 | kHz |
| ILIMIT_MAX | 最大限流值 | - | 280 | mA |
| ILIMIT_MIN | 最低限流值 | - | 110 | mA |
| tLEB | 前沿消隐 | - | 230 | ns |
| RDS_ON | 导通电阻 | IDS=100mA | 27~35 | Ω |
| VFL | 续流管正向压降 | IF=200mA | 0.8~1.6 | V |
| TRR1 | 续流管反向恢复 | - | 35 | ns |
| VFB_OLP | 过载保护电压 | - | 2.6 | V |
| TOTP | 过温保护 | - | 150 | ℃ |
6. 典型应用电路

图3. CXAC85277DF 典型 Buck 应用电路
电路组成:交流输入经整流桥和 π 型滤波 → DRAIN 接母线 → 电感连接在 DRAIN 与 VOUT 之间 → VOUT 接输出电容正端 → GND 接输出电容负端 → IC-GND 接母线电容负端。FB 引脚悬空。推荐电感 1mH,输出电容 220μF。
7. 设计指导
开关频率与电感选择
CXAC85277DF 推荐开关频率为 22kHz。13.5V/70mA 应用下,最大限流值下限 250mA,输出电流 70mA < 0.5×250=125mA,可按 DCM 模式设计。推荐选用 1mH 工字电感,该电感值同时满足空载约束 L ≥ tLEB×(VIN_MAX-VOUT)/ILIMIT_MIN 和续流约束 L ≥ VOUT×7μs/ILIMIT_MIN。效率要求不高时可适当提高频率至 30~35kHz,选用更小电感。
输出电容与假负载
输出电容推荐 220μF 低 ESR 电解电容。空载时需 1~3mA 假负载。如需改善可靠性,可在 VOUT 与 GND 之间靠近引脚放置 100nF 贴片电容。
8. PCB Layout 设计指南
- VOUT 与 FB:VOUT 和 FB 引脚应避免铺铜,远离母线电压和输出电感,防止反馈信号受干扰。
- IC-GND 散热:IC-GND 可铺铜散热,但为电压动点,铺铜面积应尽量小,远离交流输入端。
- DRAIN 散热:DRAIN 为电压静点,建议铺铜提高散热能力。DRAIN 与其他引脚走线保持足够间距。
- 功率环路:母线电容、内置 MOSFET、内置续流二极管构成的回路面积应最小化。续流二极管、电感、输出电容构成的回路也需最小化。
- 电感布局:输出电感建议远离 VOUT 和 FB 引脚,同时远离交流输入端。
技术支持:嘉泰姆电子提供 CXAC85277DF 完整参考设计(13.5V Buck 方案)、电感选型指南及 PCB 布局文件。如需一对一技术支持,请通过以下方式联系:
邮件:ouamo18@jtm-ic.com | 致电:13823140578 | 在线技术支持中心

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