CXAC85278D 集成VCC电容与续流二极管的非隔离恒压驱动芯片
内置续流管 · 无需VCC电容 · 固定5V输出 · 待机功耗≤50mW · SOP-7封装
更新时间:2026年4月 | 产品型号:CXAC85278D | 嘉泰姆电子 (JTM-IC)
嘉泰姆电子(JTM-IC)推出的CXAC85278D 是一款超高集成度的开关电源驱动芯片,适用于全电压范围 85~265VAC 输入的 Buck、Buck-Boost 等非隔离变换器拓扑。这颗芯片将传统方案中需要多个分立元件实现的功能全部集成在一颗 SOP-7 封装内:内部不仅集成了 650V 高压 MOSFET、VCC 电容和输出电压采样电阻,还集成了 续流二极管和反馈二极管。这意味着用户在 PCB 上不再需要放置续流二极管和反馈二极管——VOUT 引脚直接输出电压,GND 引脚直接接地,外围仅需电感、输出电容和假负载电阻。固定输出 5V/100mA,待机功耗低至 ≤50mW@230VAC。内置输出短路、过载、过压、反馈开路及过温保护,特别适合小家电、电机驱动、IoT 智能家居等对体积和成本极度敏感的 5V 辅助电源应用。
1. 产品概述与核心优势
CXAC85278D 是目前集成度最高的 5V 非隔离辅助电源方案之一。它最大的突破在于将续流二极管和反馈二极管都做进了芯片内部——VOUT 引脚内部连接反馈二极管阳极,输出电压通过内置分压电阻直接反馈到控制环路;GND 引脚内部连接续流二极管阳极,电感电流通过内部通路续流。对工程师而言,省去的不仅是两颗二极管,更是对续流二极管反向恢复特性的选型烦恼(内置续流管 trr=35ns)。内部 650V MOSFET 导通电阻 35~45Ω,配合多模式 PWM/PFM 控制,满载时 45kHz PFM 运行,轻载降频至 1.2kHz,使 230VAC 下的待机功耗降至 50mW 以内。FB 引脚内部完成全部采样和补偿,外部无需连接任何元件。VOUT 悬空或短路均可触发保护,1s 后自动重启。由于输出功率只有 0.5W,即使适当提高开关频率至 30~35kHz 也不会造成芯片严重发热,设计灵活度较高。
2. 主要特点与技术亮点
- 内部集成 VCC 电容,无需任何外部 VCC 电容
- 内部集成续流二极管(650V/500mA,trr=35ns)和反馈二极管(650V/500mA)
- 内部集成 650V 高压 MOSFET,导通电阻典型值 35~45Ω
- 集成高压启动与自供电电路,无需辅助绕组或启动电阻
- 固定 5V 输出,内部集成采样电阻,无需外部反馈分压电阻
- 待机功耗 ≤50mW@230VAC,满足六级能效
- 多模式控制:满载 45kHz PFM,中载 22kHz PWM,轻载降频至 1.2kHz
- 频率调制技术改善 EMI,降幅调制技术降低音频噪声
- 内置软启动,限流阶梯上升(50% → 75% → 100%)
- 输出短路保护:FB < 1V 持续 512 周期触发
- 输出过载保护:FB < 2.75V 持续 2048 周期触发
- 输出过压保护:FB > 6.5V 持续 2 周期触发
- 反馈开路保护:VOUT 悬空或短路到地均可触发
- 自动重启:保护后间隔 1s 自动恢复
- 迟滞过温保护:145℃ 关断,40℃ 迟滞
- SOP-7 封装,体积紧凑,外围元件极少
3. 引脚封装与说明
CXAC85278D 采用 SOP-7 封装,引脚定义如下:
| 管脚号 | 管脚名称 | 描述 |
|---|---|---|
| 1 | VOUT | 输出电压端,内置反馈二极管阳极,直接连接输出电容正端 |
| 2 | GND | 输出电压参考地,内置续流二极管阳极,连接输出电容负端 |
| 3 | NC | 无连接,悬空 |
| 4 | DRAIN | 内置 MOSFET 漏极,接输入直流母线,同时提供自供电电流 |
| 5、6 | IC-GND | 芯片地,内置 MOSFET 源极,内置续流二极管阴极 |
| 8 | FB | 反馈电压采样端,内置反馈二极管阴极,外部无需连接 |

图1. CXAC85278D 引脚封装图 (SOP-7)
[ 封装外形示意图 ] 详细尺寸请参见数据手册机械图部分。

4. 内部功能框图与工作原理

图2. CXAC85278D 内部功能框图
[ 内部功能模块 ] 包含高压自供电、内置 VCC 电容、650V MOSFET、续流二极管、反馈二极管、电流采样、电压反馈、PWM/PFM 控制器、保护逻辑等。
高压启动与自供电
CXAC85278D 集成高压启动与自供电电路,无需外部 VCC 电容。系统上电后,母线电压上升,当 DRAIN 引脚电压达到最小启动电压 40V 时,内部高压启动电路对内置 VCC 电容充电。当 VCC 电压达到启动阈值约 11V 时,芯片开始工作。MOSFET 关断期间,自供电电路通过 DRAIN 引脚持续为内置 VCC 电容供电。当 VCC 电压降至约 5V 时触发欠压保护。
软启动与输出电压采样
芯片内置软启动功能,起始限流值为最大限流值的 50%,32 个开关周期后升至 75%,再持续 32 个周期后升至 100%。输出电压通过 VOUT 引脚经内置反馈二极管到达 FB 引脚,FB 电压经内部电阻分压后与基准电压运算实现恒压控制。采样仅在续流 3μs 时进行,电感续流时间需大于 7μs。
多模式控制
重载条件下芯片工作在 PFM 模式,限流点保持最大值 200mA 不变,开关频率随负载增加而升高,最高 45kHz。负载减轻后频率降至约 22kHz,芯片进入 PWM 模式,频率保持 22kHz 不变,限流点随负载减小而降低至最低 80mA。极轻载时再次进入 PFM 模式,频率降至空载时的 1.2kHz。推荐开关频率为 22kHz,效率要求不高时可适当提高至 30~35kHz。
保护功能
芯片通过 FB 引脚检测输出状态:FB 低于 1V 持续 512 周期触发短路保护;FB 低于 2.75V 持续 2048 周期触发过载保护;FB 高于 6.5V 持续 2 周期触发过压保护。VOUT 悬空也可触发保护。保护后 1s 自动重启。过温保护 145℃ 关断,40℃ 迟滞。
5. 极限参数与电气特性
设计时需确保不超过极限参数。工作结温范围 -40℃ ~ 150℃。
极限参数表
| 符号 | 参数 | 范围 | 单位 |
|---|---|---|---|
| VDRAIN | MOSFET 漏源电压 | -0.3 ~ 650 | V |
| VFB | FB 引脚电压 | -0.3 ~ 30 | V |
| VGND | GND 到 IC-GND 电压 | -600 ~ 0.3 | V |
| VOUT | VOUT 引脚电压 | -600 ~ 30 | V |
| PDMAX | 最大功耗 | 0.86 | W |
| θJA | 热阻 | 145 | ℃/W |
| TJ | 工作结温 | -40 ~ 150 | ℃ |
| TSTG | 储存温度 | -55 ~ 150 | ℃ |
关键电气参数 (Ta=25℃)
| 符号 | 描述 | 条件 | 典型值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| VFB | FB 调制电压 | - | 5.35 | V |
| fs_MAX | 最大开关频率 | - | 45 | kHz |
| fs_MIN | 最小开关频率 | - | 1.2 | kHz |
| ILIMIT_MAX | 最大限流值 | - | 200 | mA |
| ILIMIT_MIN | 最低限流值 | - | 80 | mA |
| tLEB | 前沿消隐 | - | 240 | ns |
| RDS_ON | 导通电阻 | IDS=100mA | 35~45 | Ω |
| Vf1 | 续流管正向压降 | IF=200mA | 0.75~1.25 | V |
| TRR1 | 续流管反向恢复 | - | 35 | ns |
| VFB_OLP | 过载保护电压 | - | 2.75 | V |
| TOTP | 过温保护 | - | 145 | ℃ |
6. 典型应用电路

图3. CXAC85278D 典型 Buck 应用电路
电路组成:交流输入经整流桥和 π 型滤波 → DRAIN 接母线 → 电感连接在 DRAIN 与 VOUT 之间 → VOUT 接输出电容正端 → GND 接输出电容负端 → IC-GND 接母线电容负端。FB 引脚悬空。外围仅需电感、输出电容和假负载电阻。推荐电感 1.2mH 工字电感,输出电容 220μF 电解电容。
7. 设计指导
开关频率与电感选择
CXAC85278D 推荐开关频率为 22kHz。5V/100mA 应用下,最大限流值下限 180mA,输出电流 100mA < 0.5×180=90mA 时按 DCM 设计,反之按 CCM。推荐选用 1.2mH 工字电感,该电感值同时满足空载约束 L ≥ tLEB×(VIN_MAX-VOUT)/ILIMIT_MIN 和续流约束 L ≥ 5V×7μs/80mA。对效率要求不高的场景可适当降低电感量并提高开关频率至 30~35kHz。
输出电容与假负载
输出电容推荐 220μF 低 ESR 电解电容。空载时需 1~3mA 假负载。如需改善可靠性,可在 VOUT 与 GND 之间靠近引脚放置 100nF 贴片电容。
8. PCB Layout 设计指南
- VOUT 与 FB:VOUT 和 FB 引脚应避免铺铜,远离母线电压和输出电感,防止反馈信号受干扰。
- IC-GND 散热:IC-GND 可铺铜散热,但为电压动点,铺铜面积应尽量小,远离交流输入端。
- DRAIN 散热:DRAIN 为电压静点,建议铺铜提高散热能力。DRAIN 与其他引脚走线距离需大于 1.5mm。
- 功率环路:母线电容、内置 MOSFET、内置续流二极管构成的回路面积应最小化。续流二极管、电感、输出电容构成的回路也需最小化。
- 电感布局:工字形电感为开放磁路,需远离 VOUT 和 FB 引脚,同时远离交流输入端。
技术支持:嘉泰姆电子提供 CXAC85278D 完整参考设计(5V Buck/Buck-Boost 方案)、电感选型指南及 PCB 布局文件。如需一对一技术支持,请通过以下方式联系:
邮件:ouamo18@jtm-ic.com | 致电:13823140578 | 在线技术支持中心

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