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CXLD64440 150mA LDO稳压器 | 带PGOOD电源良好指示 | 3V-5.5V输入 | SOT-23-5 - 嘉泰姆电子
| 产品型号： | CXLD64440 |
| 产品类型： | LDO线性稳压器 |
| 产品系列： | 线性稳压器单通道输出 |
| 产品状态： | 量产 |
| 浏览次数： | 7 次 |
产品简介
技术参数
| 输入电压范围 (VIN) | 3 - 5.5V |
|---|---|
| 输出电压 (VOUT) | 1.2~1.8V |
| 输出电流 (IOUT) | 150mA |
| 工作频率 | 1000kHz |
| 转换效率 | 95% |
| 封装类型 | SOT-25 |
| Dropout voltage | 400 @ 3A |
| Quiescent current | 160 |
| Psrr. | 60dB@1kHz |
| Noise | 30μVRMS |
| Protection | 过流/过温 |
| Features | Enable Input;Low Dropout;OCP;Output Discharge;Power Good;Stable with Ceramic Capacitor |
| Application | 线性稳压器单通道输出 |
| Temperature range | -40℃~125℃ |
| Output capacitor | Ceramic |
| Precision | ±2% |
| Bias Rail | Yes |
| Charge Pump | Yes |
| Output Adj. Method | Fixed |
产品详细介绍
CXLD64440 150mA LDO稳压器
带PGOOD电源良好指示 | 3V-5.5V输入 | 低静态电流160μA
产品版本：Rev 1.0 | 更新日期：2026年7月 | 型号：CXLD64440 | 封装：SOT-23-5
技术咨询：ouamo18@jtm-ic.com 或致电 13823140578 (嘉泰姆电子)
嘉泰姆电子（JTM-IC）推出的 CXLD64440 是一款低压差线性稳压器，可提供高达 150mA 的输出电流。器件支持 3V 至 5.5V 的输入电压，输出电压精度 ±2%。CXLD64440 集成了 电源良好（PGOOD） 指示功能，开漏输出可监测输出电压状态，并提供 2ms（典型） 延迟，适合处理器上电时序控制。采用 内部 PMOS 调整管，静态电流典型值仅 160μA，与负载和压差无关。器件内置 使能控制（EN）、电流限制、过温保护 和 欠压锁定（UVLO）。CXLD64440 稳定于 低 ESR 陶瓷电容（≥1μF），采用 SOT-23-5 小型封装，适用于笔记本电脑、处理器上电时序管理等应用。
1. 产品概述与市场定位
在笔记本电脑、便携设备以及多电源域系统中，电源轨的上电时序和状态监控至关重要。CXLD64440 通过 PGOOD 引脚 向系统提供输出电压就绪信号，确保处理器、FPGA 等器件在核心电压稳定后才开始工作，避免上电时序混乱导致系统启动失败。器件 160μA 的低静态电流 和 关断模式下接近零的漏电流，有助于延长电池寿命。CXLD64440 采用 PMOS 调整管，无需基极驱动电流，在压差和轻载下均保持低功耗。内置 欠压锁定（UVLO） 防止输入过低时误动作，电流限制 和 过温保护 确保器件在故障条件下安全。CXLD64440 是成本敏感型应用中带电源良好指示的 LDO 理想选择。
2. 主要特点与技术亮点
- 电源良好（PGOOD）：开漏输出，当输出电压达到标称值的 90% 以上并经过 2ms 延迟后，PGOOD 释放（高阻）；当输出跌落、限流、过温或关断时，PGOOD 拉低，为系统提供清晰的状态指示。
- 低静态电流：典型值 160μA，不受负载和压差影响，适合电池供电的待机应用。
- 使能控制：EN 高电平使能，低电平关断，关断电流小于 1μA，便于电源管理。
- 高精度：输出电压精度 ±2%（25mA 负载），负载调整率优于 3%，线性调整率 ±0.3%。
- 稳定于低 ESR 电容：输出端 ≥1μF 陶瓷电容（ESR > 5mΩ）即可稳定工作，节省空间和成本。
- 内置保护：电流限制（典型 300mA），过温关断（140°C，迟滞 20°C），欠压锁定（UVLO）防止输入电压过低。
- 小型封装：SOT-23-5 超小封装，适合高密度 PCB 布局。
- 上电无过冲：内部设计限制启动过冲，确保输出电压平稳上升。
3. 引脚配置与功能描述
图1. CXLD64440 引脚封装图（SOT-23-5）
（此处预留封装外形及引脚排列示意图位置，编辑时可替换为实际封装图纸）
引脚 1=VIN，2=GND，3=EN，4=PGOOD，5=VOUT
| 引脚号 | 名称 | 功能描述 |
|---|---|---|
| 1 | VIN | 电源输入（3V~5.5V），需靠近放置 ≥1μF 陶瓷电容。 |
| 2 | GND | 地，需连接至大面积铜箔以改善散热。 |
| 3 | EN | 使能（高有效），高电平（>2.0V）使能，低电平（<0.8V）关断，不可悬空。 |
| 4 | PGOOD | 电源良好指示，开漏输出，需外接上拉电阻（如 10kΩ~100kΩ）至逻辑电源（≤5.5V）。 |
| 5 | VOUT | 稳压输出，需靠近放置 ≥1μF 陶瓷电容（有效容值需满足稳定性要求）。 |
4. 电气特性（设计参考）
| 符号 | 参数 | 最小值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| VIN | 输入电压 | -0.3 | 7 | V |
| EN, PGOOD | 逻辑引脚电压 | -0.3 | 7 | V |
| PD | 功耗（SOT-23-5, TA=25°C） | — | 0.4 | W |
| θJA | 热阻（SOT-23-5） | — | 250 | °C/W |
| TJ | 结温范围 | -40 | 110（推荐） | °C |
| TSTG | 存储温度 | -65 | 150 | °C |
| ESD (HBM) | 人体模型 | — | 2 | kV |
| 参数 | 最小值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 输入电压（VIN） | 3.0 | 5.5 | V |
| 输出电压（固定版本） | 预设值（如1.2V、1.5V、1.8V、2.5V、3.3V等） | — | V |
| 输出电流 | 0 | 150 | mA |
| 结温范围 | -40 | 110 | °C |
| 参数 | 测试条件 | 典型值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 输出电压精度 | IOUT=25mA | ±1.5（最大±2） | % |
| 电流限制 | RLOAD=1Ω | 300（最小160） | mA |
| 静态电流（IQ） | IOUT=0mA | 160（最大250） | μA |
| 线性调整率 | VIN=3V~5.5V, IOUT=0.1mA | ±0.3（最大） | % |
| 负载调整率 | IOUT=0.1mA~150mA | 1.5（最大3） | % |
| EN 低电平阈值 | 关断 | 0.8（最大） | V |
| EN 高电平阈值 | 使能 | 2.0（最小） | V |
| 关断电流 | EN=GND | 0.01（最大1） | μA |
| PGOOD 低阈值（输出跌落） | VOUT 降至标称值的 85% 以下 | 85 | % |
| PGOOD 高阈值（输出正常） | VOUT 达到标称值的 90% 以上 | 90 | % |
| PGOOD 延迟时间 | 从 VOUT 正常到 PGOOD 释放 | 2 | ms |
| PGOOD 输出低电平 | IOL=2mA, RDSON≤75Ω | <0.15 | V |
| 过温关断阈值 | — | 140 | °C |
| 过温迟滞 | — | 20 | °C |
5. 典型应用电路
CXLD64440 典型应用包括输入电容、输出电容、PGOOD上拉电阻，EN可由逻辑控制或接VIN常开。
图2. CXLD64440 典型应用电路（含PGOOD上拉）
图3. CXLD64440 内部功能方框图
内部集成：基准源、误差放大器、PMOS调整管、使能逻辑、UVLO、电流限制、过温保护、PGOOD比较器及延迟电路。
| 位号 | 描述 | 推荐值 | 备注 |
|---|---|---|---|
| CIN | 输入陶瓷电容（X7R/X5R） | ≥1μF（10V） | 靠近VIN引脚 |
| COUT | 输出陶瓷电容（X7R/X5R） ESR > 5mΩ |
≥1μF（推荐2.2μF） | 低温下需增大 |
| RPG | PGOOD上拉电阻 | 10kΩ~100kΩ | 接逻辑电源（≤5.5V） |
6. 工作原理与设计指导
6.1 使能（EN）与关断
EN 高电平（>2.0V）使能，低电平（<0.8V）关断，关断电流低于 1μA。EN 不可悬空，若不使用需接 VIN。
6.2 电源良好（PGOOD）
开漏输出，需外接上拉电阻。当 VOUT 达到标称值的 90% 以上并持续 2ms（典型）后，PGOOD 释放（高阻）；当 VOUT 跌落至 85% 以下、发生限流、过温或关断时，PGOOD 拉低。可用于系统复位或上电时序控制。
6.3 电流限制与过温保护
限流典型值 300mA，最小 160mA，确保过载安全。过温关断阈值 140°C，迟滞 20°C，在故障条件下自动恢复。
6.4 压差与功耗
压差由内部 PMOS RDS(ON) 决定，典型值约为 1Ω~2Ω（取决于版本）。功耗 PD = (VIN - VOUT)×IOUT，需保证结温不超过 110°C（推荐）。
6.5 输出电容与稳定性
输出端 ≥1μF 陶瓷电容（ESR > 5mΩ）即可稳定。在低温或大容值衰减时，建议使用 2.2μF 或更大。避免使用超低 ESR（<5mΩ）的陶瓷电容，以免引起振荡。
7. 应用信息与设计指导
7.1 输入/输出电容选型
推荐 X7R/X5R 陶瓷电容，输入 ≥1μF，输出 ≥1μF（有效容值需考虑 DC 偏压和温度）。若使用钽电容，需确保其浪涌电流能力。
7.2 负载瞬态响应
负载突变时输出尖峰幅度与输出电容的 ESR 和 ESL 相关。增大电容、降低 ESR 可改善瞬态响应。
7.3 反向电流保护
内部 PMOS 体二极管在 VOUT > VIN 时可能导通，若应用可能出现此情况，建议在 VIN 与 VOUT 间并联肖特基二极管（如 0.3V@100mA），限制压降。
7.4 热设计
SOT-23-5 封装 θJA=250°C/W，25°C 时最大功耗 0.4W。实际功耗需保证结温 ≤110°C，必要时增大铜箔散热面积。
7.5 PCB 布局建议
- 输入输出电容紧靠 IC 引脚，走线宽短。
- GND 引脚连接大面积地平面，改善散热。
- PGOOD 上拉电阻靠近 IC，走线远离噪声源。
- EN 信号避免长走线，防止噪声误触发。
图4. CXLD64440 PCB 布局参考（SOT-23-5）
（此处预留布局示意图位置，编辑时可替换为实际布局图纸）
8. 订购信息与技术支持
CXLD64440 提供 SOT-23-5 封装，多种固定输出电压（1.2V、1.5V、1.8V、2.5V、3.3V 等），产品符合 RoHS 标准。嘉泰姆电子提供工程样品、评估板、参考设计及 FAE 技术支持，助力客户快速完成带 PGOOD 功能的 LDO 电源设计。
技术邮件: ouamo18@jtm-ic.com | 技术热线: 13823140578
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