CXSD61120 超低静态电流同步降压转换器 | 60nA | 16档可编程输出 | STOP/FAULT - 嘉泰姆电子

CXSD61120 超低静态电流同步降压转换器 | 60nA | 16档可编程输出 | STOP/FAULT - 嘉泰姆电子

产品型号:CXSD61120
产品类型:DC-DC转换器
产品系列:开关稳压器降压 (Buck) 转换器
产品状态:量产
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产品简介

CXSD61120 是一款超低静态电流(60nA)同步降压转换器,输入电压1.8V-5.5V,支持16档可编程输出电压(通过RSEL电阻设置),输出电流最高1.5A,采用RBCOT控制,内置STOP/FAULT功能,过流/过温/欠压保护,提供XWL-CSP和WDFN超小封装。嘉泰姆电子提供完整方案。

技术参数

输入电压范围 (VIN)1.8V~5.5V
输出电压 (VOUT)0.5V~4V
输出电流 (IOUT)1.5A
工作频率1500kHz
转换效率95%
封装类型XWL-CSP0.96x1.245-6(BSC);WDFN2x1.5-8JA(FC)
Topology开关稳压器降压 (Buck) 转换器
Control methodResistor
Switching frequency2700kHz~3000kHz
Protection过流/过压/过温
FeaturesEnable Input;Internal Compensation;OCP;OTP;SCP;Selectable (PSM or PWM)
Application开关稳压器
Operating temp-40℃~125℃
Precision±1%
Ron HS (typ) (mOhm)120
Ron LS (typ) (mOhm)50
Iq (typ) (mA)0.00006
InterfaceRESL
Current Limit (typ) (A)1.2;2.04;2.4
Number of Outputs1

产品详细介绍

CXSD61120 超低静态电流同步降压转换器
60nA静态电流 | 16档可编程输出 | STOP/FAULT | 最高1.5A输出

产品版本:Rev 1.0 | 更新日期:2026年8月 | 型号:CXSD61120 | 封装:XWL-CSP-6B 0.96×1.245 / WDFN-8JAL 2×1.5(FC)

嘉泰姆电子(JTM-IC)推出的 CXSD61120 是一款超低静态电流的同步降压DC/DC转换器,典型静态电流仅 60nA,关断电流低至 25nA,是电池供电和手持设备的理想选择。芯片支持 1.8V 至 5.5V 的宽输入电压,通过RSEL引脚外接一颗电阻即可在 16档可编程输出电压 中选择(覆盖0.5V至4V),无需复杂的反馈分压网络,简化设计并减少元件数量。负载电流能力最高 1.5A(根据型号可选0.75A/1.2A/1.5A),满足多种应用需求。

CXSD61120 采用 基于纹波的恒定导通时间(RBCOT) 控制架构,提供快速的负载和线性瞬态响应,优化了宽负载和输出电容范围内的性能。轻载时自动进入 脉冲频率调制(PFM) 模式,在1μA负载下效率高达80%,显著延长电池寿命。芯片还提供 STOP 引脚(WDFN封装)可临时停止开关以减少噪声,以及 FAULT 开漏输出用于故障指示。内置 输出放电过流保护(OCP)过温保护(OTP)欠压锁定(UVLO),并支持 自动旁路模式(120nA静态电流),确保系统安全可靠。CXSD61120 提供超小型 XWL-CSP-6B 0.96×1.245mmWDFN-8JAL 2×1.5mm(FC) 两种封装,是智能手表、资产追踪器、可穿戴设备、物联网传感器等超低功耗应用的理想电源解决方案。

核心优势: 60nA超低静态电流 | 25nA关断电流 | 1.8V-5.5V宽输入 | 16档可编程输出 | RBCOT控制 | PFM高效轻载 | STOP/FAULT功能 | 最高1.5A输出 | 过流/过温/欠压保护 | 超小XWL-CSP/WDFN封装。

1. 产品概述与市场定位

在智能穿戴设备、资产追踪器、物联网传感器、智能电表等电池供电产品中,极低的待机功耗和小型化设计是核心诉求。CXSD61120 作为一款 超低功耗同步降压转换器,其核心价值在于 极低的自身功耗、灵活的电压配置和超小封装。60nA的典型静态电流和25nA的关断电流使得器件在待机或休眠模式下几乎不消耗电池能量,显著延长设备续航时间。宽输入电压范围(1.8V-5.5V)完美适配单节锂离子/锂聚合物电池、纽扣电池以及USB电源,可为MCU、传感器、蓝牙模块、显示屏等提供稳定的供电。

芯片通过 RSEL 引脚外接单颗电阻即可在 16种预设输出电压 中选择(覆盖0.5V至4V),无需外部反馈电阻分压,不仅减少了元件数量,还降低了PCB面积和设计复杂度。RBCOT控制架构保证了快速的瞬态响应,支持低ESR陶瓷输出电容。PFM模式在轻载时通过降低开关频率显著提高效率(1μA负载下效率达80%),而STOP引脚可强制暂停开关,提供无噪声的电源轨,适合对噪声敏感的应用。FAULT引脚则实时报告故障状态,便于系统管理。CXSD61120 提供两种超小封装:XWL-CSP-6B 0.96×1.245mm 和 WDFN-8JAL 2×1.5mm(FC),整体解决方案面积极小,是空间受限应用的理想选择。

2. 主要特点与技术亮点

超低静态电流60nA(工作),25nA(关断)
宽输入电压1.8V 至 5.5V
16档可编程输出单电阻设置,无需外部反馈分压
高输出电流最高1.5A(可选0.75A/1.2A/1.5A)
RBCOT控制快速瞬态响应,内部补偿
PFM高效轻载1μA负载效率高达80%
STOP/FAULT功能暂停开关 / 故障指示
超小封装XWL-CSP / WDFN(FC)
  • 16档可编程输出电压:通过RSEL引脚外接电阻(E96系列1%精度),可从16种预设电压中选择,覆盖0.5V至4V(多组范围可选),无需外部反馈分压电阻,简化设计并减少BOM。
  • 超低静态电流(60nA):在轻载或待机模式下,芯片自身消耗极低,配合PFM省电模式,可显著提升电池供电设备的续航时间。关断电流仅25nA。
  • RBCOT控制架构:内部补偿,无需外部补偿网络,支持低ESR陶瓷输出电容,提供快速瞬态响应,适合负载突变应用。
  • PFM与自动旁路模式:轻载时自动进入PFM模式,降低开关频率减少损耗;当输入电压接近输出电压时,自动进入旁路模式(Bypass),静态电流仅120nA,进一步降低功耗。
  • STOP功能(WDFN封装):通过STOP引脚可临时强制停止开关,提供无噪声的电源轨,适合对噪声敏感的应用(如射频电路)。停止期间消耗约20μA。
  • FAULT指示(WDFN封装):开漏输出引脚,在OCP、SCP、OTP或UVLO事件发生时拉低,便于系统监控故障状态。
  • 输出放电功能:关断时内部放电电阻快速泄放输出电容残余电压,确保系统安全。
  • 完善保护:逐周期峰值/谷值限流(可编程1.2A/2.04A/2.4A档)、输入欠压锁定(UVLO)、过温保护(OTP,160°C关断,130°C恢复)。
  • 超小封装选择:XWL-CSP-6B 0.96×1.245mm(0.4mm pitch)和WDFN-8JAL 2×1.5mm(FC),适合空间极度受限的穿戴式设备和IoT模块。

3. 输出电压选择(16档可编程)

CXSD61120 通过 RSEL 引脚外接电阻(RSET)选择输出电压,提供多组输出范围(Output-1至Output-5),每组包含16个档位。以下为典型输出组合示例(以Output-2档位为例,覆盖0.8V至1.55V,步长50mV):

输出电压选择示例(Output-2档位,0.8V-1.55V)
档位 VOUT (V) RSEL (kΩ) 档位 VOUT (V) RSEL (kΩ)
0 0.80 0.01 8 1.20 15.8
1 0.85 0.95 9 1.25 21.5
2 0.90 1.81 10 1.30 28.7
3 0.95 2.98 11 1.35 38.3
4 1.00 4.49 12 1.40 52.3
5 1.05 6.28 13 1.45 71.5
6 1.10 8.79 14 1.50 102
7 1.15 11.96 15 1.55 267

其他输出范围(0.5-4V,1.8-3.3V等)的详细电阻值请参考数据手册。RSEL电阻需使用E96系列1%精度,温度系数≤±200ppm/°C。

4. 典型应用电路

CXSD61120 的典型应用电路极为简单:输入电容(4.7μF)、输出电容(10μF)、功率电感(1μH)以及RSEL电阻。EN引脚控制使能,VOUT引脚直接连接负载。WDFN封装版本还提供STOP或FAULT功能引脚。电路原理图如下所示,具体元件参数可参考数据手册推荐表。

CXSD61120 典型应用电路
图1. CXSD61120 典型应用电路(超低静态电流同步降压转换器)

图2. CXSD61120 内部功能方框图
内部集成:P-MOSFET高侧开关、N-MOSFET低侧同步整流器、RBCOT控制器、误差放大器、电流检测、软启动、输出放电、UVLO、过流/过温保护逻辑、RSEL解码器、STOP/FAULT控制等。

5. 极限参数与电气特性(设计参考)

极限参数 (Absolute Maximum Ratings)
符号 参数 最小值 最大值 单位
VIN, VOUT, RSEL, FAULT, EN, STOP 各引脚电压 -0.3 6 V
SW (DC) 开关节点直流电压 -0.3 VIN+0.3 V
SW (AC, <10ns) 开关节点瞬态 -2 7 V
PD @ TA=25°C 最大功耗(XWL-CSP) 1.26 W
PD @ TA=25°C 最大功耗(WDFN-8JAL FC) 0.81 W
θJA 结到环境热阻(XWL-CSP) 79.46 °C/W
θJA 结到环境热阻(WDFN-8JAL FC) 123.73 °C/W
TJ 结温范围 -40 150 °C
TSTG 存储温度 -65 150 °C
ESD (HBM) 人体模型 2 kV
推荐工作条件
参数 最小值 最大值 单位
VIN 输入电压 1.8 5.5 V
输出电流(0.75A型号) 0 0.75 A
输出电流(1.2A型号) 0 1.2 A
输出电流(1.5A型号) 0 1.5 A
电感值 0.7 1.2 μH
输出电容有效值 4.7 26 μF
环境温度 TA -40 85 °C
结温 TJ -40 125 °C
关键电气特性 (VIN=3.6V, TA=25°C,典型值)
参数 条件 典型值 单位
关断电流 EN=0V 25 nA
静态电流(PFM模式) EN=VIN, IOUT=0A, VOUT=1.8V 60 nA
静态电流(旁路模式) VIN=VOUT=3.3V 120 nA
STOP模式电流 STOP=H, VIN=3.6V, VOUT=1.8V 20 μA
UVLO上升阈值 VIN上升 1.73 V
UVLO下降阈值 VIN下降 1.68 V
EN高电平阈值 1.0 V
EN低电平阈值 0.4 V
峰值限流(OCP Select 1) 1.2 A
峰值限流(OCP Select 2) 2.04 A
峰值限流(OCP Select 3) 2.4 A
谷值限流(OCP Select 1) 1.14 A
谷值限流(OCP Select 2) 1.9 A
谷值限流(OCP Select 3) 2.26 A
过温保护阈值 关断 160 °C
过温恢复阈值 恢复 130 °C

6. 工作原理与设计指导

6.1 RBCOT控制与内部补偿

CXSD61120 采用 基于纹波的恒定导通时间(RBCOT) 控制。该架构通过内部生成的纹波信号与反馈电压比较,触发导通时间单稳态,实现快速瞬态响应。内部补偿使得输出电容可选用低ESR的陶瓷电容,简化了设计并降低了BOM成本。

6.2 输出电压选择(RSEL引脚)

RSEL 引脚在启动时检测外接电阻值以确定输出电压档位(16选1)。电阻值需使用E96系列1%精度,温度系数≤±200ppm/°C,范围0.01kΩ~267kΩ。具体对应关系见数据手册表格。检测完成后,RSEL引脚不再消耗额外电流。

6.3 PFM模式与自动旁路

在轻载时,芯片自动进入PFM模式,降低开关频率甚至跳过脉冲,减少开关损耗,提高轻载效率(1μA负载下效率高达80%)。当输入电压接近输出电压时,芯片自动进入旁路模式(Bypass),高侧MOSFET持续导通,静态电流仅120nA,进一步降低功耗。

6.4 STOP与FAULT功能(WDFN封装)

STOP引脚(Option 1)可强制暂停开关:拉高时在当前开关周期结束后停止开关,提供无噪声的电源轨(适合射频等噪声敏感应用);拉低时立即恢复开关,无启动延迟。FAULT引脚(Option 2)为开漏输出,在OCP、SCP、OTP或UVLO事件发生时拉低,便于系统监控。

6.5 保护功能

  • 输入欠压锁定(UVLO):VIN低于约1.68V时关断,高于1.73V时重新启动。
  • 逐周期过流保护:高侧峰值和低侧谷值限流(可选1.2A/2.04A/2.4A档),防止短路或过载损坏。
  • 过温保护(OTP):结温超过160°C时关断,降至130°C后自动恢复。
  • 输出放电:关断时内部放电电阻快速泄放输出电容电压。

7. 基于 CXSD61120 的资产追踪器 1.8V/0.6A 电源设计

设计目标:为资产追踪器主控芯片提供1.8V供电,最大负载电流600mA,输入来自3.7V锂聚合物电池(2.8V-4.2V),要求超低待机功耗和极小占板面积,并需故障指示功能。

  • 系统配置:选用 CXSD61120(WDFN-8JAL封装,FAULT版本),输入电容4.7μF(0402),输出电容10μF(0402),电感1μH(0806)。RSEL电阻根据输出电压选择表选取(Output-2档位,1.8V对应RSEL≈28.7kΩ)。EN由系统PMIC控制,FAULT引脚上拉至VIN,接MCU中断。
  • 功耗与热设计:在3.7V输入、1.8V/0.6A输出时,典型效率约90%。功耗 PD ≈ (1-η) × Pout = 0.1 × 1.08 = 0.108W。WDFN封装在85°C环境下的允许功耗 (125-85)/123.73 ≈ 0.32W,热裕量充足。
  • 待机功耗:当系统进入休眠时,负载电流降至几μA,芯片自动进入PFM模式,静态电流仅60nA,极大延长待机时间。
  • FAULT应用:若输出发生过流或过温,FAULT引脚拉低,MCU可及时响应并执行保护动作。
设计支持: 嘉泰姆电子提供 CXSD61120 评估板、参考设计(原理图、BOM、PCB布局)及 FAE 技术支持,帮助工程师快速完成电源设计。

8. PCB 布局建议

  • 输入/输出电容就近放置:VIN和VOUT的陶瓷电容应靠近芯片引脚,以降低寄生电感,提供良好的去耦效果。
  • 功率回路最小化:VIN → 高侧MOSFET → 电感 → 输出电容 → GND 路径应尽可能短而宽,降低阻抗。
  • LX节点面积控制:SW(LX)节点存在高频电压摆幅,应保持小面积以减少EMI辐射。
  • RSEL电阻走线:RSEL电阻应靠近引脚,走线短且远离高频噪声源,以保证电阻检测精度。
  • STOP/FAULT走线:控制信号和输出走线应短且远离LX节点。
  • 散热焊盘:WDFN封装底部有散热焊盘,需焊接至PCB地平面并添加过孔;CSP封装主要通过球栅和PCB铜箔散热,建议在芯片下方铺地铜并增加过孔帮助散热。

9. 订购信息与技术支持

CXSD61120 提供 XWL-CSP-6B 0.96×1.245mm(BSC)WDFN-8JAL 2×1.5mm(FC) 两种超小封装,无铅、RoHS合规。输出电压档位、限流值和STOP/FAULT功能可根据型号定制,详情请咨询嘉泰姆电子销售。嘉泰姆电子提供工程样品、量产芯片及全面的技术支持,包括评估板、参考设计和FAE现场支持。

图3. CXSD61120 引脚封装图(XWL-CSP-6B 0.96×1.245mm 和 WDFN-8JAL 2×1.5mm FC)
XWL-CSP引脚分布(顶视图):A1: GND, A2: VOUT, B1: VIN, B2: SW, C1: EN, C2: RSEL。
WDFN(Option 1 STOP)引脚分布:1,3: GND, 2: VIN, 4: EN, 5: RSEL, 6: STOP, 7: SW, 8: VOUT, 散热焊盘: GND。
WDFN(Option 2 FAULT)引脚分布:1,3: GND, 2: VIN, 4: EN, 5: RSEL, 6: FAULT, 7: SW, 8: VOUT, 散热焊盘: GND。

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