核心优势： 2A 输出电流 | 2.5V-5.5V 宽输入 | 2.7MHz 高开关频率 | ACOT 超快瞬态响应 | 无需外部补偿 | 100mΩ/80mΩ 低 RDS(ON) | 0.45V 参考电压 | 逐周期过流保护 | 打嗝模式 UVP | 内部软启动 150μs | PGOOD 指示 | WDFN-8SL 2×2 小封装 | 无铅/RoHS 合规。

 

1. 主要特点与技术亮点

• ACOT 控制架构：先进的恒定导通时间控制，实现超快速瞬态响应，无需外部补偿网络，支持低 ESR MLCC 输出电容，减少外部元件数量。
• 高开关频率 2.7MHz：允许使用小型电感和陶瓷电容，显著减小方案尺寸，适合空间受限的便携设备。
• 集成低 RDS(ON) MOSFET：高侧 100mΩ、低侧 80mΩ，降低导通损耗，提升转换效率。
• 0.45V 参考电压：支持低输出电压应用，精度高，适合低压数字核心供电。
• 高低侧 FET 过流保护：逐周期监测高侧和低侧 MOSFET 电流，防止输出短路、过载或电感饱和造成的损坏。
• 内部软启动：150μs 软启动时间，有效抑制启动浪涌电流，支持预偏置输出启动。
• 打嗝模式输出欠压保护：当反馈电压低于 66% 参考电压时，进入打嗝模式，降低短路功耗，故障移除后自动恢复。
• 电源良好指示（PGOOD）：开漏输出，实时监测输出电压状态，可悬空不用。

2. 极限参数与电气特性（设计参考）

符号	参数	最小值	最大值	单位
VIN	电源输入电压	-0.3	6	V
LX	开关节点电压（DC）	-0.3	6	V
LX (<50ns)	开关节点瞬态电压	-2.5	7	V
其他引脚	逻辑/控制引脚	-0.3	6	V
PD	功耗 (TA=25°C)	—	1.538	W
TJ	结温范围	-40	150	°C
TSTG	存储温度	-65	150	°C
ESD (HBM)	人体模型	—	2	kV

参数	最小值	最大值	单位
VIN 输入电压	2.5	5.5	V
TJ 结温范围	-40	125	°C
TA 环境温度	-40	85	°C

参数	条件	典型值	单位
VIN 工作电压范围	—	2.5 – 5.5	V
VOUT 调节范围	—	0.45 – VIN	V
开关频率	—	2.7	MHz
输出电流能力	—	2	A
反馈参考电压	—	0.45	V
反馈电压精度	—	±2	%
高侧导通电阻	—	100	mΩ
低侧导通电阻	—	80	mΩ
静态电流 (IQ)	非开关，VFB=0.5V	30	μA
关断电流 (ISHDN)	EN=0V	≤1	μA
高侧电流限值	峰值	3.2	A
低侧电流限值	谷值	2.4	A
软启动时间	—	150	μs
UVLO 上升阈值	—	2.35	V
UVLO 迟滞	—	400	mV
EN 逻辑高阈值	—	1.0	V
EN 逻辑低阈值	—	0.4	V
过温保护阈值	—	150	°C

3. 引脚功能说明

CXSD61142A 采用 WDFN-8SL 2×2mm 封装，共 8 个引脚，底部带有散热焊盘（Exposed Pad）。该封装在超小尺寸内集成了完整的 2A 降压转换器。

引脚号	引脚名称	功能描述
1	EN	使能控制输入，高电平使能，低电平关断，不可悬空。
2	GND	功率地，需焊接到大面积 PCB 铜区以增强散热。
3	AGND	模拟地，为控制电路和内部参考提供地回路，应靠近器件连接到 GND。
4	FB	反馈电压输入，连接外部反馈电阻分压器中点以设置输出电压。
5	VOS	输出电压检测引脚，用于内部控制环，必须连接到输出端。
6	PGOOD	电源良好指示，开漏输出，输出电压异常时拉低，可悬空。
7	LX	开关节点，连接外部电感。
8	VIN	电源输入，输入电压范围 2.5V~5.5V，需用大容量电容去耦。
Exposed Pad	GND	接地焊盘，必须焊接到 PCB 地平面以散热和降低噪声。

4. 典型应用电路

CXSD61142A 典型应用电路如下图所示，外部仅需输入电容、输出电容、电感和反馈电阻分压器即可构成完整的 2A 同步降压电源方案。建议输入电容 ≥ 10μF（X5R/X7R），输出电容 22μF，电感值根据输出电压选择 0.47μH~1μH。

输出电压通过反馈电阻分压器设置，RFB1 和 RFB2 推荐取值如下表所示（VREF=0.45V）：

VOUT (V)	RFB1 (kΩ)	RFB2 (kΩ)	L (μH)	COUT (μF)
1.2	65.3	39.2	0.47	22
1.8	117.6	39.2	1.0	22
2.5	178.6	39.2	1.0	22
3.3	248.3	39.2	1.0	22

5. 引脚封装图

CXSD61142A 采用 WDFN-8SL 2×2mm 超小型封装，高度低，适合薄型化设计。底部散热焊盘有效改善热性能，θJA 典型值为 65°C/W。

6. 工作原理与设计指导

6.1 ACOT 控制架构

CXSD61142A 采用 先进恒定导通时间（ACOT） 控制架构，提供极快的负载瞬态响应，无需外部补偿网络，支持低 ESR MLCC 输出电容。芯片内部集成虚拟电感电流斜坡发生器，取代传统由输出电容 ESR 提供的斜坡信号，确保与低 ESR 陶瓷电容的稳定工作。当反馈电压（叠加虚拟电感电流斜坡）低于参考电压时，且最小关断时间已超时、电感电流低于电流限制阈值，内部导通时间单稳态电路被触发，高侧 MOSFET 导通。导通时间与输入电压成反比、与输出电压成正比，实现伪固定频率工作，标称频率为 2.7MHz。

6.2 软启动（SS）

芯片内置 150μs 软启动，有效抑制启动浪涌电流。上电时内部电容由电流源充电产生软启动斜坡电压，作为 PWM 比较器参考电压。仅当斜坡电压高于反馈电压 VFB 时，芯片开始开关动作，输出电压平滑上升至目标调节值。支持从预偏置输出平滑启动。

6.3 过流保护（OCP）

芯片提供 高侧和低侧 MOSFET 逐周期过流保护。高侧过流保护通过内部电流比较器监测每个导通周期的高侧开关电流，当超过峰值电流限值（ILIM_H，典型 3.2A）时关断高侧开关。低侧过流保护通过测量同步整流器（低侧开关）的电流实现，当电流超过低侧谷值电流限值（ILIM_L，典型 2.4A）时，抑制导通时间触发直至电感电流降至限值以下。

6.4 打嗝模式输出欠压保护（UVP）

芯片持续监测反馈电压 VFB，当 VFB 降至欠压保护跳变阈值（典型为内部参考电压的 66%）以下时，进入 打嗝模式。芯片自动尝试恢复，若故障消除则恢复正常工作；否则重复自动恢复循环。打嗝模式使电路以低输入电流和低功耗安全运行，过载或短路消除后自动恢复。

6.5 电源良好指示（PGOOD）

PGOOD 为开漏输出，需外接上拉电阻（推荐 100kΩ）至 VIN 或外部 6V 以下电源。当输出电压低于标称值 10% 时，PGOOD 被拉低；电压恢复后自动释放。可悬空不用。

6.6 过温保护（OTP）

芯片包含 过温保护电路，防止因功率耗散过大导致过热。当结温超过热关断阈值（典型 150°C）时，OTP 关断开关操作。结温冷却至迟滞以下后，芯片以完整软启动恢复工作。

7. 应用信息

7.1 电感选择

电感选择需权衡尺寸、成本、效率和瞬态响应。三个关键参数：电感值（L）、饱和电流（ISAT） 和 直流电阻（DCR）。推荐峰峰值纹波电流为 IC 额定电流的 20%~50%。电感值计算公式：

以 1.2V 输出、3.6V 输入、2A 负载为例，选择纹波电流 0.6A（额定电流的 30%）：

电感峰值电流：

建议电感饱和电流额定值 ≥ 芯片开关电流限值（典型 3.2A），以确保瞬态条件下安全。对于 EMI 敏感应用，推荐选用屏蔽型电感。

7.2 输入电容选择

输入电容 CIN 用于滤除高侧 MOSFET 漏极的脉动电流。对于陶瓷电容（低 ESR），最小输入电容估算：

其中 ΔVIN_MAX ≤ 100mV。输入电容 RMS 电流：

建议在 VIN 和 GND 引脚附近放置 ≥ 10μF MLCC 电容（X5R/X7R），并并联 0.1μF 小陶瓷电容以抑制高频噪声。推荐使用 Murata GRM31CR71A106KA01（10μF/1206）等型号。

7.3 输出电容选择

CXSD61142A 针对陶瓷输出电容优化。输出纹波电压由 ESR 纹波和电容纹波组成：

为确保良好瞬态响应，建议 COUT 有效容值 ≥ 22μF，典型应用中使用 22μF 陶瓷电容。陶瓷电容的直流偏置效应会导致有效容值下降，需注意选择适当耐压和封装。

7.4 输出电压设置

通过外部反馈电阻分压器设置输出电压，FB 引脚连接分压器中点。输出电压计算公式：

建议 R2 在 10kΩ~100kΩ 之间，以平衡功耗和噪声抑制。使用 ±1% 或更高精度电阻以保证输出电压精度。

8. PCB 布局建议

• 高电流路径最短化：输入电容 → 高侧 FET → 电感 → 输出电容 的路径应尽可能短而宽，减少寄生电感和电阻。
• 输入电容放置：VIN 旁路电容应紧靠 VIN 和 GND 引脚放置，与 IC 在同一层。建议使用 ≥ 10μF (1206) 并联 0.1μF (0402) 电容。
• LX 节点：高频电压摆幅节点，应保持最小面积，减少 EMI 辐射。反馈网络等模拟元件应远离 LX 节点，避免寄生电容耦合噪声。
• 反馈网络：反馈电阻分压器应放置在输出电容之后，靠近 FB 引脚。FB 引脚走线应短而直，避免与 LX 节点平行。VOS 引脚必须直接连接到输出端。
• 地线处理：AGND 和 GND 应分开走线，在 Exposed Pad 处单点连接。GND 应直接连接到低阻抗地平面，通过宽走线或过孔连接到内层地平面。
• 散热设计：WDFN-8SL 封装底部有散热焊盘，建议在焊盘下方设计多个导热过孔连接至内层地平面，增加铜箔面积以改善散热。θJA 典型值为 65°C/W（四层 1oz 铜测试板）。
• 未用区域覆铜：建议在 PCB 所有层未用区域覆盖铜箔，并连接到 DC 网络（VIN、VOUT、GND 等），以降低温升。

9. 订购信息与技术支持

CXSD61142A 采用 WDFN-8SL 2×2mm 封装，无铅、RoHS 合规，兼容 SnPb 或无铅焊接工艺。嘉泰姆电子提供工程样品、量产芯片及全面的技术支持，包括评估板、参考设计（原理图、BOM、PCB 布局）及 FAE 现场支持。