CXSD61364A / CXSD61364B 3A 高性能同步降压 DC-DC 转换器
2.5V-5.5V 宽输入 | ACOT 控制 | 1.2MHz | 可调软启动

产品版本：Rev 1.0 | 更新日期：2026年8月 | 型号：CXSD61364A / CXSD61364B | 封装：SOT-583 (FC)

嘉泰姆电子（JTM-IC）推出的 CXSD61364A / CXSD61364B 是一款高性能、同步降压 DC-DC 转换器，采用先进的 Advanced Constant On-Time（ACOT）控制架构，可提供高达 3A 的输出电流。芯片支持 2.5V 至 5.5V 的宽输入电压范围，输出电压可调（最低 0.6V），内部基准电压 0.6V ±1.5%（-40°C 至 +125°C 结温范围），并集成了低 RDS(ON) 功率 MOSFET（高侧 65mΩ，低侧 35mΩ），提供紧凑的 SOT-583（FC）封装解决方案。

CXSD61364A/B 采用 ACOT 控制架构，提供超快速瞬态响应和良好的稳定性，仅需少量外部元件即可工作，并在输入电压、负载和输出电压范围内保持 1.2MHz 恒定开关频率。芯片支持 自动 PSM/PWM 模式，在轻载时自动进入省电模式，维持高效率，静态电流低至 21μA（典型值）。芯片提供 可编程软启动（外部电容）、使能控制、电源良好指示（PG），并集成了 逐周期过流保护、输入欠压/过压锁定（UVLO/OVLO）、输出欠压/过压保护（UVP/OVP）、Hiccup 模式短路保护 和 过温保护（OTP），确保系统安全可靠运行。CXSD61364A 和 CXSD61364B 的区别在于输出放电电阻：A 版本为 150Ω，B 版本为 5Ω，以适应不同的放电速度需求。该系列采用超小型 SOT-583（FC） 封装，是可穿戴设备、便携设备、DDR 内存、固态硬盘（SSD）、平板电脑、OTT 和家庭娱乐设备的理想选择。

1. 产品概述与市场定位

在可穿戴设备、便携电子、DDR 内存、固态硬盘（SSD）、平板电脑、超移动 PC、低电压 I/O 系统以及 OTT 和家庭娱乐设备等应用中，系统需要从 3.3V 或 5V 总线获取稳定的低压大电流电源，同时要求小尺寸、高效率和低待机功耗。CXSD61364A/B 作为一款 3A 级高性能同步降压 DC-DC 转换器，凭借 ACOT（Advanced Constant On-Time）控制架构，提供超快速瞬态响应，同时保持 1.2MHz 恒定开关频率，简化 EMI 滤波器设计。

芯片的 宽输入电压范围（2.5V-5.5V） 使其兼容 3.3V 和 5V 电源总线，输出电压可调范围为 0.6V 至 3.3V，覆盖了从低压核心电压到 I/O 电压的广泛需求。CXSD61364A/B 的 1.2MHz 开关频率 允许使用小尺寸电感和电容，减小 PCB 面积，而 自动 PSM/PWM 模式 在轻载时自动进入省电模式，静态电流仅 21μA，非常适合电池供电的便携设备。

芯片集成完整的保护功能，包括 逐周期高侧/低侧电流限制、输入欠压/过压锁定（UVLO/OVLO）、输出欠压保护（UVP）（Hiccup 模式自动恢复）、输出过压保护（OVP） 和 过温保护（OTP），确保系统在异常条件下安全运行。CXSD61364A/B 采用超小型 SOT-583（FC） 封装，占板面积小，适合高密度 PCB 布局。

2. 产品型号对比

CXSD61364A 和 CXSD61364B 的主要区别在于输出放电电阻，以适应不同的系统放电速度需求：

型号	输出放电电阻	其他特性
CXSD61364A	150Ω（典型值）	标准放电速度
CXSD61364B	5Ω（典型值）	快速放电

3. 主要特点与技术亮点

• ACOT 控制架构：专有的 Advanced Constant On-Time 控制，提供超快瞬态响应，支持陶瓷输出电容，仅需少量外部元件。
• 1.2MHz 恒定开关频率：高频操作允许使用小尺寸电感和电容，减小 PCB 面积，适合空间受限的应用。
• 自动 PSM/PWM 模式：轻载时自动进入省电模式，维持高效率，静态电流低至 21μA，延长电池寿命。
• 100% 占空比操作：支持最低压差操作，输入电压接近输出电压时保持输出稳定。
• 可调软启动（SS）：外部电容可编程软启动时间，有效限制启动浪涌电流，支持预偏置启动。
• 电源良好指示（PG）：开漏 PG 输出提供电源状态指示，支持系统上电时序监控。
• 逐周期过流保护：高侧和低侧 MOSFET 均具备逐周期电流限制，防止输出短路、过流或电感饱和造成损坏。
• 输入 OVLO 保护：输入过压保护（6.1V 典型值）防止输入电压过高损坏芯片。
• Hiccup 模式 UVP：输出欠压时进入 Hiccup 模式，自动尝试恢复，降低故障功耗。
• 输出主动放电：关断时通过内部放电电阻快速泄放输出电容能量（A 版 150Ω，B 版 5Ω），确保安全关断。

4. 典型应用电路

CXSD61364A/B 的典型应用电路包含输入电容 CIN、输出电容 COUT、功率电感 L、反馈电阻分压网络（RFB1/RFB2）、软启动电容 CSS 以及可选的前馈电容 CFF。芯片的 VIN 引脚连接输入电源，SW 引脚连接电感，VOUT 引脚连接输出电容进行远程电压检测，FB 引脚通过分压电阻设置输出电压，EN 引脚控制使能，SS 引脚外接电容设定软启动时间，PG 引脚提供电源状态指示。

图1. CXSD61364A/B 典型应用电路

5. 极限参数与电气特性

符号	参数	最小值	最大值	单位
VIN	电源输入电压	-0.3	6.5	V
VIN to SW	VIN 至 SW 电压	-0.3	6.5	V
VSW	开关节点电压	-0.3	6.5	V
其他引脚	其他引脚电压	-0.3	6.5	V
PD @ TA=25°C	功耗	—	—	W
θJA	结到环境热阻（JEDEC）	—	113.4	°C/W
θJA(EVB)	结到环境热阻（EVB）	—	66	°C/W
TJ	结温	—	150	°C
TSTG	存储温度	-65	150	°C
ESD（HBM）	人体模型	—	2	kV

参数	最小值	最大值	单位
VIN 输入电压	2.5	5.5	V
输出电压（VOUT）	0.6	3.3	V
结温范围	-40	125	°C

参数	条件	典型值	单位
输入电压范围	—	2.5 – 5.5	V
关断电流（ISHDN）	VEN = 0V，TJ = 25°C	0	μA
静态电流（IQ）	VFB = 0.63V，非开关，TJ = 25°C	21	μA
内部基准电压（VREF）	—	0.6	V
基准精度	-40°C 至 125°C	±1.5	%
高侧 RDS(ON)	VIN = 5V	65	mΩ
低侧 RDS(ON)	VIN = 5V	35	mΩ
开关频率（fSW）	FCCM	1.2	MHz
最小关断时间（tOFF_MIN）	—	80	ns
软启动充电电流（Iss）	0% 至 95% VFB	3	μA
UVLO 上升阈值	VIN 上升	2.3	V
UVLO 下降阈值	VIN 下降	2.1	V
输入 OVLO 阈值	—	6.1	V
OVP 触发阈值	VREF 百分比	115	%
UVP 触发阈值	VREF 百分比	50	%
PG 上升阈值	VFB 上升（良好）	90	%VREF
PG 下降阈值	VFB 下降（故障）	85	%VREF
热关断阈值	—	160	°C
热恢复迟滞	—	30	°C
负电流限制（NOC）	—	-1.5	A
放电电阻（CXSD61364A）	—	150	Ω
放电电阻（CXSD61364B）	—	5	Ω

6. 工作原理与设计指导

6.1 ACOT 控制与开关节点操作

CXSD61364A/B 采用 ACOT 控制架构，提供超快瞬态响应，仅需少量外部元件，并支持低 ESR MLCC 输出电容。当反馈电压低于内部基准电压（0.6V），且最小关断时间（80ns，典型值）超时、电感电流低于电流限制阈值时，内部导通单稳态电路被触发，高侧开关导通。导通时间与输入电压成反比、与输出电压成正比，在输入电压范围内实现伪固定频率（1.2MHz）。导通时间结束后，高侧开关关断，低侧开关导通，直到下一个导通周期被触发。

6.2 自动省电模式（PSM）与强制 PWM 模式

在轻载条件下，芯片自动进入 省电模式（PSM），维持高效率。当负载电流减小，电感电流纹波谷值触及零电流时，零电流检测电路关断低侧开关。负载电流进一步减小时，输出电容放电至需要下一个导通周期的时间延长，开关频率降低并与负载电流成比例，在轻载时维持高效率。芯片默认工作在自动 PSM/PWM 模式，用户也可以通过配置强制 PWM 模式以满足严格电压调节要求。

6.3 使能控制

EN 引脚控制芯片的开启和关断。当 EN 电压低于逻辑低阈值（VEN_F）时，芯片关断，开关停止，即使 VIN 高于 UVLO 阈值。关断模式下供电电流降至 ISHDN（μA 级）。当 EN 电压高于逻辑高阈值（VEN_R）且 VIN 高于 UVLO 阈值时，芯片使能并启动软启动序列。EN 引脚不可悬空。

6.4 软启动（SS）

芯片提供 可编程软启动 功能，通过外部电容 CSS 设定软启动时间。上电时，内部 3μA 电流源为外部电容充电，生成软启动斜坡电压作为 PWM 比较器的参考电压。仅当斜坡电压高于反馈电压 VFB 时，芯片才开始开关，输出电压平滑上升至目标电压，支持预偏置输出启动。软启动时间计算公式：tss = CSS × 0.6V / 3μA。

6.5 最大占空比操作

芯片设计支持接近 100% 占空比 的跌落操作。当工作占空比较大且所需关断时间小于最小关断时间时，芯片启用跳过关断时间功能，高侧开关持续导通，实现接近 100% 的占空比，输出电压接近最小输入电压。

6.6 电源良好指示（PG）

PG 引脚为开漏输出，需外接上拉电阻（推荐 100kΩ）。软启动完成后，PG 由反馈信号 VFB 控制。当 VFB 高于 PG 高阈值（典型值 90% VREF）时，PG 为高阻抗；当 VFB 低于 PG 低阈值（典型值 85% VREF）时，PG 被拉低。保护触发时 PG 也被拉低。

6.7 保护机制

• 逐周期过流保护：高侧和低侧 MOSFET 均具备逐周期电流限制，防止输出短路、过流或电感饱和造成损坏。
• 输入欠压/过压锁定（UVLO/OVLO）：VIN 低于 2.1V 或高于 6.1V 时关断，保护芯片。
• 输出欠压保护（UVP）：VFB 低于 50% VREF 时进入 Hiccup 模式，自动尝试恢复。
• 输出过压保护（OVP）：VFB 超过 115% VREF 时触发，低侧 MOSFET 导通放电，直到输入 OVLO 触发或电压恢复。
• 负电流限制（NOC）：FCCM 模式下防止过大负电流流过低侧 MOSFET。
• 过温保护（OTP）：结温超过 160°C 时关断，温度下降 30°C 后重启。
• 输出主动放电：关断时通过内部放电电阻（A 版 150Ω，B 版 5Ω）快速泄放输出电容能量。

7. 基于 CXSD61364A 的 DDR 内存供电设计实例

设计目标：一款 DDR4 内存电源，需要从 3.3V 电源总线产生 1.2V/2.5A 电源，要求高效率、低纹波和小尺寸。

• 系统配置：选用 CXSD61364A（150Ω 放电电阻），VIN = 3.3V，VOUT = 1.2V，IOUT = 2.5A。开关频率 1.2MHz，自动 PSM/PWM 模式。
• 电感选择：根据公式 L = VOUT × (VIN - VOUT) / (VIN × fsw × ΔIL)，取 ΔIL = 30% × 3A = 0.9A，计算得 L ≈ 0.47μH。选用 0.47μH/5A 饱和电流的屏蔽电感（如 DFE252012F-R47M）。
• 输入电容：选用 10μF/6.3V/X7R 陶瓷电容，有效电容 ≥2.53μF @ 125°C/5.5V 偏压。
• 输出电容：选用 22μF × 2 陶瓷电容（如 GRM188D70J226ME01），有效电容满足纹波要求。
• 反馈电阻：根据 VOUT = 0.6V × (1 + RFB1/RFB2)，选 RFB2 = 10kΩ，RFB1 = 10kΩ（1.2V）。
• 软启动：SS 引脚外接 10nF 电容，软启动时间约 2ms（tss = 10nF × 0.6V / 3μA）。
• PG 上拉：PG 引脚通过 100kΩ 电阻上拉至 VOUT。
• 效率：3.3V 转 1.2V/2.5A 时效率约 88%，轻载时 PSM 模式维持高效率。

8. PCB 布局建议

• 主功率回路：输入电容、高侧 FET、电感、输出电容形成的高电流路径应尽可能短而宽，减少寄生电感和电阻。
• 输入电容放置：输入电容尽可能靠近 VIN 和 GND 引脚，推荐并联 0.1μF 高频去耦电容。
• SW 节点：SW 为高频开关节点，走线面积尽可能小，避免耦合噪声。模拟元件远离 SW 节点。
• 反馈网络：FB 分压电阻靠近 FB 引脚，反馈走线从输出电容后端引出，远离电感和噪声源。
• VOUT 检测：VOUT 引脚应连接至输出电容靠近负载端，实现远程电压检测。
• 地平面：GND 引脚通过宽平面或多个过孔连接到地平面，改善散热和噪声性能。
• 散热设计：芯片底部焊盘必须焊接至 PCB 地平面，通过多个热过孔连接至内层和底层地平面，有效降低 θJA。4 层 1oz 铜 PCB 可实现 θJA(EVB) ≈ 66°C/W。

9. 引脚封装图

CXSD61364A/B 采用 SOT-583（FC） 封装，8 引脚，2.0mm × 1.6mm 超小尺寸，适合高密度 PCB 布局，支持标准 SMT 工艺。

图2. CXSD61364A/B 引脚封装图（SOT-583 FC）

10. 订购信息与技术支持

CXSD61364A/B 采用 SOT-583（FC） 封装，无铅、RoHS 合规，支持 -40°C 至 +125°C 结温范围。嘉泰姆电子提供工程样品、量产芯片及全面的技术支持，包括评估板、参考设计和 FAE 现场支持。