CXSD6199BQ 600mA汽车级同步降压转换器 | 2.7V-5.5V | 2.25MHz | AEC-Q100 - 嘉泰姆电子

CXSD6199BQ 600mA汽车级同步降压转换器 | 2.7V-5.5V | 2.25MHz | AEC-Q100 - 嘉泰姆电子

产品型号:CXSD6199BQ
产品类型:DC-DC转换器
产品系列:开关稳压器降压 (Buck) 转换器
产品状态:量产
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产品简介

CXSD6199BQ 是一款高效率600mA同步降压转换器,输入电压2.7V-5.5V,集成230mΩ/250mΩ MOSFET,固定2.25MHz开关频率,内置软启动、过流、过压、过温保护,AEC-Q100 Grade 3认证,采用WDFN-8L 3x3封装,适用于汽车信息娱乐、工业负载点等应用。嘉泰姆电子提供完整方案。

技术参数

输入电压范围 (VIN)2.7V~5.5V
输出电压 (VOUT)0.6V~5.5V
输出电流 (IOUT)0.6A
工作频率2250kHz
转换效率95%
封装类型WDFN3x3-8
Topology开关稳压器降压 (Buck) 转换器
Control methodResistor
Switching frequency2700kHz~3000kHz
Protection过流/过压/过温
Features100% Duty Cycle;AEC-Q100;Current Mode Control;Cycle-by-Cycle Current Limit;Enable Input;Force PWM;Internal Compensation;OCP;SCP;Stable with Ceramic Capacitor;UVP
Application开关稳压器
Operating temp-40℃~125℃
Precision±1%
Ext SyncNo
Ron HS (typ) (mOhm)230
Ron LS (typ) (mOhm)250
Iq (typ) (mA)0.3
InterfaceI2C
Current Limit (typ) (A)1.5
Number of Outputs1

产品详细介绍

CXSD6199BQ 600mA汽车级同步降压转换器
2.7V-5.5V输入 | 2.25MHz固定频率 | AEC-Q100 Grade 3

产品版本:Rev 1.0 | 更新日期:2026年8月 | 型号:CXSD6199BQ | 封装:WDFN-8L 3×3

嘉泰姆电子(JTM-IC)推出的 CXSD6199BQ 是一款高效率脉宽调制(PWM)同步降压DC/DC转换器,能够从 2.7V 至 5.5V 的输入电压范围内提供 600mA 的输出电流。该器件专为汽车信息娱乐、导航系统以及工业级负载点电源等应用而设计,通过了 AEC-Q100 Grade 3 认证,确保在严苛环境下的高可靠性。

芯片内部集成低导通电阻的同步整流器(高侧230mΩ P-MOSFET,低侧250mΩ N-MOSFET),显著降低了PWM模式下的导通损耗,无需外部肖特基二极管。固定 2.25MHz 的开关频率允许使用小型滤波元件,有效平滑输出纹波。当输入电压接近输出电压时,器件进入 100% 占空比低压差模式,确保输出稳定。内置 软启动(典型300μs)、过流保护(峰值限流1.5A典型)、欠压锁定输入/输出过压保护 以及 过温保护(150°C关断),为系统提供全面保障。CXSD6199BQ 采用 WDFN-8L 3×3mm 封装,底部散热焊盘有效降低热阻,是车载和工业电源转换的理想选择。

核心优势: 600mA同步降压 | 2.7V-5.5V宽输入 | 集成230mΩ/250mΩ MOSFET | 固定2.25MHz频率 | 内部补偿 | 100%占空比 | 软启动 | 过流/过压/过温保护 | AEC-Q100 Grade 3 | WDFN-8L 3x3封装。

1. 产品概述与市场定位

在汽车电子(如仪表盘、信息娱乐系统、ADAS)以及工业控制设备中,电源管理芯片需要满足宽温度范围、高可靠性和紧凑尺寸的要求。CXSD6199BQ 作为一款 汽车级同步降压转换器,其核心价值在于 高集成度、高效率以及AEC-Q100认证。集成的功率MOSFET和内部补偿网络减少了外部元件数量,降低了BOM成本和占板面积。固定2.25MHz的工作频率允许使用小尺寸电感(如2.2μH)和陶瓷电容,适合对PCB面积敏感的设计。

CXSD6199BQ 的 输入电压范围(2.7V-5.5V) 完美兼容单节锂离子电池、5V USB以及车载电源(如3.3V/5V总线),可生成0.6V至5.5V的输出电压(通过外部电阻分压设置)。其 低关断电流(<5μA)300μA 静态电流 有助于降低待机功耗。器件提供全面的保护功能,包括逐周期过流限制、输入/输出过压保护、欠压锁定和过温关断,确保在异常条件下的系统安全。CXSD6199BQ 采用 WDFN-8L 3×3mm 封装,热阻低至60°C/W,适用于-40°C至85°C的环境温度范围,是汽车和工业领域的理想负载点电源解决方案。

2. 主要特点与技术亮点

600mA 输出电流连续输出,满足多数负载点需求
宽输入电压2.7V 至 5.5V
固定 2.25MHz 频率小型滤波元件,低纹波
集成低RON MOSFET高侧230mΩ,低侧250mΩ
内部补偿无需外部补偿元件
100% 占空比低压差模式,延长电池使用时间
AEC-Q100 Grade 3汽车级认证,高可靠性
WDFN-8L 3x3封装低热阻,散热性能优异
  • 同步整流架构:内部集成高侧P-MOSFET和低侧N-MOSFET,无需外部肖特基二极管,提高效率并减小体积。
  • 固定2.25MHz开关频率:允许使用小尺寸电感(典型值2.2μH)和陶瓷电容,降低输出纹波,适合噪声敏感应用。
  • 100%占空比低压差模式:当输入电压接近输出电压时,高侧MOSFET持续导通,提供低压差工作,延长电池寿命。
  • 内部软启动:内置25nA电流源对内部15pF电容充电,典型软启动时间300μs,有效抑制启动浪涌电流。
  • 电流模式控制:快速瞬态响应,内部补偿简化设计。
  • 低功耗:静态电流典型值300μA,关断电流低于5μA。
  • 精准反馈参考电压:0.6V ±2.5%,输出电压可调范围0.6V至5.5V。
  • 保护功能:逐周期峰值电流限制(典型1.5A)、输入过压保护(VIN>6V关断)、输出过压保护(>5%参考电压触发)、欠压锁定(UVLO)、过温保护(150°C关断,自动恢复)。
  • AEC-Q100 Grade 3:满足汽车级可靠性要求,工作环境温度-40°C至85°C。

3. 典型应用电路

CXSD6199BQ 的典型应用电路极为简洁:VIN引脚接输入电源(2.7V-5.5V),LX引脚接功率电感和输出电容,FB引脚通过分压电阻设定输出电压,EN引脚接高电平使能。输入和输出端各并联陶瓷电容(输入4.7μF~10μF,输出4.7μF~10μF)。电路原理图如下所示,具体元件参数可参考数据手册推荐值。

CXSD6199BQ 典型应用电路
图1. CXSD6199BQ 典型应用电路(600mA同步降压转换器)

图2. CXSD6199BQ 内部功能方框图
内部集成:P-MOSFET高侧开关、N-MOSFET低侧同步整流器、电流检测放大器、斜坡补偿、误差放大器、PWM比较器、振荡器(2.25MHz)、软启动控制、欠压保护、过压保护、过温保护、使能逻辑等。

4. 极限参数与电气特性(设计参考)

极限参数 (Absolute Maximum Ratings)
符号 参数 最小值 最大值 单位
VIN 输入电压 -0.3 6.5 V
LX 开关节点电压 -0.3 VIN+0.3 V
其他引脚(FB, EN) -0.3 6 V
PD @ TA=25°C 最大功耗(WDFN-8L 3x3) 1.667 W
θJA 结到环境热阻 60 °C/W
θJC 结到外壳热阻 7 °C/W
TJ 结温范围 -40 150 °C
TSTG 存储温度 -65 150 °C
ESD (HBM) 人体模型 2 kV
推荐工作条件
参数 最小值 最大值 单位
VIN 输入电压 2.7 5.5 V
结温 TJ -40 125 °C
环境温度 TA -40 85 °C
关键电气特性 (VIN=3.6V, TA=25°C,典型值)
参数 条件 典型值 单位
输出电流 VIN=2.7V-5.5V 0.6 A
静态电流 VEN=1V, VFB=0.5V 300 μA
关断电流 VEN=0V 5 μA
反馈参考电压 0.6 V
UVLO上升阈值 VIN上升 2.2 V
UVLO迟滞 0.2 V
开关频率 2.25 MHz
EN高电平阈值 1.0 V
EN低电平阈值 0.4 V
高侧导通电阻 ISW=0.2A 230
低侧导通电阻 ISW=0.2A 250
峰值限流 1.5 A
过温保护阈值 关断 150 °C
输入过压保护 VIN上升 6.0 V
软启动时间 300 μs

5. 工作原理与设计指导

5.1 电流模式控制与内部补偿

CXSD6199BQ 采用 峰值电流模式控制,内部检测高侧 MOSFET 电流,经斜坡补偿后与误差放大器输出比较产生 PWM 信号。误差放大器通过比较反馈电压(VFB)与内部 0.6V 基准来调节 COMP 电压,从而控制电感电流。芯片内部已集成补偿网络,无需外部 COMP 引脚,简化了设计。

5.2 固定 2.25MHz 振荡器

内部振荡器固定工作在 2.25MHz,允许使用小型电感(典型值 2.2μH)和陶瓷电容。较高的开关频率有助于减小输出纹波和降低对滤波元件的要求,非常适合空间受限的便携应用。

5.3 输出电压设定

输出电压通过外部电阻分压器设定,公式如下:
VOUT = 0.6V × (1 + R1/R2)
其中 R1 连接在 VOUT 和 FB 之间,R2 连接在 FB 和 GND 之间。建议 R2 选择 100kΩ~200kΩ 以平衡功耗与噪声。VOUT 可调范围为 0.6V 至 5.5V(受限于输入电压和最大占空比)。

5.4 软启动与 100% 占空比

内部软启动电路在 EN 使能后,以 25nA 电流对内部 15pF 电容充电,FB 电压跟随斜坡电压,典型启动时间 300μs。当输入电压下降接近输出电压时,芯片自动进入 100% 占空比模式,高侧 MOSFET 持续导通,输出电压跟随输入电压减去压降,最大限度利用电池能量。

5.5 保护特性

  • 逐周期峰值限流:典型限流值 1.5A,防止电感电流失控。
  • 输入过压保护(VIN OVP):当 VIN 超过 6V 时,芯片停止开关,降至 6V 以下后自动恢复。
  • 输出过压保护(VOUT OVP):当 VOUT 超过设定值 5% 时,内部反馈环路在 50μs 内关断开关,防止过压损害负载。
  • 欠压锁定(UVLO):VIN 低于 2.2V 时关断,高于 2.2V 且迟滞 0.2V 时重新工作。
  • 过温保护(OTP):结温超过 150°C 时关断,冷却后自动重启。
  • 短路保护:当输出短路时,电感电流下降缓慢,芯片检测到电流失控后跳周期,防止电流进一步升高。

6. 基于 CXSD6199BQ 的汽车信息娱乐 3.3V/500mA 电源设计

设计目标:为汽车信息娱乐系统的处理器提供 3.3V/500mA 供电,输入来自车载 5V 电源总线(4.5V-5.5V),要求高效率、小尺寸,并通过 AEC-Q100 认证以保证可靠性。

  • 系统配置:选用 CXSD6199BQ,输入电容 4.7μF(陶瓷,X7R,1206),输出电容 10μF(陶瓷,X7R,1206),电感 2.2μH(Taiyo Yuden NR5018 或类似)。反馈分压:R1=100kΩ, R2=22.1kΩ(计算 VOUT=0.6*(1+100/22.1)=3.31V,接近3.3V)。EN 由系统使能信号控制(高电平有效)。
  • 效率与热设计:在 5V输入、3.3V/500mA输出时,典型效率约 90%。功耗 PD ≈ (1-η) × Pout = 0.1 × 1.65 = 0.165W。WDFN-8L 封装在 85°C 环境下的允许功耗 (125-85)/60 ≈ 0.667W,热裕量充裕。
  • 保护验证:若输出短路,限流电路将限制峰值电流至 1.5A,同时短路保护功能启动。若输入电压超过 6V(如热插拔尖峰),VIN OVP 将关闭开关,保护后级电路。
  • 启动时序:EN 拉高后,内部软启动在 300μs 内使输出电压平稳上升,避免浪涌电流影响电源总线。
设计支持: 嘉泰姆电子提供 CXSD6199BQ 评估板、参考设计(原理图、BOM、PCB 布局)及 FAE 技术支持,帮助工程师快速完成汽车级电源设计。

7. PCB 布局建议

  • 输入电容就近放置:VIN 引脚和 GND 之间放置 4.7μF~10μF 陶瓷电容,尽量靠近芯片,以抑制输入电压振铃。
  • LX 节点面积最小化:LX 引脚连接电感和 SW 节点,存在高频电压摆幅,应保持小面积,减少 EMI 辐射。
  • 反馈走线:FB 引脚的分压电阻应靠近芯片放置,走线远离 LX 和大电流路径,避免噪声耦合。
  • 地线处理:芯片底部散热焊盘(Exposed Pad)必须焊接至 PCB 地平面,并通过多个过孔连接至内层地,以降低热阻和寄生电感。
  • 功率走线宽度:根据最大电流(600mA)设计走线宽度,外层铜厚 1oz 时建议宽度≥0.5mm。
  • EN 引脚控制:EN 为高电平有效,严禁悬空,需由系统逻辑驱动或通过上拉电阻固定。
  • 汽车级考虑:建议使用 AEC-Q200 认证的被动元件,并遵循汽车级 PCB 设计规范(如增加散热过孔、使用高温焊料)。

8. 订购信息与技术支持

CXSD6199BQ 采用 WDFN-8L 3×3mm 封装,无铅、RoHS 合规,并通过 AEC-Q100 Grade 3 认证。嘉泰姆电子提供工程样品、量产芯片及全面的技术支持,包括评估板、参考设计和 FAE 现场支持。

图3. CXSD6199BQ 引脚封装图(WDFN-8L 3×3mm)
引脚1:LX | 2,4,5:NC(悬空或接地)| 3:FB | 6:EN | 7:VIN | 8:GND | 散热焊盘:GND

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