
CXSD6199BQ 600mA汽车级同步降压转换器 | 2.7V-5.5V | 2.25MHz | AEC-Q100 - 嘉泰姆电子
| 产品型号: | CXSD6199BQ |
| 产品类型: | DC-DC转换器 |
| 产品系列: | 开关稳压器降压 (Buck) 转换器 |
| 产品状态: | 量产 |
| 浏览次数: | 5 次 |
产品简介
技术参数
| 输入电压范围 (VIN) | 2.7V~5.5V |
|---|---|
| 输出电压 (VOUT) | 0.6V~5.5V |
| 输出电流 (IOUT) | 0.6A |
| 工作频率 | 2250kHz |
| 转换效率 | 95% |
| 封装类型 | WDFN3x3-8 |
| Topology | 开关稳压器降压 (Buck) 转换器 |
| Control method | Resistor |
| Switching frequency | 2700kHz~3000kHz |
| Protection | 过流/过压/过温 |
| Features | 100% Duty Cycle;AEC-Q100;Current Mode Control;Cycle-by-Cycle Current Limit;Enable Input;Force PWM;Internal Compensation;OCP;SCP;Stable with Ceramic Capacitor;UVP |
| Application | 开关稳压器 |
| Operating temp | -40℃~125℃ |
| Precision | ±1% |
| Ext Sync | No |
| Ron HS (typ) (mOhm) | 230 |
| Ron LS (typ) (mOhm) | 250 |
| Iq (typ) (mA) | 0.3 |
| Interface | I2C |
| Current Limit (typ) (A) | 1.5 |
| Number of Outputs | 1 |
产品详细介绍
CXSD6199BQ 600mA汽车级同步降压转换器
2.7V-5.5V输入 | 2.25MHz固定频率 | AEC-Q100 Grade 3
产品版本:Rev 1.0 | 更新日期:2026年8月 | 型号:CXSD6199BQ | 封装:WDFN-8L 3×3
技术咨询:ouamo18@jtm-ic.com 或致电 13823140578 (嘉泰姆电子)
嘉泰姆电子(JTM-IC)推出的 CXSD6199BQ 是一款高效率脉宽调制(PWM)同步降压DC/DC转换器,能够从 2.7V 至 5.5V 的输入电压范围内提供 600mA 的输出电流。该器件专为汽车信息娱乐、导航系统以及工业级负载点电源等应用而设计,通过了 AEC-Q100 Grade 3 认证,确保在严苛环境下的高可靠性。
芯片内部集成低导通电阻的同步整流器(高侧230mΩ P-MOSFET,低侧250mΩ N-MOSFET),显著降低了PWM模式下的导通损耗,无需外部肖特基二极管。固定 2.25MHz 的开关频率允许使用小型滤波元件,有效平滑输出纹波。当输入电压接近输出电压时,器件进入 100% 占空比低压差模式,确保输出稳定。内置 软启动(典型300μs)、过流保护(峰值限流1.5A典型)、欠压锁定、输入/输出过压保护 以及 过温保护(150°C关断),为系统提供全面保障。CXSD6199BQ 采用 WDFN-8L 3×3mm 封装,底部散热焊盘有效降低热阻,是车载和工业电源转换的理想选择。
1. 产品概述与市场定位
在汽车电子(如仪表盘、信息娱乐系统、ADAS)以及工业控制设备中,电源管理芯片需要满足宽温度范围、高可靠性和紧凑尺寸的要求。CXSD6199BQ 作为一款 汽车级同步降压转换器,其核心价值在于 高集成度、高效率以及AEC-Q100认证。集成的功率MOSFET和内部补偿网络减少了外部元件数量,降低了BOM成本和占板面积。固定2.25MHz的工作频率允许使用小尺寸电感(如2.2μH)和陶瓷电容,适合对PCB面积敏感的设计。
CXSD6199BQ 的 输入电压范围(2.7V-5.5V) 完美兼容单节锂离子电池、5V USB以及车载电源(如3.3V/5V总线),可生成0.6V至5.5V的输出电压(通过外部电阻分压设置)。其 低关断电流(<5μA) 和 300μA 静态电流 有助于降低待机功耗。器件提供全面的保护功能,包括逐周期过流限制、输入/输出过压保护、欠压锁定和过温关断,确保在异常条件下的系统安全。CXSD6199BQ 采用 WDFN-8L 3×3mm 封装,热阻低至60°C/W,适用于-40°C至85°C的环境温度范围,是汽车和工业领域的理想负载点电源解决方案。
2. 主要特点与技术亮点
- 同步整流架构:内部集成高侧P-MOSFET和低侧N-MOSFET,无需外部肖特基二极管,提高效率并减小体积。
- 固定2.25MHz开关频率:允许使用小尺寸电感(典型值2.2μH)和陶瓷电容,降低输出纹波,适合噪声敏感应用。
- 100%占空比低压差模式:当输入电压接近输出电压时,高侧MOSFET持续导通,提供低压差工作,延长电池寿命。
- 内部软启动:内置25nA电流源对内部15pF电容充电,典型软启动时间300μs,有效抑制启动浪涌电流。
- 电流模式控制:快速瞬态响应,内部补偿简化设计。
- 低功耗:静态电流典型值300μA,关断电流低于5μA。
- 精准反馈参考电压:0.6V ±2.5%,输出电压可调范围0.6V至5.5V。
- 保护功能:逐周期峰值电流限制(典型1.5A)、输入过压保护(VIN>6V关断)、输出过压保护(>5%参考电压触发)、欠压锁定(UVLO)、过温保护(150°C关断,自动恢复)。
- AEC-Q100 Grade 3:满足汽车级可靠性要求,工作环境温度-40°C至85°C。
3. 典型应用电路
CXSD6199BQ 的典型应用电路极为简洁:VIN引脚接输入电源(2.7V-5.5V),LX引脚接功率电感和输出电容,FB引脚通过分压电阻设定输出电压,EN引脚接高电平使能。输入和输出端各并联陶瓷电容(输入4.7μF~10μF,输出4.7μF~10μF)。电路原理图如下所示,具体元件参数可参考数据手册推荐值。

图1. CXSD6199BQ 典型应用电路(600mA同步降压转换器)
图2. CXSD6199BQ 内部功能方框图
内部集成:P-MOSFET高侧开关、N-MOSFET低侧同步整流器、电流检测放大器、斜坡补偿、误差放大器、PWM比较器、振荡器(2.25MHz)、软启动控制、欠压保护、过压保护、过温保护、使能逻辑等。
4. 极限参数与电气特性(设计参考)
| 符号 | 参数 | 最小值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| VIN | 输入电压 | -0.3 | 6.5 | V |
| LX | 开关节点电压 | -0.3 | VIN+0.3 | V |
| 其他引脚(FB, EN) | — | -0.3 | 6 | V |
| PD @ TA=25°C | 最大功耗(WDFN-8L 3x3) | — | 1.667 | W |
| θJA | 结到环境热阻 | — | 60 | °C/W |
| θJC | 结到外壳热阻 | — | 7 | °C/W |
| TJ | 结温范围 | -40 | 150 | °C |
| TSTG | 存储温度 | -65 | 150 | °C |
| ESD (HBM) | 人体模型 | — | 2 | kV |
| 参数 | 最小值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| VIN 输入电压 | 2.7 | 5.5 | V |
| 结温 TJ | -40 | 125 | °C |
| 环境温度 TA | -40 | 85 | °C |
| 参数 | 条件 | 典型值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 输出电流 | VIN=2.7V-5.5V | 0.6 | A |
| 静态电流 | VEN=1V, VFB=0.5V | 300 | μA |
| 关断电流 | VEN=0V | 5 | μA |
| 反馈参考电压 | — | 0.6 | V |
| UVLO上升阈值 | VIN上升 | 2.2 | V |
| UVLO迟滞 | — | 0.2 | V |
| 开关频率 | — | 2.25 | MHz |
| EN高电平阈值 | — | 1.0 | V |
| EN低电平阈值 | — | 0.4 | V |
| 高侧导通电阻 | ISW=0.2A | 230 | mΩ |
| 低侧导通电阻 | ISW=0.2A | 250 | mΩ |
| 峰值限流 | — | 1.5 | A |
| 过温保护阈值 | 关断 | 150 | °C |
| 输入过压保护 | VIN上升 | 6.0 | V |
| 软启动时间 | — | 300 | μs |
5. 工作原理与设计指导
5.1 电流模式控制与内部补偿
CXSD6199BQ 采用 峰值电流模式控制,内部检测高侧 MOSFET 电流,经斜坡补偿后与误差放大器输出比较产生 PWM 信号。误差放大器通过比较反馈电压(VFB)与内部 0.6V 基准来调节 COMP 电压,从而控制电感电流。芯片内部已集成补偿网络,无需外部 COMP 引脚,简化了设计。
5.2 固定 2.25MHz 振荡器
内部振荡器固定工作在 2.25MHz,允许使用小型电感(典型值 2.2μH)和陶瓷电容。较高的开关频率有助于减小输出纹波和降低对滤波元件的要求,非常适合空间受限的便携应用。
5.3 输出电压设定
输出电压通过外部电阻分压器设定,公式如下:
VOUT = 0.6V × (1 + R1/R2)
其中 R1 连接在 VOUT 和 FB 之间,R2 连接在 FB 和 GND 之间。建议 R2 选择 100kΩ~200kΩ 以平衡功耗与噪声。VOUT 可调范围为 0.6V 至 5.5V(受限于输入电压和最大占空比)。
5.4 软启动与 100% 占空比
内部软启动电路在 EN 使能后,以 25nA 电流对内部 15pF 电容充电,FB 电压跟随斜坡电压,典型启动时间 300μs。当输入电压下降接近输出电压时,芯片自动进入 100% 占空比模式,高侧 MOSFET 持续导通,输出电压跟随输入电压减去压降,最大限度利用电池能量。
5.5 保护特性
- 逐周期峰值限流:典型限流值 1.5A,防止电感电流失控。
- 输入过压保护(VIN OVP):当 VIN 超过 6V 时,芯片停止开关,降至 6V 以下后自动恢复。
- 输出过压保护(VOUT OVP):当 VOUT 超过设定值 5% 时,内部反馈环路在 50μs 内关断开关,防止过压损害负载。
- 欠压锁定(UVLO):VIN 低于 2.2V 时关断,高于 2.2V 且迟滞 0.2V 时重新工作。
- 过温保护(OTP):结温超过 150°C 时关断,冷却后自动重启。
- 短路保护:当输出短路时,电感电流下降缓慢,芯片检测到电流失控后跳周期,防止电流进一步升高。
6. 基于 CXSD6199BQ 的汽车信息娱乐 3.3V/500mA 电源设计
设计目标:为汽车信息娱乐系统的处理器提供 3.3V/500mA 供电,输入来自车载 5V 电源总线(4.5V-5.5V),要求高效率、小尺寸,并通过 AEC-Q100 认证以保证可靠性。
- 系统配置:选用 CXSD6199BQ,输入电容 4.7μF(陶瓷,X7R,1206),输出电容 10μF(陶瓷,X7R,1206),电感 2.2μH(Taiyo Yuden NR5018 或类似)。反馈分压:R1=100kΩ, R2=22.1kΩ(计算 VOUT=0.6*(1+100/22.1)=3.31V,接近3.3V)。EN 由系统使能信号控制(高电平有效)。
- 效率与热设计:在 5V输入、3.3V/500mA输出时,典型效率约 90%。功耗 PD ≈ (1-η) × Pout = 0.1 × 1.65 = 0.165W。WDFN-8L 封装在 85°C 环境下的允许功耗 (125-85)/60 ≈ 0.667W,热裕量充裕。
- 保护验证:若输出短路,限流电路将限制峰值电流至 1.5A,同时短路保护功能启动。若输入电压超过 6V(如热插拔尖峰),VIN OVP 将关闭开关,保护后级电路。
- 启动时序:EN 拉高后,内部软启动在 300μs 内使输出电压平稳上升,避免浪涌电流影响电源总线。
7. PCB 布局建议
- 输入电容就近放置:VIN 引脚和 GND 之间放置 4.7μF~10μF 陶瓷电容,尽量靠近芯片,以抑制输入电压振铃。
- LX 节点面积最小化:LX 引脚连接电感和 SW 节点,存在高频电压摆幅,应保持小面积,减少 EMI 辐射。
- 反馈走线:FB 引脚的分压电阻应靠近芯片放置,走线远离 LX 和大电流路径,避免噪声耦合。
- 地线处理:芯片底部散热焊盘(Exposed Pad)必须焊接至 PCB 地平面,并通过多个过孔连接至内层地,以降低热阻和寄生电感。
- 功率走线宽度:根据最大电流(600mA)设计走线宽度,外层铜厚 1oz 时建议宽度≥0.5mm。
- EN 引脚控制:EN 为高电平有效,严禁悬空,需由系统逻辑驱动或通过上拉电阻固定。
- 汽车级考虑:建议使用 AEC-Q200 认证的被动元件,并遵循汽车级 PCB 设计规范(如增加散热过孔、使用高温焊料)。
8. 订购信息与技术支持
CXSD6199BQ 采用 WDFN-8L 3×3mm 封装,无铅、RoHS 合规,并通过 AEC-Q100 Grade 3 认证。嘉泰姆电子提供工程样品、量产芯片及全面的技术支持,包括评估板、参考设计和 FAE 现场支持。
图3. CXSD6199BQ 引脚封装图(WDFN-8L 3×3mm)
引脚1:LX | 2,4,5:NC(悬空或接地)| 3:FB | 6:EN | 7:VIN | 8:GND | 散热焊盘:GND
技术邮件: ouamo18@jtm-ic.com | 技术热线: 13823140578

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