CXTP65192A / CXTP65192B 双输出DDR稳压器
VDDQ + VTT | 2A灌/拉电流 | 支持DDR-I/II内存系统

产品版本：Rev 1.0 | 更新日期：2026年7月 | 型号：CXTP65192A / CXTP65192B | 封装：SOP-8（Exposed Pad）

嘉泰姆电子（JTM-IC）推出的 CXTP65192A / CXTP65192B 是一款双输出线性稳压器，专为 DDR-SDRAM 的 VDDQ 供电和终端电压 VTT 供电而设计。器件集成 功率 MOSFET，VTT 输出可主动灌入或拉出高达 2A 的连续电流。VTT 输出电压可通过两个外部电阻分压精确跟踪 1/2 VDDQ，满足 SSTL_2、SSTL_18、HSTL、SCSI-2 和 SCSI-3 等接口的终端电压需求。CXTP65192A 和 CXTP65192B 的区别在于内部 VOUT1（VDDQ）的电压精度和负载调整率略有不同（参考数据手册具体参数），均集成 电流限制 和 热关断保护，并支持 关断（Suspend to RAM） 功能，关断时 VTT 输出为高阻抗。采用 SOP-8（Exposed Pad） 封装，适用于台式机、笔记本、工作站、显卡、机顶盒、数字电视、打印机等 DDR-I/II 内存系统及主动终端总线应用。

1. 产品概述与市场定位

在台式机、笔记本、工作站、显卡以及嵌入式系统中，DDR 内存供电需要两路电源：VDDQ（核心电压） 和 VTT（终端电压，通常为 VDDQ/2）。VTT 总线终端需要同时提供 灌电流和拉电流 能力以维持信号完整性。CXTP65192A/B 将 VDDQ 线性稳压器和 VTT 跟踪终端稳压器集成在单一 SOP-8 封装内，VDDQ 输出可提供高达 2A 电流（内部限制 2.8A 典型），VTT 输出可连续灌/拉 2A 电流。VTT 电压通过外部电阻分压器设定，精确跟踪 1/2 VDDQ，失调电压典型值 ±20mV。器件支持 REFEN 关断控制（低电平关断），关断时 VTT 输出为高阻抗，适用于 STR（Suspend to RAM）省电模式。内置 电流限制 和 热关断 确保系统安全。CXTP65192A/B 是 DDR-I 和 DDR-II 内存系统供电的完整、高效、小尺寸解决方案。

2. 主要特点与技术亮点

• 双路集成方案：单芯片同时提供 VDDQ 和 VTT 两路电源，减少外部元件数量和 PCB 面积，降低系统成本。
• VTT 2A 灌/拉能力：可连续灌入或拉出 2A 电流，满足高密度 DDR 内存总线终端需求。
• 精确跟踪 VTT：VTT 输出通过外部电阻分压设定，可精确等于 1/2 VDDQ，失调电压典型值 ±20mV，满足 JEDEC 规范。
• 支持多种接口标准：适用于 SSTL_2、SSTL_18、HSTL、SCSI-2 和 SCSI-3 等主动终端总线。
• 关断（STR）功能：REFEN 引脚低电平关断 VDDQ 和 VTT，VTT 输出变为高阻抗，适合 Suspend to RAM 省电模式。
• 内置保护：VDDQ 输出限流（典型 2.8A），过温保护（150°C 关断），确保异常条件下安全。
• 宽输入电压：VIN1（VDDQ 输入）支持 2.5V~5.5V，VIN2（VTT 功率输入）支持 1.5V~3.6V，VCNTL（控制电源）支持 3.1V~5V，灵活适配不同系统。
• 高效散热封装：SOP-8 带散热焊盘（Exposed Pad），通过 PCB 铜箔可显著降低热阻（最低 49°C/W）。

3. 引脚配置与功能描述

4. 电气特性（设计参考）

5. 典型应用电路

CXTP65192A/B 典型应用包括 VDDQ 和 VTT 双路输出，VTT 通过外部电阻分压跟踪 1/2 VDDQ。VREFEN 引脚连接分压中点或外部参考，并可通过低电平关断器件。

图2. CXTP65192A/B 典型应用电路（DDR VDDQ + VTT 供电）

6. 工作原理与设计指导

6.1 VDDQ（VOUT1）稳压器

VOUT1 是一款线性稳压器，由 VIN1 供电，输出电压通过 FB 引脚外部电阻分压设定。内部误差放大器将 FB 电压与基准比较，驱动 PMOS 功率管。输出电流限制典型 2.8A，压差在 1A 时典型 240mV。

6.2 VTT（VOUT2）跟踪终端

VOUT2 是灌/拉电流终端稳压器，由 VIN2 供电。内部高速运放驱动高侧和低侧功率级，使 VOUT2 精确跟踪 VREFEN 引脚电压（通常为 VDDQ/2）。VOUT2 可连续灌/拉 2A 电流，失调电压典型 ±20mV。

6.3 关断控制（VREFEN）

VREFEN 引脚同时作为参考输入和关断控制。正常工作时接入 VDDQ/2 参考电压；当 VREFEN < 0.2V 时，器件进入关断模式，VOUT1 和 VOUT2 均关闭，VOUT2 输出为高阻抗，适用于 Suspend to RAM 状态。

6.4 电流限制与热保护

VOUT1 具有电流限制（典型 2.8A），保护过载和短路。热关断在结温超过 150°C 时关断器件，降温后自动恢复。

7. 应用信息与设计指导

7.1 电容选择

• VIN1 / VOUT1：建议使用 2.2μF 陶瓷电容（X7R/X5R），靠近引脚放置。
• VIN2：建议 470μF 电解电容，确保 VTT 大电流瞬态响应。
• VOUT2：建议 1000μF 低 ESR 电解电容或大容量陶瓷组合，以满足 2A 瞬态电流需求。
• VCNTL：建议 47μF 电容，稳定控制电源。

7.2 VTT 电压设定（VREFEN）

VREFEN 电压通常由 VDDQ 通过电阻分压产生（R1、R2），典型值为 VDDQ/2。注意分压电阻值不宜过大，以免噪声耦合。也可使用独立精密参考源。

7.3 热设计

SOP-8 Exposed Pad 封装的热阻取决于 PCB 铜箔面积。最小焊盘 θ_JA=75°C/W，增加铜面积可降低至 49°C/W（70mm²）。最大功耗 P_D(MAX) = (125°C - T_A) / θ_JA，TA=25°C 时 PD=1.33W（75°C/W）。实际功耗需考虑 VDDQ 和 VTT 两路的功耗总和，确保结温不超过 125°C。

7.4 PCB 布局建议

• 散热焊盘（Exposed Pad）必须焊接至大面积地平面，并多过孔连接内层地，以降低热阻。
• 输入输出电容尽量靠近 IC 引脚，走线短而宽。
• VTT 输出（VOUT2）走线需承载 2A 电流，注意线宽。
• VREFEN 分压电阻靠近 IC，远离功率走线，避免噪声耦合。

8. 订购信息与技术支持

CXTP65192A / CXTP65192B 采用 SOP-8（Exposed Pad）封装，无铅、RoHS 合规。CXTP65192A 和 CXTP65192B 引脚兼容，内部 VDDQ 精度和负载调整率略有差异，具体参考数据手册。嘉泰姆电子提供工程样品、评估板、参考设计及 FAE 技术支持，助力客户快速完成 DDR 内存供电设计。