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CXTP65193 1.8A DDR终端稳压器 | 灌/拉电流 | 支持DDRII/III/IV VTT - 嘉泰姆电子
| 产品型号： | CXTP65193 |
| 产品类型： | LDO线性稳压器 |
| 产品系列： | 存储器电源解决方案DDR 存储器电源方案 |
| 产品状态： | 量产 |
| 浏览次数： | 17 次 |
产品简介
技术参数
| 输入电压范围 (VIN) | 1V~5.5V |
|---|---|
| 输出电压 (VOUT) | 2.5~12V |
| 输出电流 (IOUT) | 4.5A |
| 工作频率 | 1000kHz |
| 转换效率 | 95% |
| 封装类型 | PSOP-8 |
| Dropout voltage | 240 @ 0.3A |
| Quiescent current | 0.02mA |
| Psrr. | 60dB@1kHz |
| Noise | 30μVRMS |
| Protection | 过流/过温 |
| Features | Enable Input;OCP;Stable with Ceramic Capacitor |
| Application | DDRI;DDRII;DDRIII;DDRIV;LPDDRIII |
| Temperature range | -40℃~125℃ |
| Output capacitor | Ceramic |
| Precision | 13±mV |
| Isource/Isink (max) (A) | 3.5 |
产品详细介绍
CXTP65193 DDR终端稳压器
1.8A灌/拉电流 | 支持DDRII/III/IV VTT | 可调跟踪REFEN
产品版本：Rev 1.0 | 更新日期：2026年7月 | 型号：CXTP65193 | 封装：SOP-8（Exposed Pad）
技术咨询：ouamo18@jtm-ic.com 或致电 13823140578 (嘉泰姆电子)
嘉泰姆电子（JTM-IC）推出的 CXTP65193 是一款高性价比、高速线性稳压器，专为 DDR 内存系统终端电压（VTT）供电设计。器件可主动灌入或拉出高达 1.8A 的连续电流（DDRII 应用），输出电压精度高达 ±20mV。VTT 输出电压可通过外部电阻分压精确跟踪 VDDQ/2，或通过外部电压直接驱动 REFEN 引脚设定。CXTP65193 集成 高速差分放大器，提供超快的线/负载瞬态响应；内置 双向电流限制、软启动 和 热关断保护，支持 Suspend to RAM（STR） 关断功能（关断时 VOUT 高阻抗）。采用 SOP-8（Exposed Pad） 封装，稳定于 陶瓷输出电容，适用于台式机、笔记本、工作站、显卡、机顶盒、数字电视、打印机等 DDRII/III/IV 内存系统及主动终端总线应用。
1. 产品概述与市场定位
在 DDRII、DDRIII 和 DDRIV 内存系统中，总线终端电压 VTT 需要 精确跟踪 VDDQ/2，并具备 双向灌/拉电流 能力以维持信号完整性。CXTP65193 作为一款高性价比的终端稳压器，可提供高达 1.8A（DDRII） 的连续灌/拉电流，输出电压通过 REFEN 引脚设定（可由 VDDQ 电阻分压或外部电压源驱动），失调电压典型值仅 ±13mV。器件支持 1V 至 5.5V 的 VIN 输入（VIN 需 ≤ VCNTL），VCNTL 为 5V 控制电源。内置 高速差分放大器 确保优异的负载瞬态响应；软启动 限制启动浪涌；双向限流 和 热关断 提供全面保护。关断模式下 VOUT 为高阻抗，适用于 STR 省电状态。CXTP65193 是 DDR 内存 VTT 供电的紧凑、高效、低成本的完整解决方案。
2. 主要特点与技术亮点
- 大电流灌/拉能力：DDRII 应用可提供 1.8A 连续灌/拉电流（DDRIII 1.5A，DDRIV/LPDDRIII 1.2A），满足不同 DDR 内存总线终端需求。
- 高精度输出：输出电压失调典型值 ±13mV（最大 ±20mV），负载调整率在 ±13mV 以内，确保 VTT 电压精确。
- 灵活的 REFEN 控制：REFEN 引脚既是参考输入也是关断控制。可通过外部电阻分压设定 VOUT = VDDQ/2，也可由外部电压源直接驱动；拉低至 0.15V 以下关断器件（VOUT 高阻）。
- 高速差分放大器：内置高速放大器提供超快线/负载瞬态响应，适合 DDR 总线快速电流变化的应用。
- 集成软启动：内部软启动电路防止启动浪涌电流，软启动时间约 100μs（REFEN=0.75V）。
- 双向电流限制：源电流和灌电流分别限制（典型 1.8A~3.5A），输出短路时电流折返至约 1.5A，保护器件安全。
- 热关断保护：过温时关断器件，防止热损坏。
- 稳定于陶瓷电容：输出端仅需 10μF 陶瓷电容即可稳定，减少 BOM 成本和 PCB 面积。
- 高效散热封装：SOP-8 带散热焊盘（Exposed Pad），热阻低至 39.8°C/W（四层板）。
3. 引脚配置与功能描述
图1. CXTP65193 引脚封装图（SOP-8 Exposed Pad）
（此处预留封装外形及引脚排列示意图位置，编辑时可替换为实际封装图纸）
引脚 1=VIN，2=VCNTL，3=REFEN，4=VOUT，5,6,7,8=GND，9=Exposed Pad（GND）
| 引脚号 | 名称 | 功能描述 |
|---|---|---|
| 1 | VIN | 功率输入（1V~5.5V），为输出级供电，需靠近放置 ≥10μF 低 ESR 电容。 |
| 2 | VCNTL | 控制电源输入（5V ±5%），为内部控制和驱动电路供电，需至少 1μF 旁路电容。 |
| 3 | REFEN | 参考输入/关断控制：正常工作时接入参考电压（如 VDDQ/2）；低电平（<0.15V）关断器件（VOUT 高阻）。 |
| 4 | VOUT | 终端稳压输出，可灌/拉电流，需外接 10μF 陶瓷电容。 |
| 5, 6, 7, 8 | GND | 地，多个地引脚用于散热和降低寄生阻抗。 |
| 9（EP） | Exposed Pad | 散热焊盘，必须焊接至大面积地平面，以增强散热和降低热阻。 |
4. 电气特性（设计参考）
| 符号 | 参数 | 最小值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| VIN | 输入电压 | -0.3 | 6 | V |
| VCNTL | 控制电压 | -0.3 | 6 | V |
| VREFEN | 参考输入电压 | -0.3 | 6 | V |
| VOUT | 输出电压 | -0.3 | 6 | V |
| PD (TA=25°C) | 功耗（SOP-8 EP） | — | 2.51 | W |
| θJA | 热阻（SOP-8 EP） | — | 39.8 | °C/W |
| θJC | 热阻（SOP-8 EP） | — | 10.1 | °C/W |
| TJ | 结温 | — | 150 | °C |
| TSTG | 存储温度 | -65 | 150 | °C |
| ESD (HBM) | 人体模型 | — | 2 | kV |
| 参数 | 最小值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 输入电压（VIN） | 1.0 | 5.5 | V |
| 控制电压（VCNTL） | 4.75 | 5.25 | V |
| REFEN 输入电压 | 0 | 5.5 | V |
| 结温范围 | -40 | 125 | °C |
| 环境温度 | -40 | 85 | °C |
| 参数 | 测试条件 | 典型值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| VCNTL 工作电流 | IOUT=0A | 0.7（最大2.5） | mA |
| 待机电流（关断） | VREFEN<0.2V | 20（最大90） | μA |
| VCNTL 上电复位阈值 | VCNTL 上升 | 3.6（典型） | V |
| 输出失调电压 | IOUT=0A, VOS = VOUT - VREFEN | ±13（最大） | mV |
| 负载调整率（DDRII） | VIN=1.8V, VREFEN=0.9V, IOUT=±1.8A | ±13（最大） | mV |
| 负载调整率（DDRIII） | VIN=1.5V, VREFEN=0.75V, IOUT=±1.5A | ±13（最大） | mV |
| 负载调整率（DDRIV/LPDDRIII） | VIN=1.2/1.35V, IOUT=±1.2A | ±13（最大） | mV |
| 源电流限制（DDRII） | VIN=1.8V, VREFEN=0.9V | 1.8（最小）~3.5（最大） | A |
| 灌电流限制（DDRIII） | VIN=1.5V, VREFEN=0.75V | 1.8（最小）~3.5（最大） | A |
| 短路折返电流 | VOUT < 0.2V | 1.5（典型） | A |
| 软启动时间 | REFEN=0.75V | 100 | μs |
| 关断阈值（低） | VREFEN 下降 | 0.15（典型） | V |
5. 典型应用电路
CXTP65193 典型应用包括 VIN 输入（1V~5.5V），VCNTL 接 5V 控制电源，REFEN 由 VDDQ 电阻分压设定（VOUT = VDDQ/2），VOUT 输出接 DDR 总线终端。Css 电容可优化软启动/滤波。
图2. CXTP65193 典型应用电路（DDR VTT 供电）
图3. CXTP65193 内部功能方框图
内部集成：高速差分放大器、高侧/低侧功率级、REFEN 输入缓冲、关断逻辑、双向电流限制、软启动、热关断保护等。
| 位号 | 描述 | 推荐值 | 备注 |
|---|---|---|---|
| CIN | 输入电容（低 ESR） | ≥20μF（电解或钽） | 靠近 VIN 引脚 |
| COUT | 输出陶瓷电容（X7R/X5R） | 10μF（6.3V） | 靠近 VOUT 引脚 |
| CVCNTL | 控制电源旁路电容 | ≥1μF（10V） | 靠近 VCNTL 引脚 |
| R1, R2 | REFEN 分压电阻 | 100kΩ（典型） | 设定 VOUT = VDDQ/2 |
| Css（可选） | 软启动/滤波电容 | 1nF ~ 0.1μF | 与 R1/R2 形成低通滤波 |
6. 工作原理与设计指导
6.1 基本工作原理
CXTP65193 是一款高速线性终端稳压器。VCNTL（5V）为内部控制电路供电，VIN 为输出级提供功率。内部高速差分放大器将 VOUT 与 REFEN 电压比较，驱动高侧和低侧功率级，使 VOUT 精确跟踪 REFEN。VOUT 可主动灌入或拉出电流，满足 DDR 总线终端双向电流需求。
6.2 REFEN 控制
REFEN 引脚既是参考输入也是关断控制：正常工作时接入参考电压（通常为 VDDQ/2，由外部电阻分压产生）；拉低至 0.15V 以下时器件关断，VOUT 变为高阻抗（STR 模式）。REFEN 输入阻抗高，分压电阻可采用 100kΩ 以降低功耗。
6.3 软启动
内部软启动电路在启动时限制 VOUT 上升斜率，防止浪涌电流。软启动时间取决于 REFEN 电压，典型值约 100μs（REFEN=0.75V）。
6.4 电流限制与短路保护
双向电流限制监测源电流和灌电流，当电流超过限流点时限制输出电流。输出短路时（VOUT < 0.2V），电流折返至约 1.5A，保护器件安全。
6.5 热关断保护
结温超过 150°C 时关断器件，降温后自动恢复。
7. 应用信息与设计指导
7.1 输出电压设定
VOUT = VREFEN，REFEN 可由 VDDQ 通过 R1/R2 分压产生：VOUT = VDDQ × R2 / (R1 + R2)。典型应用 R1 = R2 = 100kΩ，VOUT = VDDQ/2。
7.2 电容选择
- CIN：建议 ≥20μF 低 ESR 电容（电解或钽），靠近 VIN 引脚，支持大电流瞬态。
- COUT：建议 10μF 陶瓷电容（X7R/X5R），靠近 VOUT 引脚。
- VCNTL：至少 1μF 陶瓷电容旁路。
7.3 关断控制
REFEN 引脚低电平关断时，需要外部 N-MOSFET（如 2N7002）将 REFEN 拉至 0.15V 以下。注意分压电阻在关断时仍会消耗电流，可通过 Rummy（1kΩ）在 VIN 掉电时放电。
7.4 热设计
最大功耗 PD(MAX) = (125°C - TA) / θJA，SOP-8 EP θJA=39.8°C/W，TA=25°C 时 PD=2.51W。实际功耗 = (VIN - VOUT) × IOUT（灌/拉模式），注意散热焊盘焊接至大面积地平面。
7.5 PCB 布局建议
- 输入输出电容尽量靠近 IC 引脚，走线短而宽。
- 散热焊盘（Exposed Pad）必须焊接至大面积地平面，多过孔连接内层地，降低热阻。
- VIN 和 VOUT 走线需承载大电流，注意线宽。
- REFEN 走线远离功率噪声源，分压电阻靠近 IC。
图4. CXTP65193 PCB 布局参考（SOP-8 EP）
（此处预留布局示意图位置，编辑时可替换为实际布局图纸）
8. 订购信息与技术支持
CXTP65193 采用 SOP-8（Exposed Pad）封装，无铅、RoHS 合规，支持 DDRII/III/IV VTT 终端应用。嘉泰姆电子提供工程样品、评估板、参考设计及 FAE 技术支持，助力客户快速完成 DDR 内存 VTT 电源设计。
技术邮件: ouamo18@jtm-ic.com | 技术热线: 13823140578
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